CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

这款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。
*附件：CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET 数据表.pdf

特性

• 低 RDS（开启）
• Low-Thermal Resistance
• 雪崩评级
• 逻辑电平
• 无铅端子电镀
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 5 mm × 6 mm 塑料封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌型号‌：CSD18513Q5A
• ‌类型‌：40V N沟道 NexFET 功率MOSFET
• ‌封装‌：SON 5mm × 6mm 塑料封装
• ‌特点‌：低导通电阻（R_DS(ON)）、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端子镀层、RoHS合规、无卤素

2. 应用领域

• DC-DC转换
• 次级侧同步整流
• 电池电机控制

3. 电气特性

3.1 静态特性

• ‌ 漏源电压（V_DS） ‌：40V
• ‌ 栅源阈值电压（V_GS(th)） ‌：1.5V 至 2.4V
• ‌ 导通电阻（R_DS(on)） ‌：
  • V_GS = 4.5V时：4.1mΩ 至 5.3mΩ
  • V_GS = 10V时：2.8mΩ 至 3.4mΩ
• ‌ 漏源泄漏电流（I_DSS） ‌：1μA（V_GS = 0V, V_DS = 32V）
• ‌ 栅源泄漏电流（I_GSS） ‌：100nA（V_DS = 0V, V_GS = 20V）

3.2 动态特性

• ‌ 输入电容（C_iss） ‌：3300pF 至 4280pF（V_GS = 0V, V_DS = 20V, f = 1MHz）
• ‌ 输出电容（C_oss） ‌：333pF 至 433pF
• ‌ 反向传输电容（C_rss） ‌：178pF 至 231pF
• ‌ 栅极总电荷（Q_g） ‌：
  • V_DS = 20V, I_D = 19A时：
    • V_GS = 4.5V：23nC 至 30nC
    • V_GS = 10V：45nC 至 59nC
• ‌ 栅极到漏极电荷（Q_gd） ‌：8.8nC
• ‌ 开启延迟时间（t_d(on)） ‌：6ns
• ‌ 上升时间（t_r） ‌：12ns
• ‌ 关断延迟时间（t_d(off)） ‌：21ns
• ‌ 下降时间（t_f） ‌：4ns

3.3 二极管特性

• ‌ 二极管正向电压（V_SD） ‌：0.8V 至 1.0V（I_SD = 19A, V_GS = 0V）
• ‌ 反向恢复电荷（Q_rr） ‌：12nC（V_DS = 20V, I_F = 19A, di/dt = 300A/μs）
• ‌ 反向恢复时间（t_rr） ‌：12ns

4. 热信息

• ‌ 结到壳热阻（R_θJC） ‌：1.3°C/W
• ‌ 结到环境热阻（R_θJA） ‌：
  • 典型值：50°C/W（安装在1in² 2oz Cu板上）
  • 最大值：125°C/W（安装在最小2oz Cu板上）

5. 绝对最大额定值

• ‌ 漏源电压（V_DS） ‌：40V
• ‌ 栅源电压（V_GS） ‌：±20V
• ‌ 连续漏电流（I_D） ‌：
  • 封装限制：100A
  • 硅限制（T_C = 25°C）：124A
• ‌ 脉冲漏电流（I_DM） ‌：400A
• ‌ 功率耗散（P_D） ‌：
  • 封装限制：3.1W
  • T_C = 25°C时：96W
• ‌ 工作结温（T_J）、存储温度（T_stg） ‌：-55°C 至 150°C
• ‌ 雪崩能量（E_AS） ‌：106mJ（单脉冲，I_D = 46A，L = 0.1mH，R_G = 25Ω）

6. 封装与订购信息

• ‌封装尺寸‌：详细尺寸图见数据表第8-9页
• ‌订购信息‌：
  • CSD18513Q5A：2500片/13英寸卷带
  • CSD18513Q5AT：250片/7英寸卷带