TPS22959 具有输出放电的 5.5V、15A、4.4mΩ 负载开关数据手册

TPS22959 是一个小的、超低的 R 上 、单通道负载 开关与受控打开。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET，可在 输入电压范围为 0.8 V 至 5.5 V，支持最大 15 A 的连续电流。
*附件：tps22959.pdf

超低 R 的组合上以及 该器件非常适合驱动具有非常严格的压降容差的处理器轨。 该器件的受控上升时间大大降低了大批量负载引起的浪涌电流 电容，从而减少或消除电源上的电压下降。开关可以是 通过 ON 引脚独立控制，该引脚能够直接与低压连接 来自微控制器或低压分立逻辑的控制信号。该设备进一步 通过集成一个 224 Ω 下拉电阻器以实现快速输出，减小了整体解决方案的尺寸 开关关闭时的放电 （QOD）。

TPS22959采用小型 3.00 mm x 3.00 mm WSON-8 封装 （DNY）。The DNY 封装集成了一个导热垫，可在大电流和高电流下实现高功率耗散 温度应用。该设备的特点是在自然通风温度下运行 温度范围为 –40°C 至 105°C。

特性

• 集成单通道负载开关
• VBIAS 电压范围：2.5 V 至 5.5 V
• VIN 电压范围：0.8 V 至 5.5 V
• 超低 R上电阻
  • R上V 时 = 4.4 mΩ 在 = 5 V （V 偏见 = 5 V）
• 15 A 最大连续开关电流
• 低静态电流
  • （V 为 20 μA 偏见 = 5 V）
• 低关断电流
  • （V 为 1 μA 偏见 = 5 V）
• 低控制输入阈值允许使用 1.2 V 或更高的 GPIO
• V宽的受控和固定转换速率偏见和 V在
  • tRV 时 = 2663 μs 在 = 5 V （V 偏见 = 5 V）
• 快速输出放电 （QOD）
• 带导热垫的 SON 8 引脚封装
• ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
  • 2kV 人体模型 （HBM）
  • 1kV 充电器件模型 （CDM）

参数

方框图

1. 产品概述

TPS22959是一款小型、超低导通电阻（R ON）的单通道负载开关，适用于驱动高电流电压轨，具有严格的电压降容差。该设备集成了N沟道MOSFET，可在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，并支持最大连续电流达15A。

2. 主要特性

• ‌超低导通电阻‌：R ON = 4.4mΩ（在V IN = 5V，V BIAS = 5V时）
• ‌高电流能力‌：最大连续开关电流15A
• ‌宽输入电压范围‌：0.8V至5.5V
• ‌低静态电流‌：20µA（在V BIAS = 5V时）
• ‌低控制输入阈值‌：支持1.2V或更高的GPIO电压
• ‌受控上升时间‌：有助于减少大容性负载引起的浪涌电流
• ‌ 快速输出放电（QOD） ‌：集成224Ω下拉电阻，实现快速输出放电
• ‌小型封装‌：3.00mm x 3.00mm的8引脚WSON封装

3. 应用领域

• 服务器
• 医疗设备
• 电信系统
• 计算设备
• 工业系统

4. 功能描述

• ‌开关控制‌：通过ON引脚独立控制，ON引脚为高电平时使能开关。
• ‌过压和欠压保护‌：集成保护功能，防止电压异常损坏设备。
• ‌热关断‌：在结温超过125°C时自动关断，保护设备免受过热损害。
• ‌输出下拉电阻‌：集成224Ω下拉电阻，当开关关闭时实现快速输出放电。

5. 电气特性

• ‌导通电阻‌：在V IN = 5V，V BIAS = 5V时，R ON 典型值为4.4mΩ，最大值为5.8mΩ。
• ‌静态电流‌：在V BIAS = 5V时，I Q 典型值为26.0µA，最大值为27.0µA。
• ‌上升时间‌：在V IN = 5V，V BIAS = 5V时，t R 典型值为2663µs，最大值为3000µs。

6. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：8引脚WSON封装（DNY）
• ‌尺寸‌：3.00mm x 3.00mm

7. 布局指南

• ‌输入和输出电容‌：建议在VIN和VOUT引脚附近放置低ESR陶瓷旁路电容，以减小电压波动和浪涌电流。
• ‌热管理‌：使用通孔将暴露的热焊盘连接到PCB的接地平面，以提高热性能。
• ‌组件布局‌：将输入、输出和偏置电压的旁路电容放置在尽可能靠近TPS22959引脚的位置。

8. 设计资源

• 提供PSPICE模型，可在TI产品页面获取，用于设计验证和仿真。
• TI社区资源：包括TI E2E在线社区和设计支持，可获取设计帮助和解答问题。