的LP0603系列低通无铅薄膜RF/微波滤波器，分享这款滤波器的设计特点、应用场景以及测试方法等内容。 文件下载： LP0603N5200ANTR.pdf 1. LP0603系列滤波器概述 LP0603系列滤波器采用集成薄膜（ITF）无铅焊球栅阵列（LGA）封装，基于薄膜多层技术制造。这种技术使得
2025-12-31 16:05:22
64 合粤车规贴片铝电解电容符合车载绿色制造标准，其环保特性、性能表现及认证体系均满足汽车电子对可靠性与环保性的严苛要求 ，具体分析如下： 一、环保合规性：无铅化与全球认证 无铅化生产 合粤电容全面符合
2025-12-26 16:46:12412 汽车级高精度无芯电流传感器 TLE4971 在电子工程师日常的硬件设计工作中，电流传感器是至关重要的组件。今天要为大家介绍英飞凌（Infineon）推出的 TLE4971 高精度无芯电流传感器，它
2025-12-20 15:40:14714 探索英飞凌最新120V沟槽功率MOSFET技术：从原理到应用 在电子工程领域，功率MOSFET技术的不断创新推动着各类电力电子设备向更高效率、更高功率密度和更高系统可靠性迈进。英飞凌作为行业的领军者
2025-12-20 10:35:06517 英飞凌双栅极MOSFET 80V 48V开关板：技术解析与应用前景 在现代电力电子领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是不可或缺的关键元件。英飞凌推出的双栅极MOSFET
2025-12-19 15:20:03225 探索 OptiMOS™ 5 汽车功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽车电子领域，功率 MOSFET 扮演着至关重要的角色。今天，我们将深入探讨英飞凌（Infineon
2025-12-19 10:20:16207 探索英飞凌OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET：电机驱动的新突破 在电子工程师的日常工作中，为电机驱动系统挑选合适的MOSFET至关重要。英飞凌最新推出的OptiMOS™ 7 40V N
2025-12-18 14:30:06185 安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布推出采用行业标准T2PAK顶部冷却封装的EliteSiC MOSFET，为汽车和工业应用的电源封装技术带来突破。这款新品为电动汽车、太阳能基础设施及储能系统等市场的高功率、高电压应用提供增强的散热性能、可靠性和设计灵活性。
2025-12-11 17:48:49736 威兆半导体推出的VS3540AC是一款面向-30V低压小电流场景的P沟道增强型功率MOSFET，采用SOT23小型封装，适配低压负电源切换、小型负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型
2025-12-10 09:44:34249 
在汽车电子领域，功率MOSFET模块的性能对于系统的效率和可靠性起着至关重要的作用。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的汽车功率MOSFET模块NXV08H300DT1，看看它有哪些独特的特性和优势。
2025-11-28 15:25:07259 
在汽车电子领域，功率 MOSFET 模块扮演着至关重要的角色。今天，我们将深入探讨 onsemi 的 NXV08H350XT1 汽车功率 MOSFET 模块，了解其特性、应用、电气参数等方面的内容，为电子工程师们在设计相关系统时提供参考。
2025-11-28 15:20:04237 
11月25日，英飞凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模块荣获2025年全球电子成就奖（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半导体
2025-11-26 09:32:50568 
仁懋电子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、高雪崩稳定性及无铅封装特性，适用于DC/DC转换器、高频开关与同步整流等领域
2025-11-25 15:23:16209 
仁懋电子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、无铅环保封装特性，适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型
2025-11-25 15:14:47190 mm封装，具有下拉和中心栅极设计，可提高功率密度、效率和散热性能。该N沟道MOSFET无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常适合用于ORing、电机驱动器、电源负载开关和直流/直流应用。
2025-11-24 15:35:18262 
的导通电阻、更高的功率密度以及出色的散热性能。该屏蔽栅极沟槽设计具有超低栅极电荷和1.3mΩ R~DS(on)~ 。紧凑型3.3mmx3.3mm下源双冷第二代封装无铅、无卤、无BFR，符合RoHS指令
2025-11-22 17:40:472215 大电流能力。NVD5867NL N通道MOSFET符合雪崩能量规格要求，通过AEC-Q101认证，并支持PPAP。这款N通道MOSFET无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。典型应用包括汽车电磁阀/继电器驱动器、汽车灯驱动器、汽车电机驱动器、汽车DC-DC转换器输出驱动器以及汽车信息娱乐系统。
2025-11-21 11:45:25365 
仁懋电子（MOT）推出的MOT3180G是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、高雪崩稳定性及无铅封装特性，适用于DC/DC转换器、高频开关与同步整流等领域
2025-11-20 15:31:06159 ，PCB布局，特别是贴片封装功率MOSFET管，要在源极、漏极管脚充分敷设铜皮进行散热。功率MOSFET管数据表的热阻测量通常有一定限制条件，如元件装在1平方英2OZ铜皮电路板上进行测量，实际应用中，源
2025-11-19 06:35:56
选型手册：MOT3520JN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、高稳定性及无铅封装特性，适用于
2025-11-18 16:08:14326 仁懋电子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、无铅环保封装特性，适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型
2025-11-17 11:27:39241 时）、487A连续源极-漏极二极管电流（+25°C时）以及单一配置。SiJK5100E通过UIS测试，无铅和无卤。Vishay/Siliconix SiJK5100E N沟道MOSFET的工作温度范围为-55°C至+175°C。典型应用包括同步整流、自动化、电源、电机驱动控制和电池管理。
2025-11-11 13:42:26335 
仁懋电子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、大电流承载能力及PDFN3X3-8L小型化封装，适用于电机驱动（电动工具
2025-11-11 09:34:34187 仁懋电子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率系统逆变器
2025-11-05 15:28:39205 【2025年11月5日, 德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出其首款符合汽车电子委员会（AEC）汽车应用标准的氮化镓（GaN）晶体管系列
2025-11-05 14:31:0559490 
RoHS无铅工艺概述RoHS无铅工艺是为符合欧盟环保指令，在电子制造中使用锡银铜等无铅焊料，替代传统铅锡焊料，以限制电子产品中有害物质的技术。RoHS指令的环保要求RoHS指令的核心目标在于减少电子
2025-11-03 11:55:13338 
TE Connectivity (TE)/Linx Technologies无铅SMA连接器符合RoHS标准，无豁免，适用于电子设备行业。 此系列连接器提供稳健的解决方案、高可靠性、出色的性能和紧凑
2025-10-31 16:07:42633 
及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V（连续）和455V（瞬态）的TOLL封装新产品
2025-10-31 11:00:59297 的功率循环能力以及较长的使用寿命有着极高的要求。为满足这些需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFN
2025-10-29 17:02:571075 随着越来越多的无铅电子产品上市，可靠性问题成为许多人关注的焦点问题。与其它无铅相关问题(如合金选择、工艺窗口等)不同，在可靠性方面，我们经常会听到分歧很大的观点。一开始，我们听到许多“专家”说无铅
2025-10-24 17:38:29783 
一、产品概述MOT3712J是仁懋电子（MOT）推出的P沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面贴装封装，具备高功率与电流处理能力，聚焦PWM控制、负载开关、电源管理等场景，以低导通损耗
2025-10-24 15:59:53537 
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽车级N通道MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET，提供650V阻断电压。该功率MOSFET符合AQG
2025-10-24 09:17:32684 
在新能源、工业自动化及电力电子设备日益追求高功率密度与长期可靠性的背景下，高压电阻的环保性与性能表现成为设计关键。光颉科技推出的HVRG系列无铅高压厚膜电阻，凭借其全面环保特性和卓越的电气性能，为
2025-10-17 16:27:07460 
CMD177C3是 Qorvo（原Custom MMIC）推出的一款6–14 GHz 双平衡无源混频器，采用 3×3 mm QFN 无铅表贴封装，该器件可配合外部 90° 混合器与功分器，快速搭出
2025-10-16 09:17:28
电子发烧友网综合报道 顶部散热（TSC）封装在今年受到市场欢迎，在年中的上海慕尼黑展上我们注意到多家厂商推出了TSC封装产品，并提到这些产品目前市场需求量较大，尤其是在汽车OBC等应用中。 近期
2025-10-13 05:17:006242 PSMN1R9-80SSJ与100 V PSMN2R3-100SSJ两款开关器件能够提供增强的动态均流功能，专为需要并联多个匹配MOSFET的高功率48 V应用设计。此类应用涵盖叉车、电动滑板车、代步设备等电动交通工具的电机驱动系统，或高功率工业电机。
2025-10-10 11:22:27700 9 月 28 日消息，两家重要功率半导体企业德国英飞凌 Infineon 和日本罗姆 ROHM 本月 25 宣布双方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封装合作机制签署了备忘录。 根据这份协议，双方
2025-09-29 18:24:361709 
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）宣布，与英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能
2025-09-29 10:46:22303 一站式PCBA加工厂家今天为大家讲讲如何判断PCBA板是否使用无铅工艺?判断PCBA板是否使用无铅工艺的方法。在电子制造业，无铅工艺已成为环保生产的硬性标准。对于采购人员、质检工程师和产品开发者而言
2025-09-17 09:13:46489 Nexperia（安世半导体）近日推出40-100 V汽车MOSFET产品组合，该系列采用行业标准微引脚封装，专为车身控制、信息娱乐、电池防反保护及LED照明应用设计。
2025-09-12 09:38:45630 晶映 LED 停车场灯响应 GB 26572—2025 新标，以全系无铅技术破有铅危害，降碳省耗，助力停车空间绿色升级。
2025-09-03 10:52:46450 
在功率半导体领域，英飞凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列产品，单管有D2PAK-7L表贴式和TO-247-4HC高爬电距离通孔式两种封装形式。与上一代产品相比，英飞凌全新
2025-08-19 14:45:005067 
碳化硅（SiC）功率半导体技术引领者森国科，推出了采用SOT227封装的SiC MOSFET及JBS功率模块系列。这一突破性封装方案结合了高功率密度与系统级可靠性，为新能源发电、工业电源及电动汽车等领域提供高效能解决方案。
2025-08-16 13:50:093154 
在追求电子产品微型化与高可靠性的当下，激光无铅焊接作为一种高精度、非接触式的先进焊接技术，凭借其精准、清洁、高效的优势，已成为高精密PCBA加工的主要工艺之一。
2025-08-11 09:49:39944 一站式PCBA加工厂家今天为大家讲讲PCBA加工有铅工艺与无铅工艺差异有哪些?PCBA加工有铅工艺与无铅工艺的六大差异。作为拥有20余年PCBA代工经验的领卓电子，我们在长期服务全球客户的实践中
2025-08-08 09:25:45513 【2025年8月1日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装
2025-08-01 17:05:091506 基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块，该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术，在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
无铅焊接工艺的核心步骤如下，每个步骤均包含关键控制要点以确保焊接质量：
2025-08-01 09:13:39774 圣邦微电子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。
2025-07-10 17:21:522287 
高功率与电流承载能力 获得无铅产品认证 表面贴装封装
2025-07-10 14:13:02
0 电子发烧友网为你提供()密封光隔离高速功率 MOSFET 驱动器相关产品参数、数据手册，更有密封光隔离高速功率 MOSFET 驱动器的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，密封光隔离高速功率
2025-07-09 18:30:34
锡膏主要是由焊锡粉、助焊剂组合而成的膏状混合物，主要用于SMT加工行业，将电阻、电容、IC等电子元器件焊接在PCB板上。锡膏又分为无铅锡膏和有铅锡膏，无铅锡膏是电子元件焊接的重要材料，无铅锡膏指的是铅含量要求低于1000ppm(
2025-07-09 16:32:291294 
碳化硅MOSFET和肖特基二极管产品，通过顶部散热（TSC）封装，可以显著提升系统功率密度和效率，同时优化热管理性能并增强电路板布局灵活性。 本次新推出的U2系列产品全系采用顶部散热封装，提供650 V 至 1200 V 多种电压选项，面向电动汽车车载充电机及快速充电基础设
2025-07-08 00:55:003493 
无铅锡膏是一种环保型的焊接材料，在电子制造业中应用广泛。无铅锡膏规格型号根据应用领域和要求的焊接结果不同而不同。目前市面上常见的无铅锡膏规格型号有以下几种：
2025-07-03 14:50:36903 
【 2025 年 7 月 1 日 , 德国慕尼黑讯】 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiC
2025-07-02 15:00:301604 
。英飞凌预计将从2026年开始供货。此外，英飞凌还将为该平台提供其他产品，包括AURIX TC3x微控制器和电源管理IC。 HybridPACK Drive是英飞凌面向电动汽车的市场领先功率模块
2025-06-22 00:02:002999 当工业电源、储能设备、新能源交通等领域对功率密度的需求突破极限，传统MOSFET封装技术正面临前所未有的挑战。广东仁懋电子推出的TOLT顶部散热封装MOS，以颠覆性的散热设计与功率承载能力，成为
2025-06-18 13:27:371676 
AM206541TM-SN-R-TF功率放大器AMCOM原装现货AM206541TM-SN-R-TF是一款由AMCOM生产的宽带氮化镓（GaN）单片微波集成电路（MMIC）功率放大器，后缀TF指“无
2025-06-06 09:06:46
【2025年5月28日, 德国慕尼黑讯】 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSET™封装系统（SiP
2025-05-30 16:55:05489 
在消费电子、汽车电子等领域，柔性电路板（FPC）凭借柔性、轻薄、可弯曲折叠特性成为连接核心组件的“经脉络”。傲牛科技推出了超低温无铅无铋锡膏系列产品，从材料配方到工艺适配全方位突破，立志重新定义FPC焊接标准，打造成为热敏元件、FPC及高可靠场景的首选方案。
2025-05-28 10:15:51890 
CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径，
我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗？
使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点？
2025-05-28 06:51:33
座舱电子产品领导者伟世通（NASDAQ代码：VC）近日宣布，双方已签署谅解备忘录（MOU），将共同推进下一代电动汽车动力总成的开发。 英飞凌和伟世通将在此次合作中集成基于英飞凌半导体的功率转换器件，并重点使用宽禁带器件技术。与硅基半导体相比，该技术在功率转换应用中拥有显著优势
2025-05-23 16:30:401325 英飞凌推出2.5kW功率因数校正（PFC）评估板，展示TO-247 4针CoolMOS™ C7 MOSFET的高效能表现。该评估板集成PFC控制器、MOSFET驱动器和碳化硅二极管，专为电源电子工程师设计，用于评估4针封装在效率和信号质量上的优势。
2025-05-19 13:49:001208 
近年来，随着环保法规的日益严格以及电子设备向小型化、精密化发展的趋势，传统的含铅焊料逐渐被无铅焊料取代。在这一背景下，激光焊锡技术凭借其高效、精准、环保的特点，成为电子制造领域的重要发展方向之一。本文将重点探讨无铅低温锡膏激光焊接的研发进展及其市场趋势。
2025-05-15 13:55:26975 
，闻泰科技半导体业务近期推出领先行业的D2PAK-7封装车规级1200V SiC MOSFET，为电动汽车行业注入强劲新动能。
2025-05-14 17:55:021060 圣邦微电子推出 SGMNQ36430，一款 30V 单 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件可应用于 CPU 电源传输、DC/DC 转换器、功率负载开关以及笔记本电池管理等领域。
2025-05-09 16:57:26971 
Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。
2025-05-05 12:01:57537 
。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。 图源：英飞凌 在功率晶体管中集成SBD的做法，此前在SiC MOSFET中，业界有不少的研究。三菱在2013年提出了集成SBD的SiC MOSFET相关专利，并在2023年推出采用这种新型器件的SiC功率模块。 为什么
2025-04-28 00:19:003055 
近日，上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司发布了关于其无锡扩建功率半导体模块产线项目的环境影响评价(环评)公告。该项目的总投资额达到3.1亿元人民币，计划选址于无锡分公司，旨在进一步提升其生
2025-04-21 11:57:13785 
NexFET™ 功率 MOSFET 数据表.pdf 特性 低 Q g 和 Q GD 低 R DS（开） 低热阻 雪崩评级 无铅 符合 RoHS 标准 无卤素 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装 参数
2025-04-16 11:25:34775 
mm 塑料封装 参数 方框图 1. 产品概述 型号 ：CSD18513Q5A 类型 ：40V N沟道 NexFET 功率MOSFET 封装 ：SON 5mm × 6mm 塑料封装 特点 ：低导通电阻（R_DS(ON)）、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端
2025-04-16 10:54:00755 
NexFET™ 功率 MOSFET 数据表.pdf 特性 超低 Q g 和 Q GD 低 R DS（开） Low-Thermal Resistance 雪崩评级 无铅 符合 RoHS 标准 无卤素 SON
2025-04-16 10:35:32787 
™MOSFET器件以及EiceDRIVER™系列单通道磁隔离驱动器等全套功率半导体解决方案，助力科士达大功率高频UPS系统实现技术突破。英飞凌与科士达已共同携手三十余年，
2025-04-16 10:26:26826 
™ 功率 MOSFET 数据表 .pdf 特性 低 R DS（开启） 低热阻 雪崩评级 逻辑电平 无铅端子电镀 符合 RoHS 规范 无卤素 SON 5 mm × 6 mm 塑料封装 参数 方框图 1.
2025-04-16 10:20:33784 
MOSFET 数据表.pdf 特性 低 Qg 和 Qgd 低 RDS（ON） 低热阻 雪崩评级 无铅端子电镀 符合 RoHS 规范 无卤素 TO-220 塑料封装 参数 方框图 1. 产品特性 低栅极
2025-04-16 10:13:57763 
MOSFET 数据表.pdf 特性 低 R DS（开启） Low-Thermal Resistance 雪崩评级 逻辑电平 无铅端子电镀 符合 RoHS 标准 无卤素 SON 5 mm × 6 mm
2025-04-16 10:05:07663 
MOSFET 数据表.pdf 特性 低 Qg 和 Qgd 低 RDS（ON） 低热阻 雪崩评级 无铅端子电镀 符合 RoHS 规范 无卤素 TO-220 塑料封装 参数 方框图 1. 产品概述
2025-04-15 16:23:11772 
无铅锡膏是不含铅的环保焊接材料，主要由 Sn-Ag-Cu 等合金、助焊剂及添加剂组成，凭借无毒性、高性能和合规性，成为电子焊接的主流选择。与含铅锡膏相比，它在成分上杜绝重金属污染，性能上通过技术迭代
2025-04-15 10:27:552374 
在激光锡焊这一精密焊接技术领域，锡球作为关键的焊料，其特性直接关乎焊接质量与产品性能。在实际应用中，锡球主要分为有铅锡球和无铅锡球，二者在成分、熔点、环保性能、机械性能以及成本等方面存在显著差异
2025-03-27 10:19:391614 做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百
2025-03-25 13:43:17
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲SMT无铅工艺对电子元器件有什么要求？SMT无铅工艺对电子元器件的要求。随着环保意识的提高和电子制造行业的发展，SMT无铅工艺逐渐成为行业趋势。无铅工艺不仅
2025-03-24 09:44:09738 )封装技术，称为X.PAK。这种封装技术的创新之处在于其顶面冷却设计，使得设备在高功率应用中能够有效散热，极大地提升了整体性能。新推出的X.PAK封装尺寸紧凑，只有1
2025-03-20 11:18:11963 
【2025年3月12日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布推出新一代高密度功率模块，该模块将在实现AI
2025-03-19 16:53:22735 
英飞凌iSSI系列固态隔离器通过电气隔离屏障提供强大的能量传输能力，采用无磁芯变压器技术，体积小巧，无需隔离电源就能驱动非高频调制工况的MOS型功率晶体管，IGBT或MOSFET，适用于固态开关
2025-03-17 16:06:23605 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出两款先进的表面贴片封装选项，扩展其行业领先的高功率MOSFET产品组合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305 
英飞凌(Infineon)近日宣布，扩大其辐射耐受功率MOSFET系列，新增P沟道功率MOSFET，以满足日益增长的低地球轨道(LEO)空间应用需求。这一新产品的推出，标志着英飞凌在为新一代“新空间
2025-03-11 11:39:53736 
随着市场对高性能功率半导体器件宽SOA MOSFET需求的日益增长，新洁能（NCE）产品研发部门推出HO系列MOSFET产品，优化了SOA工作区间，可满足热插拔、缓启动、电子保险丝、电机驱动、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封装
2025-03-03 15:50:564323 
看英飞凌的OptiMOS 7系列产品。 官网产品列表 来源：英飞凌 OptiMOS系列是英飞凌面向中低压领域的产品，产品覆盖10V到300V区间，主打一个高性能和高性价比。OptiMOS系列的特点包括极低的RDS(on)以及高效率和高功率密度，适合于较高开关频率的应用，像通信应
2025-02-27 00:58:002676 
【2025年2月20日, 德国慕尼黑讯】 电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份
2025-02-21 16:38:52758 
英飞凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK™ Drive 是一款非常紧凑的六单元功率模块 （1200V/400A），针对混合动力和电动汽车进行了优化。
2025-02-20 18:07:182813 
TDK株式会社近期推出了两款全新的无铅NTC热敏电阻，以满足广泛的汽车和工业应用需求。这两款产品分别为带可弯曲引线的L862(B57862L)系列和具有引线间距的L871(B57871L)系列。 这
2025-02-11 09:58:43839 电子发烧友网站提供《SOT1174-1塑料、无铅极薄四边形扁平封装.pdf》资料免费下载
2025-02-10 14:50:050 英飞凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖
2025-02-08 11:24:57891 无铅锡线是一种在现代工业和电子领域中广泛使用的关键材料，其无铅特性使其成为环保和可持续性焊接的优先选择。以下由深圳佳金源锡线厂家来讲一下无铅锡线在各个应用领域中的广泛使用情况的详细介绍。1、电子制造
2025-01-17 17:59:071046 
的智能技术。针对这一趋势，英飞凌科技(InfineonTechnologies)推出了全新的MOTIX™BTM90xx系列全桥/H桥集成电路(IC)，为有刷直流电
2025-01-16 10:57:091058 
近日，瑞萨电子公司宣布推出新型100V高功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电应用而设计，以其卓越的高电流开关性能和行业领先的技术表现成为市场焦点。新型
2025-01-13 11:41:38957 
圣邦微电子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低导通电阻，单通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封装的 MOSFET 器件。该器件可应用于 VBUS 过电压保护开关，电池充放电开关和直流-直流转换器。
2025-01-08 16:34:241182 我们也发现Schweizer在更早前其实就已经推出了名为P²的封装方案，这个方案同样是将功率半导体嵌入PCB中。他们在2023年开始与英飞凌合作开发，将英飞凌1200V CoolSiC芯片嵌入到PCB中的技术，并应用到电动汽车上。 P ²封装的优势和应用 根据
2025-01-07 09:06:134389 
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