TC Wafer 晶圆测温系统通过利用自主研发的核心技术将耐高温的热电偶传感器镶嵌在晶圆表面，实时监控和记录晶圆在制程过程中的温度变化数据，为半导体制造过程提供一种高效可靠的方式来监测和优化关键的工艺参数。
【应用范围】
物理气相沉积 (PVD)、原子层沉积 (ALD)、化学气相沉积 (CVD)、退火炉、去胶设备、晶圆临时键合、涂胶显影 TRACK 设备、 加热板、加热盘
【产品优势】
1. 1200℃耐高温测量：热电偶传感器能够承受1200℃的温度，TC Wafer适合用于监控在极端温度条件下进行的半导体制造过程。
2. 温度精确实时监测：TC Wafer可提供晶圆上特定位置的准确温度数据。
3. 详细温度分布图：通过在晶圆上布置多个点来收集温度数据，TC Wafer能够提供整个晶圆的温度分布情况，帮助识别不均匀加热或冷却的问题。
4. 瞬态温度跟踪：TC Wafer能够捕捉到快速变化的温度动态，如升温、降温、恒温过程以及延迟时间等关键参数的变化，为工艺优化提供数据支持。
5. 支持过程控制与优化：持续监控晶圆在热处理过程中的温度变化有助于工程师调整工艺参数，提高生产效率并确保产品质量。
6. 适用于多种晶圆尺寸：TC Wafer的设计使其能够适用于不同直径的晶圆，包括2英寸和大至12英寸的晶圆，满足各种制造需求。
【参数配置】
Wafer 尺寸 | 2”、3”、4”、6”、8”、12” | 晶圆材质 | 硅片 / 蓝宝石等 |
测温点数 | 1-34 | 线长 | L1- 腔体内部；L2- 仓门过渡段；L3- 腔体外部 |
测温元件 | TC | 采样频率 | 1Hz |
TC 线径 | 0.127mm/0.254mm | 配套主机 | 测温系统配套主机 |
温度范围 | K 型：RT~1200℃;R/S 型：RT~1200℃;T 型：RT~350℃;TR 高精度型：-40-250℃ /-40-350℃ | ||
温度精度 | K 型：±1.1℃ /0.4%；R/S 型：±0.6℃ /0.1%；T 型：±0.5℃;TR 高精度型：±0.1℃ /±0.5℃ | ||
测温软件 | 测温专用软件，实时显示温度场剖面图及实时升温曲线图 | ||
