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英飞凌作为半导体与系统解决方案行业领先者,提供微处理器,LED驱动,传感器以及汽车用集成电路与功率管理芯片等产品。
英飞凌目前正在开发 2020 年收购的前赛普拉斯半导体公司 (Cypress) 的“XMC”和“PSoC”,作为适用于工
英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET,满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需
基于英飞凌MCU PSoC™ 6的 Matter智能家居解决方案
2019年底,中国已成为全球最大的物联网市场,全球15亿台蜂窝网络连接设备中9.6亿台来自中国,占比64%。国内智能家居
英飞凌现已通过下属子公司英飞凌科技奥地利公司,正式状告位于珠海的英诺赛科、以及其在美分支机构涉嫌侵犯有关GaN技术的美国
【 2024 年 3 月 14 日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNN
2024-03-14 标签: 英飞凌 212 0
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
【 2024 年 3 月 13 日 , 德国慕尼黑 讯】 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码
2024-03-14 标签: 英飞凌 262 0
英飞凌IGBT7单管系列,作为目前炙手可热的光储应用新星产品,正受到众多玩家的追捧。本篇文章特地为大家贴心整理该系列产品
160V半桥SOI半桥驱动器驱动100V MOSFET评估套件
新品带iMOTIONMADK的160V半桥SOI半桥驱动器驱动100VMOSFET评估套件用于电池供电应用(BPA)的E
在全球半导体市场竞争日趋激烈的背景下,英飞凌科技正积极布局,通过优化销售组织,实现其雄心勃勃的增长目标。自今年3月1日起
英飞凌汽车安全控制器获ISO/SAE 21434认证,引领汽车网络安全新篇章
近日,全球领先的半导体科技公司英飞凌宣布,其SLI37系列汽车安全控制器成功获得了ISO/SAE 21434汽车网络安全
英飞凌推出高密度功率模块,为AI数据中心提供基准性能,降低总体拥有成本
【 2024 年 3 月 1 日, 德国慕尼黑和加利福尼亚州长滩 讯】 人工智能(AI)正推动全球数据生成量成倍增长,促使支持这一数据增长的芯片对能...
【英飞凌测评】英飞凌PSoC™ 62开发板试用报告-LCD ILI9341 8080 DEMO
# Infineon Psoc6-evaluationkit-062S2 说明 ## 简介 本文档为 `RT-Thread` 为 `PSoC6 CY8C...
英飞凌MCU AURIX™ TC4x特性概览 2024年下半年逐步量产
为扩展其领先的 AURIX™ 微控制器系列,英飞凌推出了用于电动交通、ADAS 、汽车 E/E 架构和经济型人工智能 (AI) 应用的新一代AURIX™...
应用于英飞凌EVAL_MA5302MS参考设计中的数字功放电感
2023年12月,全球领先的IC方案商英飞凌公司最新发布了数字功放参考设计EVAL_MA5302MS,该参考设计选用了科达嘉电子自主研制的数字功放电感C...
英飞凌目前正在开发 2020 年收购的前赛普拉斯半导体公司 (Cypress) 的“XMC”和“PSoC”,作为适用于工业和消费类等非汽车应用的 Arm...
英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET,满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱...
英飞凌现已通过下属子公司英飞凌科技奥地利公司,正式状告位于珠海的英诺赛科、以及其在美分支机构涉嫌侵犯有关GaN技术的美国专利,寻求永久禁令。
【 2024 年 3 月 14 日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今天通过其子公司英飞凌奥地利...
2024-03-14 标签:英飞凌 212 0
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
【 2024 年 3 月 13 日 , 德国慕尼黑 讯】 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-24...
2024-03-14 标签:英飞凌 262 0
160V半桥SOI半桥驱动器驱动100V MOSFET评估套件
新品带iMOTIONMADK的160V半桥SOI半桥驱动器驱动100VMOSFET评估套件用于电池供电应用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM...
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2,推动低碳化的高性能系统
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与...
在全球半导体市场竞争日趋激烈的背景下,英飞凌科技正积极布局,通过优化销售组织,实现其雄心勃勃的增长目标。自今年3月1日起,英飞凌的销售团队将进行重大重组...
英飞凌汽车安全控制器获ISO/SAE 21434认证,引领汽车网络安全新篇章
近日,全球领先的半导体科技公司英飞凌宣布,其SLI37系列汽车安全控制器成功获得了ISO/SAE 21434汽车网络安全管理体系认证,成为业内首家获得此...
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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BYM300B170DN2 | BYM300B170DN2 - IGBT-Modules - eupec GmbH |
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BYM300A170DN2 | BYM300A170DN2 - Diode Power Module - eupec GmbH |
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BYM200B170DN2 | BYM200B170DN2 - IGBT-Modules - eupec GmbH |
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IPU50R2K0CE | N-CHANNEL POWER MOSFET CE |
获取价格
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IPU50R3K0CE | N-CHANNEL POWER MOSFET CE |
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