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存储技术

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企业级QLC SSD普及元年,这家国产公司用前瞻性技术布局引领市场

企业级QLC SSD普及元年,这家国产公司用前瞻性技术布局引领市场

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)2016年,QLC SSD问世。最初几年,由于QLC闪存颗粒的耐用性和速度问题,QLC SSD饱受质疑,产品商业化落地遇到了非常大的阻力。截至目前,TLC SSD依然是市场主流。...

2024-07-26 标签:qlcSSD英韧科技 930

智算中心加速布局,上游计算、存储、互联都涉及哪些芯片技术

电子发烧友网报道(文/李弯弯)智算中心是承载人工智能计算需求的基础设施,专门用于处理AI算法和模型所需的大量计算任务。与传统的数据中心和超算中心不同,智算中心更侧重于AI算力的...

2024-07-24 标签:存储计算存储智算中心计算 1760

HBM格局生变!传三星HBM3量产供货英伟达,国内厂商积极布局

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据韩媒sedaily 的最新报道,三星华城17号产线已开始量产并向英伟达供应HBM3内存。同时,美光已经为英伟达供应HBM3E。至此,高端HBM内存的供应由SK海力士一家...

2024-07-23 标签:三星HBMHBM3三星英伟达 2095

单颗256GB,单一封装达4TB容量,铠侠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC开始送样

单颗256GB,单一封装达4TB容量,铠侠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC开始送样

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)日前,铠侠宣布,其采用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的2Tb四级单元 (QLC) 存储器已开始送样。这款2Tb QLC存储器拥有业界最大容量,将存储器容量提升到一个全新的...

2024-07-17 标签:存储器存储器铠侠闪存 2657

三星HBM3已经通过英伟达的适用性测试

去年,三星便积极向英伟达递送了HBM3样品,旨在融入其H100等多款计算卡的供应链体系中,并预计于2024年争取到英伟达HBM3订单中高达30%的份额。然而,这一进程因长时间未能顺利通过英伟达的...

2024-07-26 标签:英伟达三星HBM3 104

DRAM芯片的基本结构

DRAM芯片的基本结构

如果内存是一个巨大的矩阵,那么DRAM芯片就是这个矩阵的实体化。如下图所示,一个DRAM芯片包含了8个array,每个array拥有1024行和256列的存储单元。...

2024-07-26 标签:DRAM芯片存储单元解码器 176

DRAM的内部结构和工作原理

DRAM的内部结构和工作原理

今天我们来聊聊在计算机领域中非常关键的技术——DRAM(动态随机存取存储器)的内部结构和工作原理。...

2024-07-26 标签:DRAM存储器DRAM存储器计算机 207

MK米客方德TF卡:高速存储与低功耗设计的最佳选择

MK米客方德TF卡:高速存储与低功耗设计的最佳选择

在追求性能的同时,MK TF卡同样注重环保和节能。通过优化的电路设计和智能电源管理,在保证性能的前提下,实现了更低的功耗。在某些应用场景,如录音笔、穿戴医疗、电子玩具等非常注重...

2024-07-26 标签:低功耗microSDTF卡低功耗高速存储 136

SK海力士Q2业绩创新高,AI存储芯片销售强劲

全球领先的存储芯片制造商之一,韩国SK海力士公司,近日宣布了其第二季度业绩的显著增长,成功实现扭亏为盈,并创下近六年来的新高。这一亮眼表现主要得益于高端人工智能(AI)存储芯...

2024-07-25 标签:人工智能存储芯片SK海力士 351

苹果将在iPhone中运用QLC NAND闪存技术

据集邦咨询于2021年7月25日公布的新近研究报告显示,据悉,苹果正积极考虑在其未来的iPhone产品线中导入一项名为QLC NAND闪存技术的革新性媒介。而这项技术的实际投入使用,预计最早可在20...

2024-07-25 标签:苹果NAND闪存qlciPhoneNAND闪存qlc苹果 207

AI存储器的需求推动SK海力士第二季度财报盈利增长

近期,全球知名的电子科技巨头SK海力士正式公布了其截止至2024年6月30日的2024财年第二季度的财务报表。这份报表以无可挑剔的成绩展示了公司在这一季度中获得了卓越的经营成果,合并收入...

2024-07-25 标签:人工智能SK海力士SK海力士人工智能存储嚣 312

在医疗行业中,SD NAND产品如何满足特定的存储需求?

在医疗行业中,SD NAND产品如何满足特定的存储需求?

MK米客方德的SD NAND产品以其高可靠性、高性能和客制化服务,为医疗行业提供了理想的存储解决方案。随着医疗技术的发展和对数据存储要求的提高,MK米客方德SD NAND将继续在医疗领域发挥重要...

2024-07-24 标签:单片机mcumcu医疗设备单片机单片机 160

TrendForce预测2025年DRAM与NAND闪存产业营收将创历史新高

根据市场调研公司TrendForce最新公布的一份深入详尽的研究报告,得益于对位元需求持续攀升,市场供求状况得到显著改善从而带动产品价格稳步上升,再加上高带宽内存(HBM)等具有极高附加...

2024-07-24 标签:DRAMNAND闪存HBM 235

9月27日,第三届GMIF2024创新峰会邀您相约深圳!

9月27日,第三届GMIF2024创新峰会邀您相约深圳!

存储行业近两年经历了供需失衡、价格大幅滑坡的低谷后,随着上游原厂减产提价与消费电子市场逐步复苏,行业景气度正在回升,背后也隐藏着AI应用带动的产业新趋势。根据Gartner预测,到...

2024-07-24 标签: 92

预计2025年存储器产业营收将创新高

在全球科技产业的快速发展浪潮中,存储器产业正迎来前所未有的繁荣期。据知名研究机构TrendForce集邦咨询最新发布的存储器产业分析报告显示,受多重利好因素共同驱动,该产业未来几年内...

2024-07-23 标签:NAND存储器HBM 293

超盈智能科技引领存储新纪元,天河玄女KM3000固态硬盘震撼发布

深耕存储领域十三载的超盈智能科技,携其旗下品牌KEYMOS科摩思,再次在DIY装机市场投下震撼弹。继旗舰级固态赤霄白帝KM7000之后,科摩思迅速响应市场需求,推出专为DIY主流用户量身打造的固...

2024-07-22 标签:固态硬盘固态硬盘硬盘 238

美光推出全新MRDIMM内存,引领数据中心内存新纪元

在科技日新月异的今天,数据中心作为支撑云计算、大数据、人工智能等前沿技术的基础设施,其性能与效率的提升成为了行业关注的焦点。面对日益复杂和庞大的工作负载,尤其是虚拟化多租...

2024-07-22 标签:DRAM数据中心DRAM数据中心美光科技 227

三星2024年底量产256GB CXL 2.0内存模块

在半导体存储技术的创新浪潮中,三星电子再次走在行业前列,为市场带来了令人瞩目的新进展。据韩国权威媒体报道,三星电子内存部门新业务规划团队的核心人物——Choi Jang Seok,于近日宣...

2024-07-22 标签:半导体三星三星半导体存储技术 309

国产替代浪潮涌,新质生产力助降本增效:2024EeIE智博会圆满收官

随着科技的飞速发展,智能装备产业正以前所未有的速度引领着制造业的转型升级。2024年7月18日至20日,备受瞩目的2024EeIE智博会在深圳国际会展中心(宝安)圆满落下帷幕。这场为期三天的盛...

2024-07-22 标签:EeIE智博会 74

忆联SSD存储解决方案亮相2024中国国际金融展

忆联SSD存储解决方案亮相2024中国国际金融展

7月19日,为期三天的2024中国国际金融展(简称:金融展)在北京国家会议中心开幕。作为国内领先的存储解决方案提供商,忆联携其最新一代PCIe Gen5企业级SSD及全场景解决方案亮相,并将以“...

2024-07-22 标签:存储SSDAI 354

美光科技推出多路复用双列直插式内存模块(MRDIMM)

全球领先的半导体存储解决方案提供商美光科技(纳斯达克股票代码:MU)近日宣布成功推出其首款多路复用双列直插式内存模块(MRDIMM),这一创新产品旨在助力客户应对日益复杂的工作负载...

2024-07-19 标签:美光科技内存模块美光科技 227

NAS设备铁威马F4-424是如何从市场中脱颖而出的

在当今数字化时代,个人与家庭对数据存储与安全的重视日益增长,网络附加存储(NAS)设备凭借其便捷高效的特点,逐渐成为家庭数据管理的首选方案。然而,面对市场上纷繁复杂的NAS产品,...

2024-07-18 标签:硬件数据存储NAS数字化数据存储硬件 458

三星积极研发LLW DRAM内存,剑指苹果下一代XR设备市场

近日,韩媒ZDNet Korea报道,三星电子正全力投入到低延迟宽I/O(LLW DRAM)内存的研发中,旨在为未来苹果Vision Pro之后的下一代头戴式显示器(XR设备)订单做好充分准备。这一举措标志着三星在...

2024-07-18 标签:三星电子XR三星电子三星电子内存智能设备 354

FPGA如何估算分析功耗

FPGA如何估算分析功耗

FPGA的功耗由4部分组成:上电功耗、配置功耗、静态功耗和动态功耗。一般的FPGA都具有这4种功耗,但是Actel Flash FPGA由于掉电数据不丢失,无需配置芯片,所以上电后不需要一个很大的启动电流...

2024-07-18 标签:FPGAsram晶体管FPGAsram晶体管静态功耗 749

三星电子存储芯片价格大幅上调,中国市场面临挑战与机遇

近日,三星电子宣布了一项重大市场决策,计划在第三季度对其DRAM和NAND闪存存储芯片进行15%-20%的价格调整。这一举措背后,是人工智能领域对高性能存储芯片需求的急剧攀升,预示着存储芯片...

2024-07-18 标签:NAND三星电子存储芯片 354

SK海力士携手台积电,N5工艺打造高性能HBM4内存

在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK海力士在高性能存储解决方案领域的持续...

2024-07-18 标签:半导体台积电内存SK海力士HBM 355

三星HBM3e获英伟达认证,加速DRAM产能转型

近日,三星电子在半导体领域再传捷报,其高频宽内存(HBM)产品HBM3e已成功通过全球图形处理与AI计算巨头英伟达(NVIDIA)的严格认证,标志着该产品即将进入规模化生产阶段,预计在本季度...

2024-07-18 标签:DRAM三星电子英伟达 375

三星电子公布2024年异构集成路线图,LP Wide I/O移动内存即将面世

三星电子公布2024年异构集成路线图,LP Wide I/O移动内存即将面世

7月17日,三星电子公布了其雄心勃勃的2024年异构集成路线图,其中一项关键研发成果引发了业界广泛关注——一款名为LP Wide I/O的创新型移动内存即将面世。这款内存不仅预示着存储技术的又一...

2024-07-17 标签:三星电子内存三星电子三星电子内存移动内存 411

三星HBM3E批量出货在即,DDR5市场或迎供应紧张与价格上涨

在半导体存储领域,三星电子的每一次技术突破与产能调整都牵动着市场的神经。近期,业内传出消息,三星电子的HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)存储器即将完成批量出货验证,这一消息不仅标志...

2024-07-17 标签:半导体存储器DDR5三星 356

SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术

在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次站在了行业创新的前沿。据最新消息,该公司计划于2026年在其高性能内存(High Bandwidth Memory, HBM)的生产过程中引入混合键合技术,这一举措不仅标...

2024-07-17 标签:半导体SK海力士HBM 477

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