UCC27511A 器件是一款紧凑型栅极驱动器,可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驱动器(缓冲电路)解决方案。UCC27511A 器件是一款单通道低侧高速栅极驱动器,适用于 MOSFET、IGBT 和新兴的宽带隙功率器件,如 GaN。该器件具有快速上升时间、下降时间和传播延迟,使 UCC27511A 器件适用于高速应用。其不对称的 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流增强了对寄生米勒导通效应的抗扰度。分离输出配置只需两个电阻器即可轻松、独立地调整上升和下降时间,无需外部二极管。宽输入迟滞和负输入电压处理等特性增强了瞬态抗扰度。
*附件:ucc27511a.pdf
特性
- 输入引脚能够承受低于 GND 引脚 –5V 的电压
- 低成本栅极驱动器器件,可出色地替代 NPN 和 PNP 分立解决方案
- 强大的灌电流提供了更强的抗米勒转向能力
- 分离输出配置(允许轻松独立地调整导通和关断速度)
- 快速传播延迟 (典型值为 13ns)
- 快速上升和下降时间(典型值为 8ns 和 7ns)
- 4.5V 至 18V 单电源范围
- 在 VDD UVLO 期间,输出保持低电平(确保在上电和断电时无毛刺运行)
- TTL 和 CMOS 兼容输入逻辑阈值 (与电源电压无关)
- 宽迟滞 (1V 典型值) 可实现高抗噪性
- 双输入设计(可选择反相 (IN– 引脚) 或非反相 (IN+ 引脚) 驱动器配置)
- 未使用的 Input Pin 可用于启用或禁用功能
- 当 Input Pins 悬空时 Output Held Low
- 输入引脚绝对最大电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压限制
参数
方框图
概述
UCC1A是一款单通道高速低侧栅极驱动器,专为MOSFET、IGBT及新兴宽禁带功率器件(如GaN)设计。该驱动器具备快速传播延迟、上升和下降时间,以及高源电流和漏电流能力,适用于高速开关应用。
主要特性
- 高电流能力:A峰值源电流和A峰值漏电流,提高抗米勒开通效应能力。
- 快速开关特性:3ns典型传播延迟,8ns上升时间和7ns下降时间。
- 宽供电范围:.V至V单电源供电。
- 低电压锁定(UVLO) :在VDD欠压时保持输出低电平,确保无故障启动和关闭。
- 输入兼容性:TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值,输入电压范围宽(-V至VDD)。
- 双输入设计:支持反相(IN-)和非反相(IN+)输入配置,未使用输入引脚可用于使能或禁用功能。
- 分裂输出配置:允许独立调整开通和关断速度,简化电路设计。
应用领域
功能描述
输入阶段
- 输入阈值:基于TTL和CMOS兼容的低电压逻辑,阈值电压固定且与VDD供电电压无关。
- 输入滞回:V典型输入滞回,提高抗噪声能力。
- 使能功能:未使用的输入引脚可用于使能或禁用输出。
输出阶段
- 分裂输出:OUTH和OUTL引脚分别用于源电流和漏电流输出,允许独立调整开通和关断速度。
- 高峰值电流:A峰值源电流和A峰值漏电流,提供快速开关能力。
- 低传播延迟:3ns典型传播延迟,减少脉冲传输失真。
保护特性
- UVLO保护:在VDD欠压时自动关闭输出,确保无故障操作。
- 输出保持低电平:当输入引脚悬空时,输出自动保持低电平,防止误操作。
典型应用
设计指南
- 输入/输出配置:根据应用需求选择合适的输入/输出配置(反相或非反相)。
- VDD偏置供电电压:根据所驱动的功率开关选择合适的VDD电压。
- 峰值源/漏电流:根据功率开关的开关速度要求选择合适的栅极驱动器。
- 使能/禁用功能:利用未使用的输入引脚实现独立的输出控制。
- 布局建议:栅极驱动器应尽量靠近功率开关,以减小寄生电感和高频噪声。
电源推荐
- VDD范围:4.5V至8V,推荐在VDD和GND之间放置低ESR陶瓷旁路电容,以支持高峰值电流。
封装与订购信息
- 封装类型:SOT-3 6引脚封装。
- 温度范围:-°C至°C。
- RoHS合规性:符合RoHS标准。
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