Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低侧栅极驱动器数据手册

Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低侧栅极驱动器设计用于驱动MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET和IGBT电源开关，具有3A峰值拉电流和3A峰值灌电流。该单通道高速驱动器具有最先进的去饱和检测时间和低压侧DSP/MCU故障报告功能。UCC57102Z-Q1驱动器具有出色的轨到轨驱动和输出瞬态处理能力（得益于反向电流）。 该驱动器还具有3 A典型峰值驱动强度，可在输入端处理-5 V电流。UCC57102Z/UCC57102Z-Q1驱动器符合汽车应用类AEC-Q100认证。该驱动器用于PTC加热器、牵引逆变器、电机驱动器和辅助子系统中。 UCC57102Z-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100标准。

数据手册：

*附件：Texas Instruments UCC57102Z-Q1低侧栅极驱动器数据手册.pdf

*附件：Texas Instruments UCC57102Z低侧栅极驱动器数据手册.pdf

特性

• 符合AEC-Q100标准的汽车应用 (UCC57102Z-Q1)
• 典型输出电流：3A（灌电流）、3A（拉电流）
• DESAT保护，带可编程延迟
• 传播延迟：26 ns（典型值）
• 发生故障时软关断
• 绝对最大VDD 电压：30V
• 输入和使能引脚，可承受高达-5V电压
• 严格的欠压锁定阈值，实现偏置灵活性
• 具有热关断功能的自保护驱动器
• 宽偏置电压范围
• 采用5 mm x 4 mm SOIC-8封装
• 工作结温范围：-40 °C至150 °C

应用

• HEV/EV PTC加热器
• 牵引逆变器
• 住宅电动汽车充电器
• 电机驱动器
• HVAC压缩机

功能框图