SCT51240—单通道下管IGBT/MOSFET栅极驱动器

芯洲的SCT51240是一款宽供电电压、单通道、高速、低测栅极驱动器，适用于功率MOSFET，IGBT和宽禁带器件，例如氮化镓功率器件等驱动。

提供高达4A驱动拉电流和灌电流，并实现轨到轨输出。

高达24V宽电压范围提高功率器件开关瞬间栅极驱动的振铃幅值裕度。

最小12ns输入输出传输延迟特性适合高频功率转换器应用。输入具有宽迟滞电压，兼容TTL低压逻辑。

低至-5V负压输入能力，增强SCT51240对输入噪音的抗扰度。

该芯片具有38uA的静态电流。SCT51240提供170C过热保护，TSOT23-5封装。

产品描述：

• 4.5-24V宽供电电压

• 4A 峰值驱动拉电流和灌电流

• 支持两种输入模式：正向输入、反向输入

• 低至-5V负压输入

• 12ns传输延迟

• 快速上升下降时间（典型值9ns上升时间，6ns下降时间）

• 38uA静态功耗

• 输入悬空时输入保持低电平

• 170°C过热保护

• SOT23-5封装

应用领域：

MOSFET驱动

IGBT门级驱动

GaN门级驱动

开关电源

马达驱动，太阳能逆变器

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UCC5320 3k/5kVrms、2A/2A 单通道隔离栅极驱动器，UVLO 以 GND 或分离输出为基准数据手册

UCC53x0 是单通道隔离式栅极驱动器系列，设计用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET （UCC5350SBD）。UCC53x0S 提供分离输出，可单独控制上升

2025-05-19 13:44:54

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HPD2606X 600V半桥栅极驱动器技术手册：高压高速MOSFET和IGBT驱动设计

内容概要：HPD2606X是一款600V半桥栅极驱动器，采用专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，能够稳定驱动高压MOSFET和IGBT。其主要特性包括悬浮通道设计、抗dV/dt瞬态负电压能力、宽门

2025-05-19 11:33:30

UCC27511A 具有 5V UVLO、分离输出、5V IN 处理能力的 4A/8A 单通道栅极驱动器数据手册

UCC27511A 器件是一款紧凑型栅极驱动器，可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驱动器（缓冲电路）解决方案。UCC27511A 器件是一款单通道低侧高速栅极驱动器，适用于 MOSFET

2025-05-19 09:59:58

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LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 单通道栅极驱动器数据手册

LMG1020 器件是一款单通道低侧驱动器，设计用于在高速应用中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET，包括 LiDAR、飞行时间、面部识别以及任何涉及低侧驱动器的电源转换器。LMG1020

2025-05-19 09:47:33

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UCC23511 5.7kVrms 1.5A/2A单通道光兼容隔离栅极驱动器数据手册

UCC23511 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 1.5A 拉电流和 2A 灌电流峰值输出电流以及 5.7kV~RMS~增强

2025-05-17 11:44:58

1039

UCC5390-Q1 汽车级 17-A 5kv RMS 单通道隔离式栅极驱动器数据手册

UCC5390-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 10A 拉电流和 10A 灌电流峰值电流，设计用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 为基准，这有利于双极电源并优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性。

2025-05-17 11:36:49

900

UCC21710-Q1 汽车级 5.7kVrms 10A 单通道隔离式栅极驱动器数据手册

UCC21710-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21710-Q1

2025-05-17 11:28:26

1161

UCC21750 5.7kVrms ±10A，单通道隔离栅极驱动器数据手册

UCC21750 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为工作电压高达 2121 V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21750

2025-05-17 10:54:56

1862

UCC21750-Q1 汽车5.7kVrms，±10A单通道隔离栅极驱动器数据手册

UCC21750-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性

2025-05-17 10:42:07

1139

UCC21739-Q1 汽车级 3kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器数据手册

UCC21739-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 900V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性

2025-05-17 10:27:13

691

UCC5350-Q1 汽车类 ±5A 单通道隔离式栅极驱动器数据手册

UCC5350-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 10A 拉电流和 10A 灌电流典型峰值电流，设计用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350-Q1 可选择

2025-05-17 10:12:06

1169

UCC21732 5.7kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器，具有 2 级关断功能，用于 IGBT/SiC FET数据手册

UCC21732 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21732具有

2025-05-16 18:00:09

807

UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽车级 3.75kVrms 30A 单通道功能安全隔离栅极驱动器数据手册

UCC5870-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器，旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶体管保护，例如基于分流电阻器的过流

2025-05-16 17:32:51

728

UCC21710 5.7kVrms ±10A，单通道隔离式栅极驱动器，带 OC 检测，用于 IGBT/SiC 的内部箝位数据手册

UCC21710 是一款电隔离式单通道栅极驱动器，旨在驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护、一流的动态性能和稳健性。UCC21710具有高达 ±10A

2025-05-16 17:26:07

845

UCC23514 5kVrms 4A/5A，单通道光学兼容隔离栅极驱动器，带有钳位和分割输出选项数据手册

UCC23514 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 4.5A 的拉电流和 5.3A 的灌电流峰值输出电流和 5.0kV~RMS

2025-05-16 15:59:40

709

UCC21759-Q1 汽车级3.0kVrms，±10A单通道隔离栅极驱动器数据手册

UCC21759-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 900V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性

2025-05-16 15:53:35

588

UCC23313-Q1 具有 8V/12V UVLO 的汽车级 3.75kVrms、4A/5A 单通道光兼容隔离式栅极驱动器数据手册

UCC23313-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 4.5A 拉电流和 5.3A 灌电流峰值输出电流以及 3.75kV 电压

2025-05-16 15:40:54

682

UCC23513-Q1 汽车级 5.7kVrms，4A/5A 单通道光兼容隔离式栅极驱动器数据手册

UCC23513-Q1 驱动器是适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器，具有 4.5A 的拉电流和 5.3A 的灌电流峰值输出电流和 5.7kV

2025-05-16 14:53:21

719

UCC21737-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽车级 10A 隔离式单通道栅极驱动器数据手册

UCC21737-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。该器件具有高达

2025-05-16 14:34:01

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UCC21755-Q1 具有主动保护和隔离感应功能的汽车类 ±10A 隔离式单通道栅极驱动器数据手册

UCC21755-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性

2025-05-16 14:27:31

605

UCC5871-Q1 具有高级保护功能的汽车类 30A 隔离式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器数据手册

UCC5871-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器，旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶体管保护，例如基于分流电阻器的过流

2025-05-16 14:02:45

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UCC21756-Q1 具有主动保护和 iso 的汽车级 ±10A 隔离式单通道栅极驱动器数据手册

UCC21756-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21756-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

2025-05-16 13:56:59

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UCC21717-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽车类 10A 拉/灌单通道隔离式栅极驱动器数据手册

UCC21717-Q1 是一款电隔离式单通道栅极驱动器，设计用于驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护、一流的动态性能和稳健性。UCC21717-Q1

2025-05-16 11:07:10

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UCC23113 具有功能隔离（1.2kVRMS）的 4A/5A 单通道光兼容隔离式栅极驱动器数据手册

UCC23113 适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器，具有 5A 拉电流和 5A 灌电流峰值输出电流以及 1.5kV 直流功能隔离。30 V

2025-05-16 10:49:24

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UCC21738-Q1 用于 SiC/IGBT、有源短路保护的汽车类 10A 单通道隔离式栅极驱动器数据手册

UCC21738-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为工作电压高达 2121V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。该器件具有高达

2025-05-16 10:12:06

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UCC44273 具有 5V UVLO 的 4A/4A 单通道低侧栅极驱动器数据手册

UCC44273 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。UCC44273 采用本质上可最大限度降低击穿电流的设计，能够将高峰值电流脉冲源出和吸收到容性负载中，从而提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟（通常为 13 ns）。

2025-05-16 09:37:04

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UCC23525 具有12V UVLO的 5A/5A、5.7kVRMS、增强型单通道光兼容隔离式栅极驱动器数据手册

UCC23525驱动器是适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器，具有 5A 拉电流和 5A 灌电流峰值输出电流以及 5kVRMS 增强型隔离

2025-05-15 16:43:47

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UCC5350L-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽车类 ±10A 单通道隔离式栅极驱动器数据手册

UCC5350L-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 10A 拉电流和 10A 灌电流典型峰值电流，设计用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350L-Q1

2025-05-15 11:00:09

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IGBT 栅极驱动器：电力电子系统的核心组件

2025-04-27 15:45:02

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新品 | 6.5A，5.7kVRMS单通道带隔离电源的栅极驱动器评估板——SiC MOSFET半桥电路

新品6.5A，5.7kVRMS单通道带隔离电源的栅极驱动器评估板——SiCMOSFET半桥电路该评估板用于评估半桥电路中的1ED314xMC12H隔离栅极驱动器IC。该电路板包括两个

2025-04-15 17:03:45

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33V单通道数字隔离栅极驱动器拉/灌6A电流驱动SIC MOSFET及IGBT

概述:PC2899X 单通道隔离栅极驱动器系列产品，提供符合UL1577 标准的隔离电3.75kVrms 和5.0kVrms 两种类型。 PC2899 A 可单独控制输出信号的上升和下降时间，方便

2025-04-03 14:23:02

新品 | EiceDRIVER™ 6.5A 5.7 kVrms单通道栅极驱动器1ED314xMC12H

新品EiceDRIVER6.5A5.7kVRMS单通道栅极驱动器1ED314xMC12HEiceDRIVER紧凑型单通道隔离栅极驱动器，具有6.5A峰值灌电流和6A峰值拉电流能力，采用8引脚LDSO

2025-03-27 17:03:50

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川土微电子发布CA-IS3212单通道隔离式栅极驱动器

川土微电子CMOS输入、带有源米勒钳位(可选)单通道隔离式栅极驱动器新品发布，该系列产品为驱动SiC、IGBT和GaN功率管而优化设计。

2025-01-10 18:08:42

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