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UCC27532-Q1 具有 8V UVLO、35V VDD 和 CMOS 输入的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器数据手册

科技绿洲 2025-05-20 09:23 次阅读
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UCC27532-Q1 器件是一款单通道高速栅极驱动器,能够以高达 2.5A 的拉电流和 5A 的灌电流(非对称驱动)峰值电流有效驱动 MOSFETIGBT 功率开关。不对称驱动中强大的吸收能力增强了对寄生米勒转向效应的免疫力。UCC27532-Q1 器件还具有分离输出配置,其中栅极驱动电流通过 OUTH 引脚提供,并通过 OUTL 引脚吸收。这种引脚排列允许用户分别在 OUTH 和 OUTL 引脚上施加独立的导通和关断电阻器,并轻松控制开关转换速率。
*附件:ucc27532-q1.pdf

驱动器具有轨到轨驱动能力和 17ns(典型值)的极小传播延迟。

当 VDD 低于或等于 18V 时,UCC27532-Q1 器件具有以 CMOS 输入阈值为中心的 VDD 上升 55% 和下降 45%。当 VDD 高于 18V 时,输入阈值保持固定在最大电平。

驱动器具有一个具有固定 TTL 兼容阈值的 EN 引脚。EN 在内部被拉起;将 EN 拉低可禁用驱动程序,而将其保持打开状态可提供正常作。EN 引脚可用作附加输入,具有与 IN 引脚相同的性能。

将驱动器的 input pin 保持打开状态,使 output 保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在 Timing Diagram、Input/Output Logic Truth Table 和 中。

VDD 引脚上的内部电路提供欠压锁定功能,将输出保持为低电平,直到 VDD 电源电压处于工作范围内。

UCC27532-Q1 驱动器采用 6 引脚标准 SOT-23 (DBV) 封装。该器件可在 –40°C 至 140°C 的宽温度范围内工作。

特性

  • 适用于汽车应用
  • 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
    • 设备温度等级 1
  • 低成本栅极驱动器(为驱动 FET 和 IGBT 提供最佳解决方案)
  • 分立晶体管对驱动的绝佳替代品(提供与控制器的轻松接口
  • CMOS 兼容输入逻辑阈值(在 VDD 高于 18V 时固定)
  • 分离输出允许单独的导通和关断调谐
  • 使用固定 TTL 兼容阈值启用
  • 18V VDD 时具有 2.5A 拉电流和 5A 灌电流峰值驱动电流
  • 10V 至 35V 的宽 VDD 范围
  • 输入引脚能够承受高达地电位以下 –5V 的直流电压
  • 当输入悬空或在 VDD UVLO 期间,输出保持低电平
  • 快速传播延迟(典型值为 17ns)
  • 快速上升和下降时间(1800pF 负载时,典型值为 15ns 和 7ns)
  • 欠压锁定 (UVLO)
  • 用作高侧或低侧驱动器(如果设计具有适当的偏置和信号隔离)
  • 低成本、节省空间的 6 引脚 DBV (SOT-23) 封装
  • 工作温度范围为 –40°C 至 140°C

参数
image.png

方框图
image.png

. 产品概述

  • 型号‌:UCC-Q
  • 类型‌:单通道高速栅极驱动器
  • 应用‌:适用于驱动FET和IGBT,适用于汽车、开关电源DC-DC转换器等应用
  • 特点‌:
    • AEC-Q认证,适用于汽车应用
    • 高性价比,可替代离散晶体管对驱动
    • CMOS兼容输入逻辑阈值
    • 分裂输出配置,允许独立调整开关速度
    • 固定TTL兼容使能阈值
    • 高源电流(.A)和高漏电流(A)
    • 宽VDD范围(V至V)
    • 输入引脚可承受高达-V的负电压
    • 输出在输入浮空或VDD欠压锁定(UVLO)时保持低电平
    • 快速传播延迟(典型值ns)
    • 快速上升和下降时间(典型值分别为ns和ns)

. 封装与尺寸

  • 封装类型‌:引脚SOT-(DBV)
  • 尺寸‌:.mm × .mm

. 电气特性

  • VDD欠压锁定‌:
    • VON(供电启动阈值):.V(典型值)
    • VOFF(供电停止阈值):.V(典型值)
    • VDD滞回电压:.V
  • 输入特性‌:
    • VIN_H(输入高阈值):约%VDD(VDD≤V)
    • VIN_L(输入低阈值):约%VDD(VDD≤V)
    • 输入滞回:.V(典型值)
  • 使能特性‌:
    • VEN_H(使能高阈值):.V(典型值)
    • VEN_L(使能低阈值):.V(典型值)
    • 使能滞回:.V
  • 输出特性‌:
    • ISRC(源峰值电流):.A(VDD=V)
    • ISNK(漏峰值电流):A(VDD=V)
    • VOH(输出高电平电压):VDD-.V(典型值)
    • VOL(输出低电平电压):.V(典型值)
    • ROH(输出上拉电阻):Ω(典型值,°C)
    • ROL(输出下拉电阻):.Ω(典型值,°C)

. 应用领域

  • 汽车
  • 开关电源
  • DC-DC转换器
  • 太阳能逆变器电机控制、UPS
  • HEV和EV充电器
  • 家用电器
  • 可再生能源电力转换
  • SiC FET转换器

. 功能模式

  • 输入与输出逻辑‌:根据IN和EN引脚的电平,OUTH和OUTL引脚呈现不同的输出状态。
  • UVLO保护‌:当VDD电压低于VON或高于VOFF时,输出被锁定在低电平。

. 布局指南

  • 将驱动器尽可能靠近功率器件放置,以最小化高电流迹线的长度。
  • 将VDD旁路电容器放置在尽可能靠近驱动器的地方,以改善噪声滤波。
  • 最小化开关电流环路路径,以减少寄生电感。
  • 使用星点接地来最小化噪声耦合

. 热考虑因素

  • 提供了热阻等热度量标准,以帮助设计师评估散热性能。

. 电源耗散

  • 电源耗散包括静态功耗和开关功耗两部分。静态功耗非常低(小于mA),开关功耗取决于栅极电荷、开关频率和外部栅极电阻的使用。
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