UCC53x0 是单通道隔离式栅极驱动器系列,设计用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出,可单独控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部夹具,以防止米勒电流引起的误导通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准,以获得真正的 UVLO 读数。
*附件:ucc5320.pdf
UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装,可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些不同的选项,UCC53x0 系列非常适合电机驱动器和工业电源。
与光耦合器相比,UCC53x0 系列具有更低的器件间偏斜、更低的传播延迟、更高的工作温度和更高的 CMTI。
特性
- 功能选项
- 分离输出 (UCC53x0S)
- UVLO 以 GND2 为基准 (UCC53x0E)
- 米勒夹具选项 (UCC53x0M)
- 8 引脚 D(4mm 爬电距离)和 DWV(8.5mm 爬电距离)封装
- 60ns (典型值) 传播延迟
- 最小 CMTI 为 100kV/μs
- 隔离栅寿命 > 40 年
- 3V 至 15V 输入电源电压
- 高达 33V 的驱动器电源电压
- 8V 和 12V UVLO 选项
- 输入引脚上的负 5V 处理能力
- 安全相关认证:
- 7000VPK 隔离 DWV(计划)和 4242VPK 隔离 D,符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1
- 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D 隔离额定值,持续 1 分钟,符合 UL 1577 标准
- 符合 GB4943.1-2011 D 和 DWV(计划)的 CQC 认证
- CMOS 输入
- 工作温度:–40°C 至 +125°C
参数
方框图
概述
UCC是一款由Texas Instruments(TI)生产的单通道隔离栅极驱动器,设计用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN FET等功率半导体器件。该驱动器提供高达kV RMS和kV RMS的隔离电压,适用于电机驱动和工业电源供应等应用。
主要特性
- 隔离电压:提供kV RMS(D封装)和kV RMS(DWV封装)的隔离电压。
- 低传播延迟:典型传播延迟为ns,适用于高速开关应用。
- 高共模瞬态抑制能力:CMTI高达kV/μs,有效抑制共模噪声干扰。
- 宽输入电压范围:输入电源电压范围为V至V,适应不同控制电路的电压需求。
- 输出能力:提供.A源电流和.A沉电流,适用于驱动多种功率半导体器件。
- 多种保护功能:包括欠压锁定(UVLO)、短路夹持、活动下拉等保护功能,提高系统可靠性。
- 多种封装选项:提供mm SOIC-(D)和.mm SOIC-(DWV)两种封装,满足不同应用需求。
应用领域
- 电机驱动:用于驱动电机控制系统中的功率半导体器件,提高电机效率和性能。
- 工业电源供应:为工业设备提供稳定可靠的电源供应,支持各种工业应用场景。
- 其他隔离驱动需求:适用于需要高隔离电压和快速开关速度的隔离驱动应用。
功能描述
输入阶段
输出阶段
- 输出阶段具有高速开关能力和高输出电流,适用于驱动大功率半导体器件。
- 提供分裂输出(UCCxS)和Miller夹持(UCCxM)选项,满足不同应用需求。
- 具有活动下拉功能,在无电源连接时防止误动作。
保护功能
- 欠压锁定(UVLO) :监测输入和输出电源电压,当电压低于阈值时关闭输出,防止欠压工作。
- 短路夹持:在短路条件下限制输出电压,保护功率半导体器件不受损坏。
- Miller夹持:防止由Miller效应引起的误动作,提高系统稳定性。
典型应用
UCC的典型应用包括驱动IGBT、MOSFET等功率半导体器件,在电机驱动、工业电源供应等领域具有广泛应用。设计时应考虑输入和输出滤波、电源布局、散热等因素,以确保驱动器的稳定可靠运行。
电源推荐
推荐输入电源电压范围为V至V,输出电源电压根据具体应用需求选择。为降低噪声干扰和提高稳定性,应在输入和输出电源引脚附近添加适当的旁路电容。
封装与订购信息
UCC提供D和DWV两种封装选项,用户可根据具体需求选择合适的封装和型号。封装信息包括尺寸、引脚排列、材料等详细参数,用户可参考数据手册中的封装信息部分。
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