Texas Instruments UCC27614/UCC27614-Q1单通道栅极驱动器是高速低侧栅极驱动器系列,可驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率开关。此系列驱动器的典型峰值驱动强度为10A,可缩短功率开关的上升和下降时间,降低了开关损耗并提高了效率。UCC27614器件的短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应,提高脉宽利用率和瞬态性能,从而提高功率级效率。UCC27614-Q1驱动器符合AEC-Q100标准,适用于汽车应用。此系列驱动器可用于太阳能电源、大功率缓冲器、脉冲变压器驱动器和电信开关模式电源。
数据手册:
UCC27614可在输入端处理–10V的电压,通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。该输入与电源电压无关,可连接大多数控制器输出,从而获得最大控制灵活性。独立使能信号支持独立于主控制逻辑控制功率级。如果系统中出现故障(需要关闭动力传动系统),则栅极驱动器可快速关断功率级。使能功能还提高了系统稳健性。许多高频开关电源在功率器件的栅极处有高频噪声,其会注入栅极驱动器的输出引脚,导致驱动器发生故障。由于其瞬态反向电流和反向电压能力,UCC27614可在此类条件下正常工作。
如果VDD 电压低于指定的UVLO阈值,强大的内部下拉MOSFET可使输出保持低电平。该主动下拉功能进一步提高了系统稳健性。UCC27614器件具有10A驱动电流,采用2mm × 2mm封装,提高了系统功率密度。该小型封装还可实现最佳栅极驱动器布设,改进布局。
特性
- 典型输出电流:10A灌电流,10A拉电流
- 输入和使能引脚能够承受高达-10V电压
- 绝对最大V
DD电压为30V - 宽V
DD工作电压范围(4.5V至26V),带UVLO - 采用2 mm x 2 mm SON8封装
- 传播延迟:17.5ns(典型值)
- EN(使能)引脚,采用SOIC8封装
- IN引脚可用于启用/禁用功能
- V
DD独立输入阈值(兼容TTL) - 可用作反相或非反相驱动器
- 工作结温范围:–40°C至150°C
简化应用方框图

基于UCC27614的低侧栅极驱动器技术解析与应用指南
一、UCC27614产品概述
Texas Instruments的UCC27614是一款高性能单通道低侧栅极驱动器,专为驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率开关而设计。该器件采用紧凑的2mm×2mm SON8或4.9mm×3.91mm SOIC8封装,具有以下核心特性:
- 强大的驱动能力:典型10A源电流和10A灌电流输出,可显著降低功率开关的上升和下降时间
- 宽工作电压范围:4.5V至26V VDD操作范围,带有UVLO保护功能
- 增强的鲁棒性:输入和使能引脚可承受高达-10V电压,适应存在适度地弹的系统
- 快速响应:典型传播延迟仅17.5ns,优化死区时间并提高功率级效率
- 温度适应性:-40°C至150°C的宽工作结温范围
二、关键电气特性与技术参数
1. 电源特性
- 静态电源电流:0.64mA典型值(VDD=12V)
- UVLO阈值:4.1V(上升),3.8V(下降),带0.3V典型迟滞
- 最大VDD电压:30V(绝对最大值),26V(推荐最大值)
2. 输入特性
- TTL兼容输入阈值(VDD独立):
- 高电平:2V典型值(1.8V最小值)
- 低电平:1V典型值(1.2V最大值)
- 1V典型迟滞提供优异的噪声免疫力
- 输入电容<8pF,减少负载并提高开关速度
3. 输出特性
- 峰值输出电流:±10A(典型值)
- 输出阻抗:
- 上拉:2.5-4.5Ω(PMOS)
- 下拉:0.34-0.55Ω(NMOS)
- 开关特性(CLOAD=1.8nF):
- 上升时间:4.5ns(典型值)
- 下降时间:4ns(典型值)
三、功能描述与配置模式
1. 引脚功能配置
UCC27614提供两种封装版本,功能略有差异:
DSG(SON8)封装:
- 双输入架构(IN+和IN-)
- IN+作为PWM输入时实现非反相输出
- IN-作为PWM输入时实现反相输出
D(SOIC8)封装:
- 单输入(IN)加独立使能(EN)引脚
- EN引脚内部上拉,浮空时默认使能
2. 工作模式
- 正常模式:VDD高于UVLO阈值时,输出由输入信号控制
- UVLO模式:VDD低于阈值时,输出强制保持低电平
- 使能控制:通过EN引脚(SOIC)或IN-引脚(SON)实现独立控制
四、应用场景与优势分析
1. 典型应用领域
2. 技术优势
- 高开关速度:快速切换减少开关损耗,提高系统效率
- 系统可靠性:-10V输入容限增强抗噪能力
- 设计灵活性:支持非反相/反相配置,适应不同控制需求
- 空间效率:小封装尺寸支持高功率密度设计
五、设计注意事项
- 输入信号质量:
- 避免使用缓慢变化的输入信号
- 确保快速边沿速率(建议>1V/ns)
- 高di/dt管理:
- 注意寄生电感引起的振铃
- 可添加栅极电阻或缓冲电路
- 浮动输入处理:
- 未使用的输入引脚应连接到VDD或GND
- 防止意外输出状态变化
- 高压应用:
- 当输入引脚切换幅度>15V且dV/dt>2V/ns时
- 建议添加150Ω串联电阻限流
六、性能测试数据参考
根据官方测试数据(CLOAD=1.8nF,VDD=12V):
- 传播延迟温度稳定性:-40°C至150°C变化<3ns
- 输出上升时间:随VDD增加而改善(20V时约3ns)
- 电源抑制比(PSNR):>70dB(100mVpp纹波时)
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