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电子发烧友网>今日头条>EV集团将在SEMICON CHINA展出用于3D-IC封装的突破性晶圆键合技术

EV集团将在SEMICON CHINA展出用于3D-IC封装的突破性晶圆键合技术

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环球仪器携手台达电子与您相约SEMICON China 2025

环球仪器与母公司台达电子将在3月26-28日于上海举行的SEMICON China 2025展会上,展示五大半导体自动化解决方案,提高生产效率。
2025-03-21 10:06:13941

EV集团推出面向300毫米的下一代GEMINI®全自动生产系统,推动MEMS制造升级

全新强力腔室设计,赋能更大尺寸高均匀与量产良率提升 2025年3月18日,奥地利圣弗洛里安 —全球领先的半导体创新工艺解决方案和专业知识提供商,为前沿和未来的半导体设计和芯片集成
2025-03-20 09:07:58889

SGS邀您相约SEMICON China 2025

SEMICON China 2025 将于3月26-28日在 上海新国际博览中心隆重登场。作为全球半导体行业的顶尖盛会,展会汇聚超过1000家全球知名企业,覆盖芯片设计、制造、封装测试、设备、材料等全产业链,展览面积达90000平方米,同期举办20多场高质量论坛和活动。
2025-03-13 11:37:451099

金丝的主要过程和关键参数

金丝主要依靠热超声键合技术来达成。热超声键合融合了热压与超声键合两者的长处。通常情况下,热压所需温度在300℃以上,而在引入超声作用后,热超声键合所需温度可降至200℃以下。如此一来
2025-03-12 15:28:383656

青禾元发布全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合设备

2025年3月11日,香港——中国半导体合集成技术领域的领先企业青禾元半导体科技(集团)有限责任公司(简称“青禾元”)宣布,正式推出全球首台C2WW2W双模式混合设备SAB8210CWW上
2025-03-12 13:43:561036

概伦电子邀您相约SEMICON CHINA 2025

3月26-28日,2025 SEMICON China将在上海新国际博览中心隆重开幕。届时,概伦电子将携应用驱动的半导体参数测试平台和解决方案亮相,现场还将全新发布先进宽带噪声分析仪9812HF,刷新半导体测试标准。诚邀您莅临概伦展台,共同见证半导体量测技术突破创新。
2025-03-11 15:58:28821

一文详解共技术

技术主要分为直接和带有中间层的。直接如硅硅,阳极条件高,如高温、高压等。而带有中间层的,所需的温度更低,压力也更小。带金属的中间层技术主要包括共、焊料、热压和反应等。本文主要对共进行介绍。
2025-03-04 17:10:522627

什么是金属共

金属共是利用金属间的化学反应,在较低温度下通过低温相变而实现的后的金属化合物熔点高于温度。该定义更侧重于从材料科学的角度定义。
2025-03-04 14:14:411921

签约顶级封装厂,普莱信巨量转移技术掀起封装和板级封装技术革命

经过半年的测试,普莱信智能和某顶级封装厂就其巨量转移式板级封装设备(FOPLP)设备XBonder Pro达成战略合作协议,这将是巨量转移技术IC封装领域第一次规模化的应用,将掀起封装和板级
2025-03-04 11:28:051186

深入探索:封装Bump工艺的关键点

随着半导体技术的飞速发展,封装(WLP)作为先进封装技术的重要组成部分,正逐渐成为集成电路封装的主流趋势。在封装过程中,Bump工艺扮演着至关重要的角色。Bump,即凸块,是封装
2025-03-04 10:52:574978

铜线IMC生长分析

铜引线键合由于在价格、电导率和热导率等方面的优势有望取代传统的金引线键合, 然而 Cu/Al 引线键合界面的金属间化合物 (intermetallic compounds, IMC) 的过量生长将增大接触电阻和降低强度, 从而影响器件的性能和可靠
2025-03-01 15:00:092398

闪存冲击400层+,混合技术传来消息

电子发烧友网综合报道,据韩媒报道,三星近日与长江存储签署了3D NAND混合专利许可协议,从第10代V-NAND开始,将使用长江存储的专利技术,特别是在“混合技术方面。   W2W技术是指
2025-02-27 01:56:001037

基于TSV的3D-IC关键集成技术

3D-IC通过采用TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)技术,实现了不同层芯片之间的垂直互连。这种设计显著提升了系统集成度,同时有效地缩短了互连线的长度。这样的改进不仅降低了信号传输的延时,还减少了功耗,从而全面提升了系统的整体性能。
2025-02-21 15:57:022460

将2.5D/3DIC物理验证提升到更高水平

(InFO) 封装这样的 3D 扇出封装方法,则更侧重于手机等大规模消费应用。此外,所有主流设计公司、代工厂和封测代工厂 (OSAT) 都在投资新一代技术——使用硅通孔 (TSV) 和混合的真正裸片堆叠。
2025-02-20 11:36:561271

揭秘Au-Sn共:MEMS封装的高效解决方案

的关键技术之一,它不仅能够保护MEMS器件免受外部环境的影响,还能提高器件的性能和可靠。Au-Sn共技术作为一种先进的封装技术,在MEMS气密封装中展现出
2025-01-23 10:30:522886

一种新型RDL PoP扇出封装工艺芯片到技术

扇出型级中介层封装( FOWLP)以及封装堆叠(Package-on-Package, PoP)设计在移动应用中具有许多优势,例如低功耗、短信号路径、小外形尺寸以及多功能的异构集成。此外,它还
2025-01-22 14:57:524507

Marvell发布突破性CPO架构,浅析互连产品的利弊得失

突破性CPO架构为人工智能领域的发展注入新的活力,也促使我们深入探究CPO技术给互连产品究竟会带来怎样的影响。 1 月 6 日,美国芯片大厂Marvell宣布重大突破,将共封装光学架构(CPO
2025-01-17 15:00:121348

2.5D3D封装技术介绍

。 2.5D封装将die拉近,并通过硅中介连接。3D封装实际上采用2.5D封装,进一步垂直堆叠die,使die之间的连接更短。通过这种方式直接集成ICIC间通信接口通常可以减少或完全消除。这既可以提高性能,又可以减轻重量和功耗。 这种封装的复杂需要新颖的封装和测试技术。 了解2.5D封装3
2025-01-14 10:41:332902

功率器件测试及封装成品测试介绍

‍‍‍‍ 本文主要介绍功率器件测试及封装成品测试。‍‍‍‍‍‍   测试(CP)‍‍‍‍ 如图所示为典型的碳化硅和分立器件电学测试的系统,主要由三部分组成,左边为电学检测探针台阿波罗
2025-01-14 09:29:132358

先进封装技术-19 HBM与3D封装仿真

混合技术(下) 先进封装技术(Semiconductor Advanced Packaging) - 3 Chiplet 异构集成(上) 先进封装技术(Semiconductor
2025-01-08 11:17:013031

封装技术详解:五大工艺铸就辉煌!

随着半导体技术的飞速发展,封装(Wafer Level Packaging, WLP)作为一种先进的封装技术,正逐渐在集成电路封装领域占据主导地位。封装技术以其高密度、高可靠、小尺寸
2025-01-07 11:21:593190

什么是引线键合(WireBonding)

生电子共享或原子的相互扩散,从而使两种金属间实现原子量级上的。图1在IC封装中,芯片和引线框架(基板)的连接为电源和信号的分配提供了电路连接。有三种方式实现内部连
2025-01-06 12:24:101964

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