TPS22908 是一个小而低的 R上带受控转数的负载开关 上。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET,可在 1 V 至 3.6 的输入电压范围内工作 V.该开关由开/关输入 (ON) 控制,该输入能够直接与 低压控制信号。
*附件:tps22908.pdf
TPS22908采用间距为 0.5 mm (YZT) 的节省空间的 4 端子 WCSP。这 该器件的特性是在 –40°C 至 85°C 的自由空气温度范围内工作。
特性
- 集成 P 沟道负载开关
- 输入电压:1 V 至 3.6 V
- 1 A 最大连续开关电流
- 导通电阻 (典型值)
- R
上V 时 = 28 mΩ在= 3.6 伏 - R
上V 时 = 33 mΩ在= 2.5 伏 - R
上V 时 = 42 mΩ在= 1.8 伏 - R
上V 时 = 70 mΩ在= 1.2 伏
- R
- 最大静态电流 = 1 μA
- 最大关断电流 = 1 μA
- 低控制输入阈值支持使用 1.2V
、1.8V、2.5V 和 3.3V 逻辑 - 受控转换速率以避免浪涌电流
- t
RV 时 = 105 μs在= 3.6V
- t
- 四端子晶圆芯片级封装(WCSP)
- 标称尺寸 - 有关详细信息,
请参阅附录 - 0.9mm × 0.9mm,0.5mm 间距,
0.6mm 高
- 标称尺寸 - 有关详细信息,
- 快速输出放电 (QOD)
参数
方框图
概述
TPS22908是一款小型、低功耗、低导通电阻的负载开关,适用于电池供电设备和其他便携式应用。该器件集成了P通道MOSFET,具有可控的上升时间以限制涌入电流,并提供快速输出放电功能。
主要特性
- 输入电压范围:1V至3.6V
- 最大连续开关电流:1A
- 低导通电阻:
- VIN = 3.6V时,RON = 28mΩ(典型值)
- VIN = 2.5V时,RON = 33mΩ(典型值)
- VIN = 1.8V时,RON = 42mΩ(典型值)
- VIN = 1.2V时,RON = 70mΩ(典型值)
- 最大静态电流:1µA
- 最大关断电流:1µA
- 可控上升时间:VIN = 3.6V时,典型值为105µs
- 快速输出放电:通过80Ω电阻将输出放电至地,防止输出浮动
- 封装:4引脚晶圆级芯片规模封装(DSBGA),尺寸为0.9mm x 0.9mm,0.5mm间距
应用领域
功能描述
- ON/OFF控制:ON引脚控制开关状态,支持低电压逻辑信号(1.2V、1.8V、2.5V、3.3V),兼容标准GPIO逻辑阈值。
- 快速输出放电:当开关禁用时,通过80Ω电阻将输出放电至地,防止输出浮动。
引脚配置与功能
规格参数
- 绝对最大额定值:
- VIN、VOUT、VON:±0.3V至4V
- 最大连续开关电流:1A(VIN ≥ 1.2V),0.6A(VIN = 1V)
- 最大结温:125°C
- 热信息:
- 热阻(结到环境):188°C/W
- 电气特性:
- 静态电流:0.19µA(典型值),最大1µA
- 关断状态供电电流:0.12µA(典型值),最大1µA
- 泄漏电流:0.12µA(典型值),最大1µA
- ON引脚输入泄漏电流:0.01µA(典型值),最大0.1µA
封装与订购信息
- 封装类型:DSBGA(YZT)
- 引脚数:4
- 订购选项:TPS22908YZTR(大量生产),TPS22908YZTT(小批量生产)
布局与热考虑
- 布局指南:建议VIN、VOUT和GND走线尽可能短且宽,输入和输出电容应靠近器件放置。
- 热考虑:为确保高可靠性,最大结温应限制在125°C以下。结温与功耗和结到环境的热阻有关。
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