TPS22963C 5.5V、3A、14mΩ 负载开关数据手册

TPS22963/64 是一款小型、超低的 R上负载开关 受控打开。该设备包含低 RDSON 系列N 沟道 MOSFET 可在 1 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作，开关电流高达 3 A。一 集成电荷泵偏置 NMOS 开关，以实现低开关导通电阻。这 开关由 ON/OFF 输入 （ON） 控制，该输入 （ON） 能够直接与 低压 GPIO 控制信号。TPS22963/64 器件的上升时间由内部控制 以避免浪涌电流。
*附件：tps22963c.pdf

TPS22963/64 提供反向电流保护。当电源开关被禁用时， 该设备不允许电流流向开关的输入侧。相反 电流保护功能仅在设备被禁用时激活，以便允许 某些应用的有意反向电流（当开关启用时）。

TPS22963/64 采用小型、节省空间的 6 引脚 WCSP 封装，并且 额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C 的自由空气温度。

特性

• 集成 N 沟道负载开关
• 输入电压范围：1 V 至 5.5 V
• 内部 Pass-FET R DSON 系列 = 8 mΩ（典型值）
• 超低导通电阻
  • R上V 时 = 13 mΩ（典型值） 在 = 5 伏
  • R上V 时 = 14 mΩ（典型值） 在 = 3.3 伏
  • R上V 时 = 18 mΩ（典型值） 在 = 1.8 伏
• 3A 最大连续开关电流
• 反向电流保护（禁用时）
• 低关断电流 （760 nA）
• 低阈值 1.3V GPIO 控制输入
• 受控转换速率以避免浪涌电流
• 快速输出放电（仅限 TPS22964）
• 六端子晶圆芯片级封装（所示标称尺寸 - 有关详细信息，请参阅附录）
  • 0.9 mm x 1.4 mm，0.5 mm 间距，0.5 mm 高 （YZP）
• ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
  • 2 kV 人体模型（A114-B，II 类）
  • 500V 充电器件模型 （C101）

参数

1. 产品概述

TPS22963C是一款超低压导通电阻（R ON）负载开关，专为便携式消费类设备设计，如智能手机、平板电脑等。该器件集成了N通道MOSFET，可在1V至5.5V的输入电压范围内工作，并支持高达3A的开关电流。

2. 主要特性

• ‌超低R ON‌：在V IN=5V时，典型R ON为13mΩ；在V IN=3.3V时为14mΩ；在V IN=1.8V时为18mΩ。
• ‌反向电流保护‌：当开关禁用时，防止电流从输出流向输入。
• ‌受控上升时间‌：避免开启时的浪涌电流。
• ‌低关断电流‌：典型值为760nA。
• ‌低阈值GPIO控制输入‌：兼容1.2V至5.5V的GPIO信号。
• ‌小型封装‌：采用6引脚WCSP封装，尺寸为0.9mm x 1.4mm，高度为0.5mm。

3. 功能描述

• ‌开关控制‌：通过ON引脚控制开关状态，高电平使能开关。
• ‌快速输出放电‌（TPS22964C特有）：当开关禁用时，通过273Ω电阻将输出放电至地，防止输出悬浮。
• ‌反向电流保护‌：当开关禁用且V IN或V OUT大于1V时，防止反向电流。

4. 应用领域

• 智能手机
• 笔记本电脑和超极本
• 平板电脑
• 固态硬盘（SSD）
• 数字电视/IP机顶盒
• POS终端和媒体网关

5. 电气特性

• ‌绝对最大额定值‌：输入电压范围-0.3V至6V，输出电压范围-0.3V至6V，ON引脚电压范围-0.3V至6V，最大连续开关电流3A。
• ‌推荐操作条件‌：输入电压范围1V至5.5V，输出电压范围0V至5.5V。
• ‌热特性‌：最大结温125°C，热阻（RθJA）为132°C/W。

6. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：DSBGA（6引脚）
• ‌尺寸‌：1.40mm x 0.90mm，引脚间距0.5mm，高度0.5mm

7. 应用信息

• ‌输入电容‌：建议在VIN和GND引脚之间放置一个1µF的陶瓷电容，以减少开关开启时的输入电压降。
• ‌输出电容‌：建议在VOUT和GND引脚之间放置一个0.1µF的陶瓷电容，以滤除输入电压源的电压毛刺。
• ‌待机电源管理‌：通过关闭处于待机状态的模块电源，显著减少泄漏电流，延长电池寿命。

8. 布局指南

• 所有迹线应尽可能短，输入和输出电容应靠近器件放置，以减少寄生电感的影响。
• 使用宽迹线连接VIN、VOUT和GND，以最小化寄生电气效应。

9. 设计资源

• 提供详细的应用说明、典型应用电路图以及布局示例。
• TI E2E在线社区提供技术支持和社区资源。

通过上述总结，可以全面了解TPS22963C的主要特性、功能、应用领域、电气特性、封装尺寸、应用信息、布局指南以及设计资源。