一、引言
随着半导体技术向小型化、高性能化发展,3D 集成封装技术凭借其能有效提高芯片集成度、缩短信号传输距离等优势,成为行业发展的重要方向 。玻璃晶圆因其良好的光学透明性、化学稳定性及机械强度,在 3D 集成封装中得到广泛应用 。总厚度偏差(TTV)作为衡量玻璃晶圆质量的关键指标,其数值大小直接影响 3D 集成封装的可靠性 。深入评估玻璃晶圆 TTV 厚度对 3D 集成封装可靠性的影响,对优化封装工艺、提升器件性能具有重要意义。
二、3D 集成封装对玻璃晶圆的要求
在 3D 集成封装中,玻璃晶圆主要用作衬底、中介层或封装盖板等 。作为衬底,需为芯片提供稳定的支撑和电气连接;作为中介层,要实现芯片间的信号传输与互连;作为封装盖板,则需保护内部芯片免受外界环境影响 。无论何种应用,都要求玻璃晶圆具有较高的平整度和均匀的厚度,以确保封装过程中各组件能精准对齐、可靠连接,保证封装结构的稳定性和电气性能 。
三、玻璃晶圆 TTV 厚度对 3D 集成封装可靠性的影响
3.1 对封装应力分布的影响
玻璃晶圆 TTV 厚度不均会导致 3D 集成封装结构中应力分布不均匀 。在封装过程中,由于晶圆厚度差异,芯片与玻璃晶圆之间、不同层芯片之间的贴合程度不一致,产生的热应力和机械应力大小及方向各异 。例如,在热压键合工艺中,TTV 较大的区域会承受更大的压力,容易引发局部应力集中 。长期运行下,应力集中区域可能出现裂纹、分层等缺陷,降低封装结构的可靠性,甚至导致器件失效 。
3.2 对电气连接质量的影响
3D 集成封装中,芯片与玻璃晶圆、芯片与芯片之间通过金属凸点、硅通孔(TSV)等方式实现电气连接 。玻璃晶圆 TTV 厚度不均会使这些连接结构的尺寸和形状发生变化 。如 TTV 过大,会导致金属凸点受压不均,部分凸点接触不良或变形,增加接触电阻,影响信号传输的稳定性和完整性 。对于 TSV 连接,厚度差异可能使通孔与芯片电极无法准确对齐,造成电气短路或断路,严重影响封装器件的电气性能 。
3.3 对封装精度和良率的影响
3D 集成封装工艺对精度要求极高,玻璃晶圆 TTV 厚度偏差会降低封装精度 。在芯片堆叠和键合过程中,晶圆厚度不一致会导致芯片位置偏移,难以实现精确对准 。这不仅增加了封装工艺的难度,还会导致封装良率下降 。例如,在倒装芯片封装中,TTV 过大可能使芯片与晶圆上的焊盘无法准确对位,造成焊接失败,增加废品率,提高生产成本
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【海翔科技】玻璃晶圆 TTV 厚度对 3D 集成封装可靠性的影响评估
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