‌UCC218915-Q1 汽车级单通道隔离预驱动器技术文档总结-电子发烧友网

UCC218915-Q1 是一款电隔离式单通道预驱动器，专为工作电压高达 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC218915-Q1具有双通道2.8A输出，可直接驱动外部缓冲器NMOS/PMOS对。
*附件：ucc218915-q1.pdf

输入侧采用SiO2隔离技术与输出侧隔离，支持高达1.06kVRMS的工作电压、10kVPK浪涌抗扰度，隔离屏障寿命超过40年，并提供低器件间偏斜和>200V/ns共模抗噪性（CMTI）。

UCC218915-Q1 包括最先进的保护功能，例如快速过流和短路检测、故障后受控软关断、故障报告、有源米勒钳位、高压侧有源短路输入以及输入和输出侧电源 UVLO，以优化 SiC 和 IGBT 开关行为和鲁棒性。

特性

5kVRMS 单通道隔离式预驱动器
符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用
- 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
SiC MOSFET 和 IGBT 高达 1500Vpk
36V 最大输出驱动电压（VDD-VEE）
2.8A输出，用于直接驱动外部缓冲器PMOS/NMOS对。
最小 200V/ns CMTI
200ns 响应时间快速 DESAT 保护，具有 9V 阈值
外部有源米勒夹具
具有 1A 灌电流能力的专用软关断（SSD）引脚。关断电流可由外部电阻器控制。
隔离侧的ASC输入，可在系统故障时打开电源开关。通过低压侧的ASC_FB报告ASC状态。
FLT 的过流报告和 RST/EN 复位
RST/EN 上的快速启用/禁用响应
12V VDD UVLO，RDY上电源良好
RDY 电源良好的过热保护
100ns（最大）传播延迟
28-DFP 宽体封装，爬电距离和间隙> 8mm
工作结温 –40°C 至 150°C

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

‌汽车级认证‌：通过AEC-Q100 Grade 1认证（-40°C至+125°C工作温度范围）。
‌高隔离性能‌：5kVRMS隔离电压，10kVPK浪涌抗扰度，200V/ns共模瞬态抗扰度（CMTI），基于SiO2隔离技术。
‌驱动能力‌：双路2.8A输出（OUTP/OUTN），支持直接驱动外部PMOS/NMOS缓冲对，输出电源范围VDD-VEE达36V（最大30V工作电压）。
‌快速保护‌：
- DESAT保护响应时间200ns（阈值9V），支持软关断（SSD）功能，关断电流可通过外部电阻调节。
- 外部有源米勒钳位（CLMPE引脚），防止开关管误开通。
‌高级功能‌：
- 主动短路（ASC）功能：系统故障时强制导通功率开关，ASC状态通过ASC_FB反馈。
- 故障报告：通过FLT引脚（开漏输出）上报过流/短路事件，支持RST/EN引脚复位。
‌封装‌：28引脚DFP（SSOP）宽体封装，爬电距离>8mm。

‌2. 关键参数‌

‌电源要求‌：
- 输入侧（VCC）：3V-5.5V，静态电流1-7mA。
- 输出侧（VDD-COM）：13V-30V，COM-VEE：-16V至0V。
‌时序特性‌：
- 传播延迟100ns（最大值），通道死区时间25-85ns。
- 最大开关频率100kHz。
‌保护阈值‌：
- VCC UVLO：2.75V（上升）/2.65V（下降）。
- 过热保护：155°C（阈值），20°C滞后。

‌3. 典型应用‌

‌电动汽车‌：牵引逆变器、车载充电器、充电桩。
‌工业电源‌：DC-DC转换器（HEV/EV）、电机驱动、太阳能逆变器。
‌模块驱动‌：支持SiC MOSFET和IGBT（最高1500V DC总线电压）。

‌4. 设计要点‌

‌布局建议‌：
- VDD/VEE旁路电容：≥1μF（靠近驱动引脚）+ 10μF（靠近功率器件）。
- 缩短OUTP/OUTN至缓冲MOSFET的走线，降低寄生电感。
‌保护电路‌：
- DESAT电路：串联高压二极管+限流电阻，推荐并联肖特基二极管防负压。
- ASC功能：需外接上拉电阻（如5kΩ）至MCU。
‌控制逻辑‌：
- IN+/IN-支持PWM互锁功能，防止半桥直通。
- RST/EN引脚需保持高电平以启用驱动，低电平脉冲（>800ns）可复位故障。