圣邦微电子推出单N沟道功率MOSFET SGMNL12330

圣邦微电子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。

SGMNL12330 是一款 30V 耐压的单 N 沟道功率 MOSFET，采用紧凑的 TDFN-2×2-6BL 封装，专为高功率密度和高效能应用而设计。该器件具有出色的电流处理能力，在 +25°C 环境下可提供高达 10A 的持续输出电流，脉冲电流能力更达到 40A，满足严苛的负载需求。其超低的导通电阻（典型值仅 9mΩ@VGS= 4.5V）显著降低了功率损耗，使系统能效得到显著提升。

该 MOSFET 在动态性能方面表现优异，总栅极电荷（QG）低至 21.1nC，结合快速的开关特性（开启延迟 10.9ns，关断延迟 28.5ns），使其非常适合高频 PWM 应用场景。器件支持宽范围的栅极驱动电压（±12V），为设计提供了更大的灵活性。在热管理方面，SGMNL12330 展现出卓越的可靠性，其工作结温范围覆盖 -55°C 至 +150°C，并具备 67.3mJ 的雪崩能量耐受能力，确保在恶劣环境下稳定运行。

SGMNL12330 特别适用于需要高效功率转换的各类应用，包括但不限于 DC/DC 转换器、电池管理系统、无线充电模块以及工业自动化设备。其小尺寸封装（仅 2mm×2mm）为空间受限的设计提供了理想解决方案，同时符合 RoHS 及无卤素环保标准。器件提供完善的保护功能，包括热关断和逐周期电流限制，为系统安全保驾护航。

图 1 SGMNL12330 封装引脚图

图 2 SGMNL12330 等效电路

关于圣邦微电子

圣邦微电子（北京）股份有限公司（股票代码 300661）作为高性能高品质综合模拟集成电路供应商，目前拥有 34 大类 5900 余款可供销售产品，为工业自动化、人工智能、光伏逆变系统、新能源汽车、网络与计算、医疗设备和消费类电子等应用提供各类模拟及混合信号调理和电源管理创新解决方案。