选型手册：MOT4529J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向 40V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借超低导通电阻、无铅环保封装特性，适用于 DC/DC 转换器等低压功率转换场景。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=4.5V\)时典型值28mΩ，\(V_{GS}=10V\)时典型值24mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：9A（\(T_A=25^\circ\text{C}\)），\(T_A=100^\circ\text{C}\)时降额为6.4A；脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达40A，满足负载瞬时过载需求。

二、核心特性

• 超低导通电阻：24~28mΩ 导通电阻设计，大幅降低低压大电流场景下的传导损耗，提升电源转换效率；
• 无铅环保封装：采用无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求；
• 小型化封装适配：采用PDFN3X3表面贴装封装，每卷 5000 片，适配高密度电路板的空间约束。

三、关键电气参数（\(T_A=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：2W，实际应用需结合 PCB 敷铜、散热焊盘等设计保障长期可靠工作；
• 热特性：结 - 环境热阻（\(R_{thJA}\)）62.5℃/W，需通过封装与 PCB 设计优化热管理；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN3X3 表面贴装封装，每卷 5000 片，适配高密度电路板的小型化设计需求；
• 典型应用：
  • DC/DC 转换器：在低压同步整流、降压拓扑中作为开关管，低损耗特性提升电源转换效率。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）