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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
作为高可靠性芯片连接技术,银烧结技术得到了功率模块厂商的广泛重视,一些功率半导体头部公司相继推出类似技术,已在功率模块的封装中取得了应用。
该模块由塑料外壳封装起来,底部为导热钣金,导热钣金贴在散热器上,用四个螺丝固定。Pin脚焊在陶瓷衬板上。
我们就从常见的开关说起,这边给他接一个电源,右边接一个负载,然后不停的开关这个开关,那么这个负载上的电压波形就是这么一个pwm波。那这个电路看上去很简单...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作为一种新型功率半导体器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性...
由于VFD /逆变器是提供电源的关键组件,因此它们的操作,性能和可靠性对于保持不间断电源至关重要。本应用笔记重点关注即使在不利条件下也可帮助确保VFD的...
在所有工业控制系统中,变频驱动器(VFD)/逆变器通常安装在电动机的前端,以调节速度并节省能源。
IGBT模块是由不同的材料层构成,如金属,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模块内部用来改善器件相关热性能的硅胶。
电驱系统工作:在驾驶新能源汽车时,电机控制器把动力电池放出的直流电(DC)变为交流电(AC)(这个过程即逆变),让驱动电机工作,电机将电能转换成机械能,...
随着世界各地的电力消耗持续增长,高电压技术领域的创新让设计工程师能够开发出更高效的解决方案,使电气化和可再生能源技术更易于使用。
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新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7,TO-247封装分立器件,旨在满足光伏、不...
变频器电源主要用于交流电机的变频调速,其在电气传动系统中占据的地位日趋重要,已获得巨大的节能效果。变频器电源主电路均采用交流-直流-交流方案。工频电源通...
封装结构的创新使得双面散热(double-sided cooling, DSC)功率模块比传统单面散热(single-sided cooling, SS...
2023年2月26日上午,上海林众电子科技有限公司智能质造中心项目基地开工仪式隆重举行。林众电子本次建设的智能质造中心项目位于上海市松江区,土建投资3....
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新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7,TO-247封装分立器件,可快速、方便地替换...
超声波焊接电源系统发生器采用新型的复合频率跟踪策略,实现逆变输出功率因数接近为1,以IGBT功率器件构成的全桥移相功率控制方式,超声波焊接电源系统发生器...
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