MOSFET(场效应晶体管)广泛应用于现代电子电路,特别是在高效电力电子和开关电源设计中。其高速开关特性使其在很多高频应用中成为理想的选择。然而,在某些应用中,由于MOSFET开关速度不足,可能导致
2026-01-04 10:54:34
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- FPF2007 是一系列负载开关,旨在为可能遇到大电流情况的系统和负载提供全面保护。这些器件内置一个 0.7Ω 的电流受限 P 沟道 MOSFET,可在 1.8 - 5.5V 的输入电压范围内工
2025-12-30 16:30:17
76 (1)Id电流代表MOSFET能流过的最大电流,反映带负载能力,超过这个值可能会因为超负荷导致MOSFET损坏。
(2)Id电流参数选择时,需要考虑连续工作电流和电涌带来的尖峰电流,确保
2025-12-23 08:22:48
Wolfspeed 宣布推出最新的车规级 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于业界领先的第四代 (Gen 4) 技术平台开发, 为汽车车载充电器、DC/DC 转换器、电子压缩机和加热与冷却系统等应用提供了优异的性能。
2025-11-30 16:14:51
658 Wolfspeed 宣布推出最新的工业级 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于业界领先的第四代 (Gen 4) 技术平台开发,为硬开关应用提供了优异的性能。
2025-11-30 16:13:27
564 在现代电子设备的核心部件中,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)无疑是当之无愧的“开关大师”。从智能手机的芯片到新能源汽车的动力控制系统,从光伏逆变器到工业机器人,MOSFET以其高效
2025-11-27 15:48:15
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安森美 NCP402045集成驱动器/MOSFET在单一封装中集成了MOSFET驱动器、高侧MOSFET、 和低侧MOSFET。该元件优化用于大电流直流-直流降压电源转换应用。该器件具有快速开关
2025-11-24 11:49:35
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倾佳电子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件与功率模块规格书深度解析与应用指南 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源
2025-11-24 09:00:23
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890mA(最大值),非常适合用于便携式电子设备、DC-DC转换器和负载开关电路。开关速度快和栅极电荷低,有助于降低功耗并提高整体系统效率,使这些MOSFET成为空间受限、功耗敏感设计的可靠选择。
2025-11-22 09:36:01
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功率MOSFET管应用问题汇总
问题1:在功率MOSFET管应用中,主要考虑哪些参数?在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算,通常取多少比较好?相应的PCB设计,铜箔面积布设多大散热会比
2025-11-19 06:35:56
STMicroelectronics STELPD01电子负载开关是用于电源轨保护应用的集成电子电源开关。它可以精确检测过流和过压情况并作出反应。发生过载情况时,该器件进入开路状态,从电源断开负载
2025-10-31 09:49:13
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,能量利用率可达95%以上。其优势在于高效能量循环利用,但依赖电网兼容性设计。 2. MOSFET耗能型功率负载 以功率MOSFET为核心,通过调节栅极电压控制导通状态,动态调整等效阻抗。采用PWM调制和数字反馈技术(如FPGA/DSP控制器),支持μs级动态
2025-10-23 10:09:26
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)MOSFET分立器件产品组合具有强大的竞争力和先进的技术特性,能够全面满足高功率密度、高开关频率以及高可靠性电源应用的需求。该系列产品矩阵涵盖 650 V、 750 V、 1200 V 和 1400
2025-10-21 10:12:15
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在前面的内容中,我们了解了负载开关IC的基本定义、独特优点、实用功能及其操作,今天作为【负载开关IC】系列的最后一篇内容,芝子将带着大家了解一下负载开关IC数据表中相关术语和功率损耗计算方法。
2025-10-15 16:54:50
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相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:03
37 倾佳电子商用电磁加热技术革命:基本半导体34mm SiC MOSFET模块加速取代传统IGBT模块 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子
2025-10-11 10:56:37
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倾佳电子SiC厨房革命:B3M042140Z MOSFET取代RC-IGBT在电磁炉应用中的技术与商业分析 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力
2025-10-11 10:55:21
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TPS22991I是一款小型、低 RON、单通道负载开关,具有受控压摆率。该器件包含一个N沟道MOSFET,可在1.0V至5.5V的输入电压范围内工作,并支持3A的最大连续电流。该开关由开和关输入控制,能够直接与低压控制信号连接。
2025-09-25 11:07:23
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Texas Instruments TPS22992x负载开关是一款具有8.7m Ω功率MOSFET的单通道负载开关,设计用于在高达5.5V、6A的应用中最大化功率密度。可配置上升时间为电源排序提供了灵活性,并最大限度减少了高电容负载下的浪涌电流。
2025-09-24 15:07:33
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触点),可直接驱动继电器或PLC输入。 霍尔开关 :多为集电极开路(OC)或推挽输出,需确认负载电路是否匹配。 解决方案 :若驱动高电压/大电流负载,需外接继电器或MOSFET;若与PLC连接,需确认输入电压范围(如24V DC)是否与霍尔开关
2025-09-23 10:57:40
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在之前的课程里,我们已经了解了负载开关IC的一些实用功能,这些知识为我们在实际设计中运用负载开关IC提供了思路。今天,芝子将带着大家更进一步,详细探讨负载开关IC的具体功能操作!
2025-09-19 17:57:58
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Texas Instruments TPS22998单通道负载开关具有可配置上升时间,从而可更大限度地降低浪涌电流。该器件包含一个可在0.2V至5.5V输入电压范围内运行的N沟道 MOSFET,并且支持10A的最大连续电流。
2025-09-16 14:46:44
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Texas Instruments TPS7H2201-SP单通道负载开关具有可配置上升时间,可最大限度地降低反向电流和浪涌电流保护。该器件包含一个可在1.5V至7V输入电压范围内运行的P沟道
2025-09-15 10:59:57
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Texas Instruments TPS22811EVM负载开关评估模块 (EVM) 支持对TPS22811负载开关进行参考电路评估。TPS22811器件是一款2.7V至16V、10A负载开关
2025-09-12 09:48:20
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Texas Instruments TPS7H2221EVM负载开关评估模块 (EVM) 演示了TPS7H2221-SEP负载开关的并联运行。TPS7H2221-SEP是一款压摆率可控的小型单通道
2025-09-11 10:33:27
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Texas Instruments TPS22963/64负载开关是一款具有受控接通功能的小型超低R~ON~负载开关。该器件采用低R~DSON~ N沟道MOSFET,可以在1V至5.5V的输入电压
2025-09-10 11:06:20
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新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引脚IMZA封装第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ,TO247-4引脚IMZA封装,确保安装兼容性并可轻松替换现有
2025-09-08 17:06:34
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Texas Instruments TPS22996双通道负载开关是一款双通道负载开关,具有受控接通功能。该器件包含两个N沟道MOSFET,每通道支持最大4A的连续电流,可在0.6V至5.5V的输入
2025-09-06 17:34:51
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Texas Instruments TPS22995导通电阻负载开关支持可配置上升时间,以最大限度地减小浪涌电流。该单通道负载开关包含一个可在0.4V至5.5V输入电压范围内运行的N沟道MOSFET,并且支持3.8A的最大连续电流。
2025-09-02 14:57:49
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Texas Instruments TPS22995H-Q1汽车负载开关集成了19mΩ N沟道MOSFET,可在0.8V至5.5V输入电压范围内工作,最大连续电流为3A。TPS22995H-Q1由开
2025-09-02 11:15:52
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PC5010是一款单通道、低边 MOSFET 驱动器。能够为容性负载提供大峰值电流,可在米勒平台区域提供7A峰值电流,有助于降低MOSFET开关转换期间的米勒效应时间。PC5010具有分立的上下管驱动输出,允许用户灵活控制MOSFET的导通和关断延迟时间
2025-09-01 16:42:37
0 倾佳电子电源LLC深度研究分析与SiC碳化硅MOSFET在LLC应用中取代超结MOSFET的优势和逻辑 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要
2025-09-01 09:50:37
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产品描述:(替代NCP81074)PC5010是一款单通道、低边 MOSFET 驱动器。能够为容性负载提供大峰值电流,可在米勒平台区域提供7A峰值电流,有助于降低MOSFET开关转换期间的米勒效应
2025-08-30 17:31:31
Texas Instruments TPS22997负载开关是一款单通道开关,可提供可配置的上升时间来尽量减小浪涌电流。该负载开关可在0.1V至5.5V输入电压范围内运行,具有10A 的最大持续电流
2025-08-28 15:29:32
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一款高性能、高性价比的单通道低边门极驱动器——SiLM27512EM-DG,专为高效驱动MOSFET和IGBT等功率开关而设计,特别适合对开关速度和驱动能力有要求的应用场景,是替代传统分立NPN
2025-08-19 08:18:42
革新电源设计:B3M040065R SiC MOSFET全面取代超结MOSFET,赋能高效高密度电源系统 ——倾佳电子助力OBC、AI算力电源、服务器及通信电源升级 引言:功率器件的代际革命 在
2025-08-15 09:52:38
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储能电池包 BMS的主开关,是充放电回路的 “安全守门人”,直接关系到电池系统的运行安全与寿命。宽电压波动、大快充电流、感性负载尖峰等等挑战,对MOSFET 的耐压、电流承载、雪崩能量提出了极高
2025-08-12 16:52:04
1523 Texas Instruments TPS2295x-Q1单通道负载开关具有受控导通功能。该器件包含一个N沟道MOSFET,可支持最大5A的连续电流,并在0.7V至5.7V的输入电压范围内工作。
2025-08-12 09:45:59
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Texas Instruments TPS22999导通电阻负载开关是一款单通道负载开关,旨在实现快速导通时间和较低的浪涌电流。该负载开关具有N沟道MOSFET,可在0.1V至V~BIAS~ -1V
2025-08-08 09:51:11
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电子发烧友网为你提供()具有反向阻断功能的 3A 转换速率控制负载开关相关产品参数、数据手册,更有具有反向阻断功能的 3A 转换速率控制负载开关的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,具有
2025-07-24 18:30:48

Texas Instruments TPS22991低R~ON~ 单通道负载开关具有受控的转换速度。该器件支持3A最大连续电流,并包含一个可在1.0V至5.5V输入电压范围内工作的N沟道MOSFET。该开关由可连接低压控制信号的开/关输入控制。
2025-07-17 10:57:40
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圣邦微电子推出 SGMNL12330,一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。
2025-07-10 17:21:52
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一、MOSFET开关速度的定义与影响因素开关速度是MOSFET在导通(开)和关断(关)状态之间的切换速度,通常以上升时间(tr)、下降时间(tf)和开关时间(ts)来描述。开关速度越快,MOSFET
2025-07-01 14:12:12
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英飞凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有业界领先的抗寄生导通能力和成熟的栅极氧化层技术,可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬开关拓扑中实现卓越性能。
2025-06-20 14:44:26
970 氧化物半导体 FET)主要被用于线性或开关电源应用。
他们为什么要发明功率MOSFET?
当把双极型三极管按照比例提高到功率应用的时候,它显露出一些恼人的局限性。确实,你仍然可以在洗衣机、空调机
2025-06-03 15:39:43
TPS206x 配电开关适用于可能遇到重电容负载和短路的应用。该器件集成了 70mΩ N 沟道 MOSFET 功率开关,适用于需要在单个封装中集成多个功率开关的配电系统。每个开关都由一个逻辑使能输入
2025-05-27 14:54:57
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DC-DC开关电源电路特性:· 输入和输出电压感应提供欠压和过压保护,变压器初级电流感应提供过载和短路保护。· 全桥MOSFET驱动器用于驱动主全桥MOSFET,半桥MOSFET驱动器用于实现同步
2025-05-23 15:09:58
功率器件与拓扑优化
宽禁带半导体器件应用
传统硅基IGBT/MOSFET因开关损耗高,限制了系统效率。采用碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)器件可显著降低损耗:
SiC MOSFET导通电阻低(仅为硅
2025-05-21 14:38:45
摩托罗拉车载对讲,开关电源模块保险丝烧坏,在更换保险丝和MOS管后输出电压正常,连接对讲台负载后断电,检查PFC芯片的电流反馈电阻阻值没有问题,所有的滤波电容也没有问题,不知从何下手了
2025-05-14 16:54:02
TPS22941/2/3/4/5 负载开关为系统和负载提供保护 大电流条件。这些器件包含一个 0.4 Ω 限流 P 沟道 MOSFET,该 MOSFET 可以 在 1.62 V 至 5.5 V
2025-05-14 10:28:44
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TPS22960 是一款具有受控导通功能的小型低 rON 双通道负载开关。这些器件包含两个 P 沟道 MOSFET,可在 1.62V 至 5.5V 的输入电压范围内工作。每个开关都由开/关输入
2025-05-14 09:43:07
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TPS22946 是一款超低功耗负载开关,可为系统和 大电流条件下的负载。该器件包含一个 300mΩ 限流 P 沟道 MOSFET 可在 1.62 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作。该开关由
2025-05-14 09:20:01
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TPS22941/2/3/4/5 负载开关为系统和负载提供保护 大电流条件。这些器件包含一个 0.4 Ω 限流 P 沟道 MOSFET,该 MOSFET 可以 在 1.62 V 至 5.5 V
2025-05-13 18:00:08
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TPS22903 和 TPS22904 超小,低 r~上~单通道 带受控导通的负载开关。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET,可在 输入电压范围为 1.1 V 至 3.6 V。开关由开和关输入
2025-05-13 16:11:46
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TPS22934 是一个小的低导通电阻 (r ~上~ ) 带受控导通的负载开关。这些器件包含一个 P 通道 MOSFET 可在 1.5 V 至 3.6 V 的输入电压范围内工作。
该开关由具有
2025-05-13 15:26:43
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TPS22924x 是一款小型低 R~上~带受控转数的负载开关 上。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 0.75 V 的输入电压范围内工作 至 3.6 V。集成电荷泵对 NMOS 开关
2025-05-13 14:18:56
578 
TPS22920x 是一款节省空间的小型负载开关 具有受控导通功能,以减少浪涌电流。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可以 在 0.75 V 至 3.6 V 的输入电压范围内工作,开关电流高达
2025-05-13 13:45:41
490 
TPS22929D是一个小型的、低的r~上~带受控转数的负载开关 上。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET,可在 1.4 V 至 5.5 伏。该开关由开/关输入 (ON) 控制,该输入能够
2025-05-13 10:25:30
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TPS22908 是一个小而低的 R~上~带受控转数的负载开关 上。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET,可在 1 V 至 3.6 的输入电压范围内工作 V.该开关由开/关输入 (ON) 控制,该输入能够直接与 低压控制信号。
2025-05-13 09:51:35
590 
TPS22965x 是一款单通道负载开关,可提供可配置的上升时间 最大限度地减少浪涌电流。该器件包含一个可在输入上工作的 N 沟道 MOSFET 电压范围为 0.8 V 至 5.7 V,可支持 6
2025-05-13 09:34:41
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TPS22930 是一个小而低的 R~上~带受控开启的负载开关。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET,可在 1.4 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作。该开关由开/关输入 (ON) 控制,该输入能够直接与低压控制信号连接。TPS22930 为 active high enable。
2025-05-12 17:55:35
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TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~负载开关 受控打开。该设备包含低 R~DSON 系列~N 沟道 MOSFET 可在 1 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,开关电流高达 3
2025-05-12 15:58:13
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TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~负载开关 受控打开。该设备包含低 R~DSON 系列~N 沟道 MOSFET 可在 1 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,开关电流高达 3
2025-05-12 15:38:06
621 
TPS22969 是一个小的、超低的 R ~上~ 、单通道负载 开关与受控打开。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 输入电压范围为 0.8 V 至 5.5 V,可支持 6 A 的最大连续电流。
2025-05-12 14:19:03
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TPS22962 是一个小型、超低的 R ~上~ 、单通道负载 开关与受控打开。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 输入电压范围为 0.8 V 至 5.5 V,支持最大 10 A 的连续电流。
2025-05-12 13:53:51
706 
TPS22959 是一个小的、超低的 R ~上~ 、单通道负载 开关与受控打开。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 输入电压范围为 0.8 V 至 5.5 V,支持最大 15 A 的连续电流。
2025-05-12 13:49:10
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TPS22914/15 是一个小而低的 R ~上~ ,具有受控转换速率的单通道负载开关。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 1.05 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,并支持 2 A 的最大连续电流。该开关由开和关输入控制,该输入能够直接与低压控制信号连接。
2025-05-12 11:32:27
567 
TPS22914/15 是一个小而低的 R ~上~ ,具有受控转换速率的单通道负载开关。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 1.05 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,并支持 2 A 的最大连续电流。该开关由开和关输入控制,该输入能够直接与低压控制信号连接。
2025-05-12 10:33:02
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一个 N 沟道 MOSFET,可在 0.6 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,并支持
10 A 的最大连续电流。宽输入电压范围和高电流能力使这些器件可用于多种设计和终端设备。3.9mΩ 导通电阻可最大限度地减少负载开关两端的压降和负载开关的功率损耗。
2025-05-10 10:42:12
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TPS22971 是一款节省空间的单通道负载开关,具有受控和可调的导通转换速率以及集成的电源良好指示器。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 0.65 V 至 3.6 V 的低输入电压范围内
2025-05-10 09:40:59
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TPS22970 是一款节省空间的小型负载开关,具有受控导通功能,可减少浪涌电流。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 0.65 V 至 3.6 V 的输入电压范围内工作,脉冲开关电流高达
2025-05-10 09:34:50
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TPS22919 器件是一款小型单通道负载开关,具有受控的转换速率。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 1.6 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,并支持 1.5 A 的最大连续电流。
2025-05-09 14:37:11
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TPS22998 是一款单通道负载开关,可提供可配置的上升时间,以最大限度地减少浪涌电流。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 0.2 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,并支持 10 A 的最大连续电流。
2025-05-08 14:25:49
704 
TPS22995是一款单通道负载开关,集成了N-channel MOSFET,具有低导通电阻(18 mΩ)和可配置的上升时间,用于限制启动时的涌入电流。该开关适用于笔记本电脑、平板电脑、工业PC及离散工业解决方案等应用。
2025-05-07 17:52:38
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TPS22991 是一款小型、低 RON 、单通道负载开关,具有受控的转换速率。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 1.0V 至 5.5V 的输入电压范围内工作,并支持 3A 的最大连续电流。该开关由开和关输入控制,该输入能够直接与低压控制信号连接。
2025-05-06 17:19:44
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0 引言SiC-MOSFET 开关模块(简称“SiC 模块”)由于其高开关速度、高耐压、低损耗的特点特别适合于高频、大功率的应用场合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 开关速度更快
2025-04-23 11:25:54
为什么adc芯片不写输入时钟范围,实际使用中应该怎么给?什么时候与处理器同源?
2025-04-15 06:10:05
做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百
2025-03-25 13:43:17
)与电源转换技术来提高电源转换效率之外,新式功率器件在高效能转换器中所扮演的重要角色,亦不容忽视。其中,Power MOSFET 目前已广泛应用于各种电源转换器中。本文将简述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
英飞凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬电距离 采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:32
1135 DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内,必须在低栅极电荷
2025-03-08 10:27:46
就可以减少由于漏极与源极之间的电容导致的开关损益。这就是所谓的ZVS .4) 当输出负载减少或者输入电压增大的时候, MOSFET 的Ton会减少并且开关频率增加。这就会导致严重的开关损失以及间歇性开关和噪音问题。 相关图形请参看以下:
2025-03-07 15:25:45
碳化硅(SiC)MOSFET全面取代超结(SJ)MOSFET的趋势分析及2025年对电源行业的影响 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然性 性能优势显著 高频高效 :SiC
2025-03-02 11:57:01
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随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口超结MOSFET,不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET,电源客户从超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析。
2025-03-01 08:53:44
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DLPC6401什么时候可以只用Nand Flash或者EEPROM单独对DLP进行配置?
2025-02-28 07:47:59
V0*Np/Ns开始共振。当Vds达到最小值时,准谐振开关开启MOSFET。这样就可以减少由于漏极与源极之间的电容导致的开关损益。这就是所谓的ZVS .4) 当输出负载减少或者输入电压增大的时候
2025-02-26 16:40:48
本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET开关损耗
1 开通
2025-02-26 14:41:53
负载供电》,将讨论使用高侧开关控制器解决驱动容性负载挑战的各种方法。 引言 车辆架构从域向区域的转变显著改变了汽车的配电方式,基于半导体开关的解决方案(请参阅图 1)正在取代传统的熔断型保险丝用于线束保护。这些解决方案具有诸多优
2025-02-22 13:46:21
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2025-02-11 14:21:04
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2025-02-09 11:59:25
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2025-02-09 11:38:10
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2025-02-08 14:24:41
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当CLKSEL置1时,如何采集数据?意思是怎么知道什么时候是最高位?什么时候是最低位?
2025-02-06 06:51:18
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:43
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BASiC国产SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模块介绍
2025-01-16 14:32:04
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请问一下大家:
1、ADS1115的Config Register 在什么时候配置比较好,因为我需要采集双通道AD
2、写入的时候是不是要先写ADDR,然后Pointer Reg指向Config
2025-01-10 10:30:38
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