LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 单通道栅极驱动器数据手册

LMG1020 器件是一款单通道低侧驱动器，设计用于在高速应用中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET，包括 LiDAR、飞行时间、面部识别以及任何涉及低侧驱动器的电源转换器。LMG1020 的设计简单性可实现 2.5 纳秒的极快传播延迟和 1 纳秒的最小脉冲宽度。通过在栅极与 OUTH 和 OUTL 之间分别连接外部电阻器，可以独立调节上拉和下拉边缘的驱动强度。
*附件：lmg1020.pdf

该驱动器具有欠压锁定 （UVLO） 和过热保护 （OTP） 功能，可在过载或故障情况下使用。

0.8mm × 1.2mm WCSP 封装LMG1020可最大限度地降低栅极环路电感，并最大限度地提高高频应用中的功率密度。

特性

• 用于 GaN 和硅 FET 的低侧超快速栅极驱动器
• 1 ns 最小输入脉冲宽度
• 高达 60 MHz 的工作频率
• 2.5 ns（典型值），4.5 ns（最大传播延迟）
• 400 ps（典型值）上升和下降时间
• 7A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
• 5V 电源电压
• UVLO 和过热保护
• 0.8 mm × 1.2 mm WCSP 封装

参数

方框图

概述

LMG是一款专为驱动GaN FET和逻辑级MOSFET设计的低侧栅极驱动器，适用于高速应用，如LiDAR、飞行时间激光驱动器、面部识别等。其特点包括极低的传播延迟（.ns典型值）、高速开关性能以及独立的源极和漏极驱动能力。

. 主要特性

• ‌超低传播延迟‌：典型值为.ns，最大值为.ns。
• ‌高速开关‌：上升和下降时间典型值为ps。
• ‌高驱动能力‌：峰值源电流A，峰值漏电流A。
• ‌低电压供电‌：V单电源供电。
• ‌保护功能‌：欠压锁定（UVLO）和过温保护（OTP）。
• ‌小封装‌：采用.mm x .mm WCSP封装，最小化栅极环路电感。

. 应用领域

• LiDAR系统
• 飞行时间（ToF）激光驱动器
• 面部识别技术
• Class-E无线充电器
• VHF谐振功率转换器
• GaN基同步整流器
• 增强现实（AR）设备

. 功能描述

. 输入阶段

• 采用两个施密特触发器输入（IN+和IN-），减少噪声敏感性。
• IN+和IN-信号通过AND门逻辑处理，确保输入稳定性。

. 输出阶段

• 提供OUTH（源极输出）和OUTL（漏极输出）两个独立输出，允许用户通过外部电阻独立调整开通和关断驱动强度。
• OUTL在欠压条件下被拉低，防止意外电荷积累。

. 欠压锁定（UVLO）

• UVLO阈值设定在.V至.V之间，具有mV的迟滞，确保GaN功率器件在低RDS(ON)区域切换。

. 过温保护（OTP）

• OTP触发点约为°C，具有°C的迟滞，允许器件在结温低于°C时重新启动。

. 典型应用

• 推荐使用至少Ω的电阻连接在OUTH和OUTL，以避免由于感性振铃引起的电压过应力。
• 提供了详细的布局指南，强调最小化栅极环路电感和正确接地的重要性。

. 布局与接地

• 推荐使用四层或更高层数的PCB板，以减小寄生电感。
• 栅极驱动电阻和电容器应尽可能靠近LMG和GaN FET，以最小化环路电感。
• GND引脚应连接到GaN FET的源极，并尽可能接近LMG，以减少地弹噪声。

. 电源推荐

• 必须在VDD和GND引脚之间连接低ESR/ESL陶瓷电容器，以支持FET开通时的高峰值电流。
• 推荐使用.μF的或穿通式电容器（最靠近LMG）和μF的电容器组合。

. 文档与支持

• 提供了相关的技术文档、应用指南和PSpice模型。
• 可以通过TI的EE支持论坛获取快速的设计帮助和验证答案。