UCC27519A-Q1 具有 5V UVLO、使能和 CMOS 输入的汽车类 4A/4A 单通道栅极驱动器数据手册

UCC2751xA-Q1 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 电源开关。凭借本质上最小化击穿电流的设计， UCC2751xA-Q1 系列器件可向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲 提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟（通常为 17 ns）。

UCC2751xA-Q1 系列器件提供 4A 拉电流、4A 灌电流（对称驱动） VDD = 12 V 时的峰值驱动电流能力。
*附件：ucc27519a-q1.pdf

UCC2751xA-Q1 系列器件可在 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围内工作，并且 –40°C 至 140°C 的宽温度范围。 VDD 引脚上的内部欠压锁定 （UVLO） 电路 在 VDD 工作范围之外保持低电平输出。能够在低电压水平下运行，例如 低于 5 V，具有一流的开关特性，特别适合驱动 新兴的宽带隙功率开关器件，例如 GaN 功率半导体器件。

UCC2751xA-Q1 系列器件的输入引脚阈值基于 CMOS 逻辑 其中，阈值电压是 VDD 电源电压的函数。通常，输入高电平 阈值 （V IN–H ） 为 55% VDD 系列和 input 低电平 阈值 （V IN-L ） 为 39% V DD 系列 .宽滞后 （16%） VDD 系列通常）提供出色的噪声 抗扰度，并允许用户在输入 PWM 信号和 器件的 INx 引脚。

UCC2751xA-Q1 系列器件还在 EN 上具有可浮动的使能功能 针。EN 引脚可以处于无连接状态，从而实现引脚对引脚的兼容性 分别在 UCC2751xA-Q1 系列器件和 TPS2828-Q1 或 TPS2829-Q1 器件之间。 使能引脚阈值是一个固定的电压阈值，不会随 VDD 系列pin 偏置电压。通常，启用高阈值 （V EN-H 系列 ） 为 2.1 V，使能低阈值 （V EN-L 系列 ) 为 1.25 V。

特性

• 适用于汽车应用
• 符合 AEC-Q100 标准，结果如下：
  • 器件符合汽车标准的 1 级：-40°C
    至 +125°C 环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类 2 级
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
• 低成本栅极驱动器器件，可出色
  地替代 NPN 和 PNP 分立解决方案
• 与 TI 的 TPSS2828-Q1
  和 TPS2829-Q1 引脚对引脚兼容
• 4A 峰值拉电流和 4A 峰值灌电流对称
  驱动
• 快速传播延迟（典型值为 17ns）
• 快速上升和下降时间（典型值为 8ns 和 7ns）
• 4.5V 至 18V 单电源范围
• 在 VDD UVLO 期间，输出保持低电平（确保在
  上电和
  断电时无毛刺运行）
• CMOS 输入逻辑阈值 （带迟滞的电源
  电压函数）
• 具有高抗噪
  能力的迟滞逻辑阈值
• 用于启用功能的 EN 引脚（允许不
  连接）
• 能够在 Input 和 Enable 引脚上
  支持负电压 （–5 V）
• 当 Input Pins 悬空时 Output Held Low
• 输入引脚绝对最大电压电平不受
  VDD 引脚偏置电源电压限制
• 工作温度范围为 –40°C 至 140°C
• 5 引脚 DBV 封装 （SOT-23）

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌产品型号‌：UCC9A-Q1
• ‌类型‌：单通道高速低端栅极驱动器
• ‌特点‌：
  • 适用于汽车应用，符合AEC-Q标准
  • 宽工作电压范围：.V至V
  • 宽工作温度范围：-°C至+5°C
  • 高源电流和高漏电流能力：4A源电流，A漏电流（对称驱动）
  • 极小的传播延迟：典型值为7ns
  • 快速上升和下降时间：典型值分别为ns和7ns
  • 轨到轨驱动能力
  • 支持负输入电压（-V）
  • CMOS输入逻辑阈值
  • 浮空使能功能

2. 应用领域

• 汽车
• 开关电源
• DC-DC转换器
• 数字功率控制器的配套栅极驱动器
• 太阳能电源、电机控制、UPS
• 新兴宽禁带功率器件（如GaN）的栅极驱动器

3. 主要特性

• ‌输入阈值‌：基于CMOS逻辑，输入高阈值（VIN_H）为5%VDD，输入低阈值（VIN_L）为9%VDD，具有宽滞回特性（典型值为%VDD），提供优异的噪声免疫能力。
• ‌使能功能‌：使能引脚（EN）具有固定电压阈值，使能高阈值（VEN_H）为2.1V，使能低阈值（VEN_L）为.5V，允许引脚浮空以实现与TPS-Q1和TPS9-Q的引脚对引脚兼容。
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：内部UVLO电路在VDD引脚电压超出工作范围时保持输出低电平，确保在电源上电和下电时无故障操作。
• ‌输出特性‌：输出高电平和低电平电压典型值分别为VDD-mV和GND+0mV，具有极低的输出上拉电阻和下拉电阻。

4. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：SOT-3（5引脚DBV封装）
• ‌尺寸‌：.0mm × 1.mm

5. 推荐工作条件

• ‌ 供电电压（VDD） ‌：.V至V
• ‌ 输入电压（IN+和EN） ‌：0V至8V
• ‌工作环境温度‌：-°C至°C

6. 电气特性

• ‌源/漏峰值电流‌：±4A（VDD=2V）
• ‌输出高/低电平电压‌：VDD-mV至GND+0mV（典型值）
• ‌上升/下降时间‌：8ns/ns（典型值）
• ‌输入到输出传播延迟‌：7ns（典型值）

7. 布局指南

• 栅极驱动器应尽可能靠近功率器件放置，以最小化高电流迹线的长度。
• VDD旁路电容器应尽可能靠近驱动器放置，以改善噪声滤波。
• 最小化开关电流环路路径，以减少寄生电感。
• 使用地面平面提供噪声屏蔽。

8. 热考虑因素

• 提供了热阻等热度量标准，以帮助设计师评估散热性能。

9. 电源耗散

• 电源耗散包括静态功耗和开关功耗两部分，其中静态功耗非常低（小于1mA），开关功耗取决于栅极电荷、开关频率和外部栅极电阻的使用。