TPS22995 具有可调上升时间的 5.5V 3.5A 20mΩ 导通电阻负载开关数据手册

CT 引脚上 GND 的电容器设置转换速率，电容器越高，转换速率越高。上升时间如下所示。以下公式可用于估算不同 VIN 和 CT 电容器的上升时间：
*附件：tps22995.pdf

tR = （0.3418VIN + 0.1036） × CT + 14.064VIN + 12.255

• tR = 上升时间，单位为 μs。
• VIN = 输入电压，单位为 V。
• CT = CT 电容器，单位为 pF。

特性

• 输入工作电压范围 （VIN）：0.4 V – 5.5 V
• 偏置电源电压 （VBIAS）：1.5 V – 5.5 V
• 最大持续电流：3.8 A
• 导通电阻 （RON）：18 mΩ（典型值）
• 通过外部电容器进行可调转换速率控制
• 快速输出放电 （QOD）：100 Ω（典型值）
• 热关断
• 智能 ON 引脚下拉 （RPD，ON）：
• • ≥ VIH （ION）：25 nA（最大值）
  • ≤ VIL （RPD，ON）：500 kΩ（典型值）
• 低功耗：
  • ON 状态 （IQ）：10 uA（典型值）
  • OFF 状态 （ISD）：0.1 uA（典型值）

参数

方框图

1. 产品概述

TPS22995是一款单通道负载开关，集成了N-channel MOSFET，具有低导通电阻（18 mΩ）和可配置的上升时间，用于限制启动时的涌入电流。该开关适用于笔记本电脑、平板电脑、工业PC及离散工业解决方案等应用。

2. 关键特性

• ‌输入电压范围‌：0.4 V至5.5 V
• ‌偏置电压范围‌：1.5 V至5.5 V
• ‌最大连续电流‌：3.8 A
• ‌低导通电阻‌：18 mΩ（典型值）
• ‌可调上升时间‌：通过外部电容控制
• ‌快速输出放电‌：100 Ω（典型值）
• ‌热关断保护‌
• ‌智能ON引脚下拉‌
• ‌低功耗‌：ON状态10 μA（典型值），OFF状态0.1 μA（典型值）

3. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：6-pin WQFN，有两种尺寸选项（1.25 × 0.85 mm和1.50 × 0.75 mm）

4. 电气特性

• ‌ 导通电阻（R_ON） ‌：在不同输入电压和偏置电压下的典型值为17 mΩ至27 mΩ
• ‌ 智能下拉电阻（R_PD,ON） ‌：ON引脚电压≤V_IL时为500 kΩ（典型值）
• ‌ 快速输出放电电阻（R_QOD） ‌：25°C时为100 Ω，-40°C至125°C时为150 Ω
• ‌热关断温度‌：典型值为170°C，滞回温度为20°C

5. 开关特性

• ‌ 开启时间（t_ON） ‌：根据不同输入电压和CT电容值，范围从796 μs至2810 μs
• ‌ 上升时间（t_RISE） ‌：根据不同输入电压和CT电容值，范围从315 μs至9230 μs
• ‌ 关断时间（t_OFF） ‌：典型值为60 μs至63.6 μs

6. 功能描述

• ‌可调上升时间‌：通过连接至地的CT引脚电容来设置，有助于减少或消除因大涌入电流引起的电源压降。
• ‌快速输出放电‌：当开关关闭时，输出通过放电电阻拉至0 V，防止输出浮动。
• ‌智能ON引脚下拉‌：在电源首次应用时，使用智能下拉保持ON引脚不浮动，直到系统完成排序。
• ‌热关断‌：当设备温度达到热关断阈值时，设备自动关闭以防止热损坏。

7. 应用领域

• 笔记本电脑
• 平板电脑
• 工业PC
• 离散工业解决方案

8. 布局与电源建议

• ‌布局指南‌：建议所有走线尽可能短，输入和输出电容应靠近设备放置，以减少寄生电感的影响。
• ‌电源建议‌：输入电源应稳定且靠近设备终端，对于大瞬态电流或大负载电流步长，可能需要额外的输入电容。

9. 文档与支持

• ‌数据手册‌：提供了详细的电气特性、功能描述、应用信息和封装信息等。
• ‌支持资源‌：包括TI E2E™支持论坛，提供设计帮助和快速验证答案。