UCC218915-Q1 是一款电隔离式单通道预驱动器,专为工作电压高达 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC218915-Q1具有双通道2.8A输出,可直接驱动外部缓冲器NMOS/PMOS对。
*附件:ucc218915-q1.pdf
输入侧采用SiO2隔离技术与输出侧隔离,支持高达1.06kVRMS的工作电压、10kVPK浪涌抗扰度,隔离屏障寿命超过40年,并提供低器件间偏斜和>200V/ns共模抗噪性(CMTI)。
UCC218915-Q1 包括最先进的保护功能,例如快速过流和短路检测、故障后受控软关断、故障报告、有源米勒钳位、高压侧有源短路输入以及输入和输出侧电源 UVLO,以优化 SiC 和 IGBT 开关行为和鲁棒性。
特性
- 5kVRMS 单通道隔离式预驱动器
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
- 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- SiC MOSFET 和 IGBT 高达 1500Vpk
- 36V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
- 2.8A输出,用于直接驱动外部缓冲器PMOS/NMOS对。
- 最小 200V/ns CMTI
- 200ns 响应时间快速 DESAT 保护,具有 9V 阈值
- 外部有源米勒夹具
- 具有 1A 灌电流能力的专用软关断 (SSD) 引脚。关断电流可由外部电阻器控制。
- 隔离侧的ASC输入,可在系统故障时打开电源开关。通过低压侧的ASC_FB报告ASC状态。
- FLT 的过流报告和 RST/EN 复位
- RST/EN 上的快速启用/禁用响应
- 12V VDD UVLO,RDY上电源良好
- RDY 电源良好的过热保护
- 100ns(最大)传播延迟
- 28-DFP 宽体封装,爬电距离和间隙> 8mm
- 工作结温 –40°C 至 150°C
参数

方框图

1. 核心特性
- 汽车级认证:通过AEC-Q100 Grade 1认证(-40°C至+125°C工作温度范围)。
- 高隔离性能:5kVRMS隔离电压,10kVPK浪涌抗扰度,200V/ns共模瞬态抗扰度(CMTI),基于SiO2隔离技术。
- 驱动能力:双路2.8A输出(OUTP/OUTN),支持直接驱动外部PMOS/NMOS缓冲对,输出电源范围VDD-VEE达36V(最大30V工作电压)。
- 快速保护:
- DESAT保护响应时间200ns(阈值9V),支持软关断(SSD)功能,关断电流可通过外部电阻调节。
- 外部有源米勒钳位(CLMPE引脚),防止开关管误开通。
- 高级功能:
- 主动短路(ASC)功能:系统故障时强制导通功率开关,ASC状态通过ASC_FB反馈。
- 故障报告:通过FLT引脚(开漏输出)上报过流/短路事件,支持RST/EN引脚复位。
- 封装:28引脚DFP(SSOP)宽体封装,爬电距离>8mm。
2. 关键参数
- 电源要求:
- 输入侧(VCC):3V-5.5V,静态电流1-7mA。
- 输出侧(VDD-COM):13V-30V,COM-VEE:-16V至0V。
- 时序特性:
- 传播延迟100ns(最大值),通道死区时间25-85ns。
- 最大开关频率100kHz。
- 保护阈值:
- VCC UVLO:2.75V(上升)/2.65V(下降)。
- 过热保护:155°C(阈值),20°C滞后。
3. 典型应用
- 电动汽车:牵引逆变器、车载充电器、充电桩。
- 工业电源:DC-DC转换器(HEV/EV)、电机驱动、太阳能逆变器。
- 模块驱动:支持SiC MOSFET和IGBT(最高1500V DC总线电压)。
4. 设计要点
- 布局建议:
- VDD/VEE旁路电容:≥1μF(靠近驱动引脚)+ 10μF(靠近功率器件)。
- 缩短OUTP/OUTN至缓冲MOSFET的走线,降低寄生电感。
- 保护电路:
- 控制逻辑:
- IN+/IN-支持PWM互锁功能,防止半桥直通。
- RST/EN引脚需保持高电平以启用驱动,低电平脉冲(>800ns)可复位故障。
总结:UCC218915-Q1是一款面向汽车高压系统的隔离预驱动器,兼具高速开关(100ns延迟)与多重保护(DESAT/ASC/米勒钳位),适用于SiC/IGBT模块驱动,文档提供了从选型到布板的完整设计指导。
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