TPS22964C 具有输出放电的 5.5V、3A、14mΩ 负载开关数据手册-电子发烧友网

TPS22963/64 是一款小型、超低的 R上负载开关受控打开。该设备包含低 R~~DSON 系列~~N 沟道 MOSFET 可在 1 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作，开关电流高达 3 A。一集成电荷泵偏置 NMOS 开关，以实现低开关导通电阻。这开关由 ON/OFF 输入（ON）控制，该输入（ON）能够直接与低压 GPIO 控制信号。TPS22963/64 器件的上升时间由内部控制以避免浪涌电流。
*附件：tps22964c.pdf

TPS22963/64 提供反向电流保护。当电源开关被禁用时，该设备不允许电流流向开关的输入侧。相反电流保护功能仅在设备被禁用时激活，以便允许某些应用的有意反向电流（当开关启用时）。

TPS22963/64 采用小型、节省空间的 6 引脚 WCSP 封装，并且额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C 的自由空气温度。

特性

集成 N 沟道负载开关
输入电压范围：1 V 至 5.5 V
内部 Pass-FET R ~~DSON 系列~~ = 8 mΩ（典型值）
超低导通电阻
- R上V 时 = 13 mΩ（典型值）在 = 5 伏
- R上V 时 = 14 mΩ（典型值）在 = 3.3 伏
- R上V 时 = 18 mΩ（典型值）在 = 1.8 伏
3A 最大连续开关电流
反向电流保护（禁用时）
低关断电流（760 nA）
低阈值 1.3V GPIO 控制输入
受控转换速率以避免浪涌电流
快速输出放电（仅限 TPS22964）
六端子晶圆芯片级封装（所示标称尺寸 - 有关详细信息，请参阅附录）
- 0.9 mm x 1.4 mm，0.5 mm 间距，0.5 mm 高（YZP）
ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
- 2 kV 人体模型（A114-B，II 类）
- 500V 充电器件模型（C101）

参数

1. 产品概述

TPS22964C是一款超低压导通电阻（R ON）负载开关，集成了N通道MOSFET，专为便携式消费类设备设计，如智能手机、平板电脑等。该器件支持高达3A的开关电流，并具有反向电流保护和受控开启特性。

2. 主要特性

‌超低R ON‌：在V IN=5V时，典型R ON为13mΩ；在V IN=3.3V时为14mΩ；在V IN=1.8V时为18mΩ。
‌反向电流保护‌：当开关禁用时，防止电流从输出流向输入。
‌受控上升时间‌：避免开启时的浪涌电流。
‌低关断电流‌：典型值为760nA。
‌低阈值GPIO控制输入‌：兼容1.2V至5.5V的GPIO信号。
‌快速输出放电‌：当开关禁用时，通过273Ω电阻将输出放电至地，防止输出悬浮。
‌小型封装‌：采用6引脚WCSP封装，尺寸为0.9mm x 1.4mm，高度为0.5mm。

3. 功能描述

‌开关控制‌：通过ON引脚控制开关状态，高电平使能开关。
‌快速输出放电‌：特有功能，通过内部电阻快速将输出放电至地，避免输出悬浮。
‌反向电流保护‌：当开关禁用且V IN或V OUT大于1V时，有效防止反向电流。

4. 应用领域

智能手机
笔记本电脑和超极本
平板电脑
固态硬盘（SSD）
数字电视/IP机顶盒
POS终端和媒体网关

5. 电气特性

‌绝对最大额定值‌：
- 输入电压范围：-0.3V至6V
- 输出电压范围：-0.3V至6V
- ON引脚电压范围：-0.3V至6V
- 最大连续开关电流：3A
‌推荐操作条件‌：
- 输入电压范围：1V至5.5V
- 输出电压范围：0V至5.5V
‌热特性‌：
- 最大结温：125°C
- 热阻（RθJA）：132°C/W