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国内首颗，精准纠错！德明利TWSC2985系列：支持4K LDPC技术的存储芯片

TWSC 2985 系列SD6.0存储芯片国内首颗支持4K LDPC纠错技术增强纠错、耐久可靠、性能升级随着移动计算和AI技术对数据存储需求的增加，德明利凭借在闪存技术及模组自主研发领域的深厚积淀，...

2024-04-26 标签：LDPC SD存储 204

兆易创新今年Q1净利超2023全年，NOR Flash出货量已超212亿颗

电子发烧友网报道（文/刘静）近日，知名存储芯片厂商兆易创新发布《2023年年度报告》以及《2024年第一季度报告》。存储芯片行业在经历一段时间的市场波动后，目前正处于一个关键时期。多...

2024-04-25 标签：存储芯片 NOR flash 兆易创新 1638

AI时代的存储墙，哪种存算方案才能打破？

回顾计算行业几十年的历史，芯片算力提升在几年前，还在遵循摩尔定律。可随着如今摩尔定律显著放缓，算力发展已经陷入瓶颈。而且祸不单行，陷入同样困境的还有存储。从新标准推进的角...

2024-04-21 标签：存储 sram AI HBM AI HBM sram 存储存内计算存算一体 2240

基于FPGA的内存128M flash芯片控制器设计方案

这款flash芯片的的存储是一个扇区4KB，一个扇区可以存256个字，一个字是8位，一个块是64KB，一共有256个块组成一个存储flash内存。...

2024-04-19 标签：FPGA FlaSh 内存状态寄存器芯片控制器 279

三星/SK海力士DRAM大幅扩产，恢复至削减前水平，存储新周期开启

电子发烧友网报道（文/吴子鹏）根据市场调研机构Omdia的研究报告，随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。 Omdia在报告中...

2024-04-12 标签：DRAM 存储 SK海力士三星 1965

江波龙：收购Lexar（雷克沙）后美国长达7年的合规义务要求已全面终止

江波龙：收购Lexar（雷克沙）后美国长达7年的合规义务要求已全面终止近日，我国著名存储厂商江波龙欣然宣布，于4月24日顺利接收到来自美国司法部门的正式通知文件（即“终止函”）。这...

2024-04-26 标签：存储江波龙存储江波龙雷克沙 83

JesFS Flash文件系统：高效管理小型控制器大数据存储新方案

CC13xx/26xx系列处理器的Launchpad开发平台物美价廉，配备TI的CCSTUDIO[3]IDE，可以进行源代码调试。CC13xx/26xx开发平台配备了一片1MB的串行Flash存储器，大小只有2mmx3mm!...

2024-04-26 标签：控制器 FlaSh 数据存储文件系统 36

余震恰逢原厂缺货期，固态硬盘或迎新一轮涨价

今日凌晨，中国台湾东部的花莲县连续发生地震，最高强度为6.3级，震源深度10公里，据中国地震台网分析，本次地震均为4月3日台湾花莲县海域发生的7.3级地震的余震。中国台湾地区在全球半...

2024-04-23 标签：存储固态硬盘 890

RDMA在高速网络中的应用及其实现策略

在大型模型应用领域，要获得最佳性能，关键在于精密配置，特别是当GPU与InfiniBand网卡协同工作时。这里参考了合作伙伴NVIDIA推出的DGX系统，它倡导了一种GPU与InfiniBand网卡一对一配对的设计理...

2024-04-22 标签：cpu gpu 适配器 RDMA cpu gpu RDMA 计算机网络适配器 72

什么是相变存储器？如何表征相变材料及器件电学性能？

相变存储器（Phase-Change Random Access Memory，简称 PCRAM 或者PCM），是一种非易失性存储器，利用电能(热量)使相变材料在晶态(低阻)与非晶态(高阻)之间的相互转换来实现信息的存储和擦除，通过测...

2024-04-27 标签：存储器非易失性存储器 5

DDR SDRAM 和SDRAM的主要差异

DDR内存通过在时钟周期的上升沿和下降沿都传输数据，从而实现双倍数据率。这意味着在每个时钟周期内，DDR内存能够传输两次数据，提高了数据传输效率。...

2024-04-27 标签：DRAM SDRAM 存储器 DDR 内存 3

企业存储设备资源划分之存储基础实验探究

1.web访问存储管理页面 2.创建硬盘域根据业务需求调整硬盘域 3.在硬盘域之上创建存储池，分别创建一个文件及存储StoragePool002和块级存储StoragePool001...

2024-04-19 标签：Web 文件系统 Web 块存储文件系统 58

东芝日本裁员情况：计划裁员约5000人

据日本媒体报道，东芝计划在日本本土裁员约5000人，这一数字占其日本员工总数的近十分之一。...

2024-04-18 标签：东芝半导体器件东芝半导体器件机械硬盘 376

康盈半导体：嵌入式存储进阶，加速AI落地智能穿戴

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）近日，TechInsights可穿戴设备研究服务指出，预计2024年，全球智能手表的销量将达到9100万台，同比增长5%；2025年增长率将进一步上升至近8%，到2026年将保持在7%以...

2024-04-18 标签：可穿戴设备可穿戴设备嵌入式存储 741

铠侠公司重启上市计划

作为半导体存储器行业的佼佼者，铠侠始终站在市场和技术的前沿。在人工智能技术的持续渗透下，半导体存储器的需求呈现出稳健的增长态势。...

2024-04-17 标签：人工智能 Nand flash 铠侠 Nand flash 东芝存储器人工智能半导体存储器铠侠 329

3D DRAM进入量产倒计时，3D DRAM开发路线图

目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行3D DRAM的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。...

2024-04-17 标签：处理器 DRAM 三星电子晶体管 3D DRAM DRAM 三星电子三星电子处理器晶体管 119

存储技术革新之战闪存与内存巨头竞相突破

三星在DRAM芯片工艺方面也取得了令人瞩目的突破。他们的DRAM芯片工艺已达到1b nm级别，并计划在今年内启动1c nm DRAM的量产工作。...

2024-04-16 标签：闪存 DRAM SK海力士三星 DRAM NAND闪存 SK海力士三星闪存 392

美光发布新一代LPDDR5X内存，功耗降低4%

美光强调，这款新型内存不仅延续了为AI密集型应用提供稳定高带宽的传统优势，更在能效方面实现了显著突破。...

2024-04-15 标签：内存 AI SK海力士 AI LPDDR5 SK海力士内存美光科技 391

消息称三星Q2供应超微HBM3E 下半年启动大规模量产

HBM，即高带宽内存，以其独特的“楼房设计”概念，打破了传统DDR内存的设计局限，凭借出色的性能在市场中赢得了广泛认可。...

2024-04-15 标签：DDR内存 HBM 三星 HBM3E 603

四种不同类型的存储器介绍

ROM、RAM、DRAM和SRAM都是计算机存储技术的术语，它们代表了不同类型的存储器，各自有不同的特性和用途...

2024-04-15 标签：DRAM ROM sram RAM 随机存取存储器 112

三星电子即将开启290层V9 NAND芯片量产

市场研究机构Omdia的最新预测显示，尽管NAND闪存市场在2023年经历了下滑，但预计今年将迎来强劲反弹，增长率高达38.1%。...

2024-04-12 标签：NAND 三星电子存储芯片 SK海力士 NAND SK海力士三星电子三星电子存储芯片闪存技术 521

西部数据硬盘全线提价，AI需求激增与供应链紧张成涨价双引擎

西部数据高级副总裁Scott Davis在函件中明确指出，由于市场对HDD机械硬盘和SSD固态硬盘的需求远超预期，导致产品供应出现严重短缺。...

2024-04-11 标签：SSD AI 固态硬盘西部数据 HDD 417

三星与SK海力士加速移动内存堆叠技术量产

随着人工智能在智能手机、笔记本等移动设备上的广泛应用，端侧AI已经成为行业热议的焦点。为了支持端侧运行模型的高效运行，移动DRAM的性能要求也在不断提升。...

2024-04-10 标签：DRAM 人工智能 HBM 三星 DRAM FOWLP HBM 三星人工智能 382

美光科技拟上调产品报价，涨幅预计突破20%

就在几天前的4月3日，台湾花莲县海域遭受了一场7.3级的强烈地震，并伴随着多次余震，给当地带来了严重的破坏。...

2024-04-10 标签：闪存 DRAM NAND DRAM NAND 半导体行业闪存 431

存储市场再遇供应短缺困境，SSD价格强势上涨引关注

在消费级SSD市场，价格也呈现上涨趋势，批发价较前一季度上涨了约10%至12%。尽管面对涨价要求，大多数买家表示接受，但也有人对此提出了警告。...

2024-04-09 标签：SSD 固态硬盘 Nand flash 三星 Nand flash SSD 三星固态硬盘存储设备 454

关于同步FIFO和异步FIFO的基础知识总结

FIFO是一种先进先出数据缓存器，它与普通存储器的区别是没有外部读写地址线，使用起来非常简单，缺点是只能顺序读写，而不能随机读写。...

2024-04-09 标签：数据传输 EDA工具二进制计数器 FIFO存储 569

存算一体架构的优势及分类

存内计算同样是将计算和存储合二为一的技术。它有两种主要思路。第一种思路是通过电路革新，让存储器本身就具有计算能力。...

2024-04-09 标签：芯片 DRAM 逻辑电路存储器存算一体 199

先进工艺下的SRAM功耗和性能挑战

随着AI设计对内部存储器访问的要求越来越高，SRAM在工艺节点迁移中进一步增加功耗已成为一个的问题。...

2024-04-09 标签：CMOS DRAM sram 数据中心人工智能 111

如何打造超越英伟达性能的GPU

PHY 是一种物理网络传输设备，它将交换芯片、网络接口或计算引擎上或内部的任何数量的其他类型的接口链接到物理介质（铜线、光纤、无线电信号），而物理介质又连接它们相互之间或网络...

2024-04-08 标签：DRAM gpu 内存网络传输英伟达 502

如何打破内存限制融合HBM与DDR5创新

正如我们在最初涉足Celestial的产品战略时所讨论的那样，该公司的零件分为三大类：小芯片、中介层和英特尔EMIB或台积电CoWoS的光学旋转，称为OMIB。...

2024-04-08 标签：芯片交换机 HBM DDR5 122

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