UCC27518 和 UCC27519 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件可以 有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。使用本质上最小化 击穿电流、UCC27518 和 UCC27519 可以将高峰值电流脉冲源出和吸收到 电容性负载提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟 通常为 17 ns。
UCC27518 和 UCC27519 提供 4A 拉电流、4A 灌电流(对称驱动)峰值驱动 VDD = 12 V 时的电流能力。
*附件:ucc27519.pdf
UCC27518 和 UCC27519 设计用于在 4.5 V 至 18 V 的宽 VDD 范围内工作 以及 –40°C 至 140°C 的宽温度范围。 内部欠压锁定 (UVLO) 电路开启 VDD 引脚将输出保持在 VDD 工作范围之外的低电平。能够在低电压下工作 低于 5 V 的水平以及一流的开关特性特别适合 用于驱动新兴的宽带隙功率开关器件,如 GaN 功率半导体 设备。
UCC27518 和 UCC27519 的输入引脚阈值基于 CMOS 逻辑,其中 阈值电压是 VDD 电源电压的函数。通常输入高阈值 (V IN-H 系列 ) 为 55% VDD 系列和 Input Low Threshold (V IN-L 系列 ) 为 39% V DD 系列 .宽滞后 (16%) VDD 系列通常)提供出色的噪声 抗扰度,并允许用户使用输入 PWM 信号和 INx 之间的 RC 电路引入延迟 pin 的 intent 的 intent 的
UCC27518 和 UCC27519 在 EN 引脚上还具有可浮动的使能功能。英文 pin 可以保持 no connect 状态,这允许 UCC27518、UCC27519 和 TPS2828 分别TPS2829。EN 引脚的阈值是固定的 电压阈值,不随 V 变化DD 系列pin 偏置电压。 通常,启用高阈值 (V EN-H 系列 ) 为 2.1 V,使能为低电平 阈值 (V EN-L 系列 ) 为 1.25 V。
特性
- 低成本、栅极驱动器器件,可出色
地替代 NPN 和 PNP 分立解决方案 - 与 TI 的 TPS2828 和
TPS2829 器件引脚对引脚兼容 - 4A 峰值拉电流和 4A 峰值灌电流对称驱动
- 快速传播延迟(典型值为 17ns)
- 快速上升和下降时间(典型值为 8ns 和 7ns)
- 4.5V 至 18V 单电源范围
- 在 VDD UVLO 期间,输出保持低电平(确保在上电和断电时
无毛刺运行) - CMOS 输入逻辑阈值 (带迟滞的电源
电压函数) - 具有高抗噪
能力的迟滞逻辑阈值 - 用于启用功能的 EN 引脚(允许为 No
Connect) - 当 Input Pins 悬空时 Output Held Low
- 输入引脚绝对最大电压电平不受
VDD 引脚偏置电源电压限制 - 工作温度范围为 –40°C
至 140°C - 5 引脚 DBV 封装 (SOT-23)
参数
方框图
一、产品概述
- 型号:UCC
- 类型:单通道、高速、低侧栅极驱动器
- 特点:
- 提供A源和A沉电流(对称驱动)
- CMOS输入逻辑阈值,阈值电压随VDD变化
- 宽VDD工作范围:.V至V
- 低传播延迟:典型值ns
- 输出在VDD欠压锁定(UVLO)期间保持低电平
- 具有使能(EN)引脚,允许独立控制输出
二、应用领域
三、引脚配置与功能
- EN:使能输入,高电平使能输出,低电平禁用输出,允许悬空以实现与TPS的引脚兼容。
- GND:地,所有信号参考此引脚。
- IN+ :非反相输入,当驱动器工作在非反相配置时,连接此引脚以启用输出。
- OUT:驱动器的源/沉电流输出。
- VDD:偏置供电输入。
四、电气特性
- VDD工作范围:.V至V
- 输入阈值:
- VIN_H(输入高阈值):典型值%VDD
- VIN_L(输入低阈值):典型值%VDD
- 输入滞回:典型值%VDD
- 输出特性:
- 峰值源/沉电流:A
- 高电平输出电压(VOH):VDD - mV至mV(VDD=V时)
- 低电平输出电压(VOL):mV至.mV(VDD=V时)
- 传播延迟:
- IN+到输出延迟:典型值ns(VDD=V)
- EN到输出高电平延迟:典型值ns(VDD=V)
- EN到输出低电平延迟:典型值ns(VDD=V)
五、保护功能
- UVLO:欠压锁定功能,当VDD电压低于UVLO阈值时,输出被拉低。
六、设备功能模式
- 非反相模式:当IN+引脚为高电平时,OUT输出高电平;当IN+引脚为低电平时,OUT输出低电平。
- 使能功能:EN引脚为高电平时启用输出,EN引脚为低电平时禁用输出。
七、典型应用
- 提供了典型应用电路图,展示了如何使用UCC驱动功率MOSFET。
- 详细描述了设计要求和设计过程,包括输入输出逻辑配置、VDD偏置供电电压、峰值源和沉电流、传播延迟、使能功能等考虑因素。
八、布局指南
- 推荐将驱动器尽可能靠近功率MOSFET放置,以最小化栅极驱动回路的电感。
- 推荐在VDD和GND之间放置低ESR/ESL陶瓷电容器,以支持FET开通时的高峰值电流。
- 提供了布局示例和功率耗散考虑因素。
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