模拟技术
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SiC MOSFET模块的损耗计算
为了安全使用SiC模块，需要计算工作条件下的功率损耗和结温，并在额定值范围内使用。MOSFET损耗计算与IGBT既有相似之处，也有不同。相对IGBT，MOSFET可以反向导通，即工作在同步整流模式。本...
2025-06-18 410
LHE7909与ADS1299两款模数转换器(ADC)在脑电图实验中的对比测试
本文比较了两种模数转换器(ADC)—ADS1299和LHE7909—在EEG应用中的性能，其中ADS1299已在多项研究中被证明是可靠的。两种芯片在捕获高质量EEG信号方面都表现出可靠性，测量的振幅误差低于2%。...
2025-06-18 441
安森美（onsemi）Treo平台验证了高性能与高精度 Treo平台卓越的模拟性能
安森美的Treo平台凭借其先进的65nm BCD技术，代表了这一领域的重大飞跃，与传统的模拟和混合信号解决方案相比具有显著优势。设计人员必须平衡几个关键因素，包括性能、功耗和尺寸，统称为...
2025-06-17 576
全网首发，Multisim实现Σ-Δ型ADC原理仿真
Σ-Δ型ADC是当今信号采集和处理系统设计人员的工具箱中必不可少的基本器件。 今天看海给大家简单分享下Multisim实现Σ-Δ型ADC的仿真结果，下图是Σ-Δ的基本框图，输入的信号input与反馈信号...
2025-06-17 504
安森美SiC Combo JFET技术概览和产品介绍
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFE...
2025-06-13 515
使用示波器的自定义滤波器功能助力电源纹波测试
经常使用示波器测试的工程师都知道，示波器一般是具备带宽限制功能，即低通滤波设置，可以将一台大带宽示波器变为小带宽，减小宽带噪声影响，用以测试评估低频信号情况。...
2025-06-19 5
Altera FPGA与高速ADS4249和DAC3482的LVDS接口设计
引言： 本文以TI的ADS4249（ADC）和DAC3482（DAC）之间的接口为例，介绍Altera FPGA与ADC/DAC之间的DDR LVDS接口设计以及时序约束详细设计。本文介绍的实例可方便扩展到具有类似接口格式的其他高速数...
2025-06-19 133
ADS129x设备如何将ADC输出代码转换为电压
要将输出代码转换为电压，必须首先计算最低有效位或LSB的值。一个LSB代表一个代码的电压权重。换句话说，输入电压必须改变一个LSB大小，以增加/减少ADC输出。...
2025-06-18 189
TI的ADS129x器件SPI 时钟极性CPOL和时钟相位 CPHA的正确设置模式
TI的ADS129x器件SPI 时钟极性CPOL和时钟相位 CPHA的正确设置模式...
2025-06-18 162
TI ADS1299适用于生物电势测量的低噪声、8 通道、24 位模数转换器的应用手册 参
TI的 ADS1299适用于生物电势测量的低噪声、8 通道、24 位模数转换器的应用手册、参数特性、 EDA模型与数据手册。...
2025-06-18 159
方正微1200V Easy2B碳化硅模块在135kW PCS中的应用
随着全球能源需求不断上升，我国“双碳”战略的逐步推进和新能源行业的快速发展，近年来光伏储能充电系统(PCS-Photovoltaic Storage Charging)得到了高速发展，其中100~250kW功率段工商业光储预计在...
2025-06-17 410
中微爱芯低功耗运放产品线介绍
从便携/可穿戴设备，到智能家居，再到智慧城市，工业4.0等，低功耗运放在微弱信号放大，传感器接口及电源管理任务中确保设备在超长待机下稳定运行，小电流发挥大能量。...
2025-06-17 249
ST M41T66Q6F 低功耗串行实时时钟（RTC）内置32.768 kHz振荡器参数特性 EDA模型与数据
ST M41T66Q6F 低功耗串行实时时钟（RTC）内置32.768 kHz振荡器参数特性 EDA模型与数据手册...
2025-06-16 225
安森美SiC Combo JFET的静态特性和动态特性
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFE...
2025-06-16 440
ADI高精度通用运算放大器ADA4510-2介绍
运算放大器在电子电路中无处不在。然而，由于所需的运算放大器规格因不同应用程序而异，因此很难重复使用。另一方面，近年来，越来越多的公司在努力实现元器件标准化，以降低成本、优...
2025-06-16 368
丹佛斯DCM1000功率模块的封装技术演进
丹佛斯（Danfoss）的DCM（Direct Cooled Module直接冷却模块）是业内首创的一款针对于车规级功率模块的封装设计，其核心创新在于直接水冷散热设计，通过取消传统基板，将功率单元直接焊接在散热...
2025-06-14 916
意法半导体零漂移5V运算放大器TSZ12 TSZ15 TSZ18：提升精度与稳定性，降低电流消
具有卓越性能与节能表现的高精度运算放大器 如今传感器无处不在，我们几乎需要对包括重量、紫外线、温度、速度、电流等在内的所有参数进行持续不断的测量。尽管我们生活在一个越...
2025-06-13 302
类比半导体推出支持-0.3V-40V共模的车规级双向通用电流检测放大器
类比半导体（AnalogySemi）推出支持高侧或者低侧通用电流检测放大器，其通常用于优化系统精密电流测量或者电流环路控制电路。该系列产品供电电压范围2.7V-5.5V，-0.3V-40V输入共模电压范围可以...
2025-06-13 929
SiC MOSFET计算损耗的方法
本文将介绍如何根据开关波形计算使用了SiC MOSFET的开关电路中的SiC MOSFET的损耗。这是一种在线性近似的有效范围内对开关波形进行分割，并使用近似公式计算功率损耗的方法。...
2025-06-12 792
成都华微推出4通道12位高速高精度A/D转换器
成都华微电子科技股份有限公司（以下简称“成都华微”）正式发布全自主正向设计4通道12位高速高精度A/D转换器，该款产品的各项核心指标全面超越国内外产品，实现了射频直采高速ADC芯片的...
2025-06-11 476
新洁能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品
作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一，新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破，其研发团队持续创新，正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET，电压涵盖25-150V系列产品，构建全场景解决...
2025-06-11 448
功率器件电镀的原理和步骤
在功率半导体制程里，电镀扮演着举足轻重的角色，从芯片前端制程到后端封装，均离不开这一关键工序。目前，我国中高档功率器件在晶圆背面金属化方面存在技术短板，而攻克这些技术难题...
2025-06-09 859
中微爱芯AiP805X系列轨到轨高速运算放大器介绍
AiP805X系列电路是专门为视频、高速信号处理设计的轨到轨输入、输出的电压反馈运算放大器，单位增益带宽高达250MHz、转换速率为180V/us。...
2025-06-09 256
从水到电，以质量为支点，撬动氢能未来！
在能源转型与环境保护的双重驱动下，氢能作为清洁能源的优质、高效载体，正迎来前所未有的发展浪潮。2024年，氢能被列入两会政府工作报告，并在《中华人民共和国能源法》中，被明确纳...
2025-06-09 988
圣邦微电子推出车规级运算放大器SGM8433-2Q
圣邦微电子推出 SGM8433-2Q，一款低失真、支持轨到轨输入输出、拥有高增益带宽积、高压摆率和高驱动电流能力的高压双通道运算放大器。器件适用于旋转变压器初级线圈励磁信号驱动器、电机...
2025-06-06 479
上海贝岭接连斩获两项大奖
近日，国内半导体汽车电子领域迎来两场展会——第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)与2025全球车规级功率半导体峰会暨优秀供应商创新展。作为行业领先的集成电...
2025-06-06 989
高温IC设计原则解析
随着技术的飞速发展，商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路（IC）的需求持续攀升。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性，亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题...
2025-06-06 631
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