CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

这款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换损耗 应用。
*附件：CSD17581Q3A 30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表.pdf

特性

• 低 Qg和 QGD
• 低 RDS（开）
• 低热阻
• 雪崩评级
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌型号‌：CSD17581Q3A
• ‌类型‌：30V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET
• ‌封装‌：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
• ‌特点‌：低栅极电荷（Q_g）、低导通电阻（R_DS(on)）、低热阻、雪崩额定、无铅、RoHS合规、无卤素

2. 应用领域

• 点对点负载同步降压转换器，用于网络、电信和计算系统
• 电机控制应用
• 控制FET应用

3. 电气特性

3.1 静态特性

• ‌ 漏源电压（V_DS） ‌：30V
• ‌ 栅源阈值电压（V_GS(th)） ‌：1.0V 至 1.7V
• ‌ 导通电阻（R_DS(on)） ‌：
  • V_GS = 4.5V时：3.9mΩ 至 4.7mΩ
  • V_GS = 10V时：3.2mΩ 至 3.8mΩ
• ‌ 漏源泄漏电流（I_DSS） ‌：1μA（V_GS = 0V, V_DS = 24V）
• ‌ 栅源泄漏电流（I_GSS） ‌：100nA（V_DS = 0V, V_GS = 20V）

3.2 动态特性

• ‌ 输入电容（C_iss） ‌：2800pF 至 3640pF（V_GS = 0V, V_DS = 15V, f = 1MHz）
• ‌ 输出电容（C_oss） ‌：342pF 至 445pF
• ‌ 反向传输电容（C_rss） ‌：150pF 至 195pF
• ‌ 栅极总电荷（Q_g） ‌：
  • V_DS = 15V, I_D = 16A时：
    • V_GS = 4.5V：20nC 至 25nC
    • V_GS = 10V：41nC 至 54nC
• ‌ 栅极到漏极电荷（Q_gd） ‌：4nC
• ‌ 开启延迟时间（t_d(on)） ‌：12ns
• ‌ 上升时间（t_r） ‌：23ns
• ‌ 关断延迟时间（t_d(off)） ‌：23ns
• ‌ 下降时间（t_f） ‌：10ns

3.3 二极管特性

• ‌ 二极管正向电压（V_SD） ‌：0.8V 至 1.0V（I_SD = 16A, V_GS = 0V）
• ‌ 反向恢复电荷（Q_rr） ‌：10.2nC（V_DS = 15V, I_F = 16A, di/dt = 300A/μs）
• ‌ 反向恢复时间（t_rr） ‌：9.8ns

4. 热信息

• ‌ 结到壳热阻（R_θJC） ‌：2°C/W
• ‌ 结到环境热阻（R_θJA） ‌：
  • 典型值：45°C/W（安装在1in² 2oz Cu板上）
  • 最大值：160°C/W（安装在最小Cu板上）

5. 绝对最大额定值

• ‌ 漏源电压（V_DS） ‌：30V
• ‌ 栅源电压（V_GS） ‌：±20V
• ‌ 连续漏电流（I_D） ‌：
  • 封装限制：60A
  • 硅限制（T_C = 25°C）：101A
• ‌ 脉冲漏电流（I_DM） ‌：154A
• ‌ 功率耗散（P_D） ‌：
  • 封装限制：2.8W
  • T_C = 25°C时：63W
• ‌ 工作结温（T_J）、存储温度（T_stg） ‌：-55°C 至 150°C
• ‌ 雪崩能量（E_AS） ‌：76mJ（单脉冲，I_D = 39A，L = 0.1mH，R_G = 25Ω）

6. 封装与订购信息

• ‌封装尺寸‌：详细尺寸图见数据表第8页
• ‌推荐PCB布局‌：见数据表第9页
• ‌推荐钢网图案‌：见数据表第9页
• ‌卷带和卷轴信息‌：见数据表第10页
• ‌订购信息‌：
  • CSD17581Q3A：2500片/13英寸卷带
  • CSD17581Q3AT：250片/7英寸卷带

7. 支持与文档

• 提供文档更新通知、社区资源、商标信息、静电放电注意事项等。