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UCC21750-Q1 汽车5.7kVrms,±10A单通道隔离栅极驱动器数据手册

科技绿洲 2025-05-17 10:42 次阅读
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UCC21750-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFETIGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧采用 SiO 2 电容隔离技术与输出侧隔离,支持高达 1.5 kV RMS 的工作电压、12.8 kV PK 浪涌抗扰度,隔离栅寿命超过 40 年,并提供低器件间偏移和> 150 V/ns 共模噪声抗扰度 (CMTI)。
*附件:ucc21750-q1.pdf

UCC21750-Q1 包括最先进的保护功能,例如快速过流和短路检测、分流电流传感支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO,以优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性。隔离式模拟转 PWM 传感器可用于更轻松的温度或电压传感,进一步提高驱动器的多功能性,并简化系统设计工作量、尺寸和成本。

特性

  • 5.7kV RMS 单通道隔离栅极驱动器
  • 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD – VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 最小 CMTI 为 150V/ns
  • 200ns 响应时间快速 DESAT 保护
  • 4-A 内部主动式米勒夹具
  • 发生故障时 400mA 软关断
  • 带 PWM 输出的隔离模拟传感器,用于
  • 过流警报 FLT 并从 RST/EN 复位
  • RST/EN 的快速启用和禁用响应
  • 抑制 < 40ns 噪声瞬态和输入引脚上的脉冲
  • 12V VDD UVLO,RDY 上电源正常
  • 输入/输出具有高达 5 V 的过冲/下冲瞬态电压抗扰度
  • 130ns(最大值)传播延迟和 30ns(最大值)脉冲/部件偏移
  • SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙距离> 8 mm
  • 工作结温 –40°C 至 150°C

参数
image.png

方框图

image.png

一、产品概述

UCC0-Q是一款针对SiC MOSFET和IGBT设计的0A源/漏增强型隔离单通道栅极驱动器,具有主动保护功能、隔离模拟传感和高共模瞬态抑制能力(CMTI)。该驱动器适用于电动汽车(EV)牵引逆变器、车载充电器、混合动力电动汽车(HEV)的DC/DC转换器等高功率应用。

二、主要特性

  • 高隔离电压‌:.kV RMS隔离电压,支持1.5kV RMS工作电压和.kV峰值浪涌免疫。
  • 强驱动能力‌:±A峰值源和漏电流,可直接驱动SiC MOSFET和IGBT模块。
  • 快速保护‌:0ns响应时间的快速DESAT保护,防止过流和短路。
  • 隔离模拟传感‌:支持温度传感、高压直流母线电压传感等,输出PWM信号
  • 高CMTI‌:>0V/ns的共模瞬态抑制能力,确保系统稳定性。
  • 多种保护功能‌:包括过流和短路保护、UVLO(欠压锁定)、软关断等。

三、应用领域

  • 牵引逆变器(EVs)
  • 车载充电器和充电堆
  • HEV/EV的DC/DC转换器

四、功能描述

  • 主动米勒钳位‌:内部和外部米勒钳位功能,防止快速切换时的误触发。
  • DESAT保护‌:快速检测IGBT的Vce电压,实现过流和短路保护。
  • UVLO保护‌:输入和输出侧均具备UVLO保护,确保供电稳定。
  • 软关断‌:检测到故障时,以0mA的电流软关断IGBT,减少能量损耗和过压击穿风险。
  • 隔离模拟传感‌:通过AIN引脚输入模拟信号,转换为PWM信号输出,用于温度或电压监测。

五、典型应用

文档提供了一个使用UCC-Q1驱动IGBT模块的典型半桥应用电路,包括设计要求、设计步骤和布局指南。详细描述了如何选择合适的栅极电阻、计算峰值栅极电流、估计功率损耗等。

六、电源推荐

  • 输入供电电压(VCC) ‌:3V至.V,推荐使用µF电容旁路至GND。
  • 输出供电电压(VDD和VEE) ‌:宽范围供电,VDD最高可达V,VEE最低可达-5V,推荐使用µF电容旁路至COM。

七、布局指南

  • 驱动器位置‌:应尽可能靠近功率半导体,减小栅极回路的寄生电感。
  • 旁路电容‌:输入和输出侧的旁路电容应尽可能靠近相应的供电引脚放置。
  • 地平面‌:输入侧建议使用地平面屏蔽输入信号,输出侧根据具体应用决定是否使用地平面。
  • 隔离屏障‌:避免在隔离屏障下方放置PCB走线或铜层,以防噪声耦合
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