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TPS22998单通道负载开关技术解析与应用指南

科技观察员 2025-09-16 14:46 次阅读
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Texas Instruments TPS22998单通道负载开关具有可配置上升时间,从而可更大限度地降低浪涌电流。该器件包含一个可在0.2V至5.5V输入电压范围内运行的N沟道 MOSFET,并且支持10A的最大连续电流。

数据手册:*附件:Texas Instruments TPS22998单通道负载开关数据手册.pdf

开关可由一个打开和关闭输入 (ON) 控制,此输入可与低压控制信号 (V IH =0.9V) 直接连接。TPS22998在开关关闭时具有固定快速输出放电,将输出下拉至接地。

Texas Instruments TPS22998采用10引脚WQFN封装 (RYZ)(1.5mm × 2mm,间距为0.5mm)并可在自然通风条件下的 –40°C至+105°C温度范围运行。

特性

  • 输入工作电压范围 (V IN ):0.2V至5.5V
  • 偏置电压范围:2.2V至5.5V
  • 最大持续电流:10A
  • 导通电阻 (R on ) :4mΩ(典型值)
  • 带三态引脚的可调压摆率
  • 快速输出放电 (QOD):50Ω
  • 热关断
  • 低功耗
    • 15µA(典型值) 导通状态 (I Q )
    • 3µA(典型值) 关断状态 (I SD )

功能框图

1.png

TPS22998单通道负载开关技术解析与应用指南

一、产品概述与核心特性

TPS22998是德州仪器(TI)推出的高性能单通道负载开关,具有以下突出特性:

  • 超低导通电阻‌:仅4mΩ(典型值),显著降低功率损耗
  • 大电流能力‌:支持最大10A连续电流,峰值可达15A
  • 宽电压范围‌:输入工作电压0.2V-5.5V,偏置电压2.2V-5.5V
  • 智能控制‌:支持可调上升时间,通过CT引脚实现三种不同转换速率
  • 快速放电‌:内置50Ω快速输出放电(QOD)电阻

该器件采用1.5×2.0mm WQFN-10封装,工作温度范围-40°C至+105°C,特别适合固态硬盘、工业PC和光模块等应用场景。

二、关键参数分析

1. 电气性能亮点

  • 静态电流‌:
    • 开启状态:15μA(典型值)
    • 关闭状态:3μA(典型值)
  • 开关特性‌:
    • 开启时间:37μs至3728μs(可通过CT引脚配置)
    • 关闭时间:3μs(典型值)
  • 保护功能‌:
    • 热关断:150°C(典型值)触发,20°C滞后
    • ESD保护:±2000V HBM,±1000V CDM

2. 热性能参数

热参数数值(°C/W)
结到环境热阻84.1
结到外壳热阻77.5
结到板热阻16.6

三、引脚功能详解

  1. VBIAS(引脚1) ‌:器件偏置电源(2.2V-5.5V)
  2. VIN(引脚2-4) ‌:开关输入端,需并联多个引脚以降低阻抗
  3. GND(引脚5) ‌:器件接地
  4. VOUT(引脚6-8) ‌:开关输出端,同样采用多引脚并联设计
  5. CT(引脚9) ‌:上升时间控制引脚(三态配置)
  6. ON(引脚10) ‌:使能控制引脚(VIH=0.9V)

四、典型应用设计

1. 浪涌电流抑制方案

设计要点‌:

  • 计算公式:Iinrush = CL × dVOUT/dt
  • 示例配置:
    • CL=470μF,VIN=1.8V
    • 目标浪涌电流<1A → 需要>677μs上升时间
    • 将CT引脚接VBIAS可获得900μs上升时间

布局建议‌:

  • 输入/输出电容尽量靠近器件引脚
  • 使用宽走线降低寄生电感
  • 对称布局减少热电偶效应

2. 电源时序控制

利用可调上升时间特性,可实现:

  • 多电源轨有序上电
  • 敏感电路延迟供电
  • 大容量负载软启动

五、选型与设计建议

  1. 热管理‌:
    • 满负荷工作时监测结温
    • 增加PCB铜箔面积散热
    • 避免长时间超过7A工作
  2. 可靠性设计‌:
    • 输入侧增加TVS二极管防护
    • 遵循TI布局指南
    • 控制环境温度不超过85°C
  3. 替代方案‌:
    • 低电流应用:TPS22916(6A)
    • 高压应用:TPS22975(18V)
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