探索 onsemi NXV08H350XT1 汽车功率 MOSFET 模块:设计与应用解析
在汽车电子领域,功率 MOSFET 模块扮演着至关重要的角色。今天,我们将深入探讨 onsemi 的 NXV08H350XT1 汽车功率 MOSFET 模块,了解其特性、应用、电气参数等方面的内容,为电子工程师们在设计相关系统时提供参考。
文件下载:onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模块.pdf
模块特性与优势
特性亮点
- 多用途设计:该模块为 2 相 MOSFET 模块,在客户端可通过组合 2 相输出功率端子,将其用作 1/2 桥 MOSFET 模块。这种灵活的设计方式,为不同的应用场景提供了更多的可能性。
- 电气隔离与紧凑设计:采用电气隔离的 DBC 基板,具有低热阻(Rthjc)特性,同时紧凑的设计使得模块总电阻较低。这不仅有助于提高模块的散热性能,还能在有限的空间内实现高效的功率转换。
- 高可靠性与合规性:模块达到 AQG324 标准,内部组件分别符合 AEC Q101(MOSFET)和 AEC Q200(无源元件)标准,并且符合 UL 94 V - 0 标准。此外,该器件无铅且符合 RoHS 指令,还经过了 HBM 和 CDM 的 ESD 测试,确保了在复杂环境下的可靠性和稳定性。
应用优势
- 节能与环保:适用于 48V 逆变器和 48V 牵引应用,能够实现小型、高效和可靠的系统设计,有助于降低车辆的燃油消耗和 $CO_{2}$ 排放。
- 简化装配:在车辆装配过程中,该模块能够简化装配流程,提高生产效率。
- 低热阻与低电感:通过在模块外壳和散热器之间直接安装热界面材料,实现了从结到散热器的低热阻,同时具有低电感特性,进一步提高了系统的性能。
方框图

封装尺寸

产品标识与订购信息
标识说明
模块的标识包含了特定的设备代码、批次 ID、组装和测试地点、年份、工作周以及序列号等信息,方便进行产品的追溯和管理。
订购信息
NXV08H350XT1 采用 APM17 - MDC 封装,无铅且符合 RoHS 标准,工作环境温度范围为 - 40°C 至 125°C,包装方式为管装。
引脚配置与功能
引脚图

引脚功能描述
| Pin No. | Description | Remark |
|---|---|---|
| 1 | Q2 Gate | |
| 2 | Q2 Source Sense | |
| 3 | B + #2Sense | |
| 4 | Q4 Gate | |
| 5 | Q4 Source Sense | |
| 6 | NTC1 | |
| 7 | Phase Out2 | For 3 phase motor inverter, those 2 pins can be used as one phase out |
| 8 | Phase Out1 | |
| 9 | NTC2 | |
| 10 | Q3 Source Sense | |
| 11 | Q3 Gate | |
| 12 | B + #1Sense | |
| 13 | Q1 Source Sense | |
| 14 | Q1 Gate | |
| 15 | B + #1 | |
| 17 | B + #2 |
电气与热性能参数
绝对最大额定值
| Symbol | Parameter | Max. | Unit |
|---|---|---|---|
| VDS(Q1~Q4) | Drain - to - Source Voltage | 80 | V |
| VGS(Q1 - Q4) | Gate - to - Source Voltage | +20 | V |
| EAS(Q1~Q4) | Single Pulse Avalanche Energy (Note 1) | 1946 | mJ |
| TJ | Maximum Junction Temperature | 175 | °C |
| TSTG | Storage Temperature | 125 | °C |
需要注意的是,超过这些最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
电气特性
在 $T_{J}=25^{\circ} C$ 的条件下,该模块具有一系列特定的电气特性,如漏源击穿电压(BVDSS)、栅源阈值电压(VGS(th))、源漏二极管电压(VSD)等。不同的 MOSFET 通道(Q1 - Q4)在导通电阻(RDS(ON))方面也有不同的表现,这与模块内部的测量路径有关。
热性能
模块的热阻(Rthjc)对于散热设计至关重要。该模块的热阻参数能够帮助工程师合理设计散热方案,确保模块在工作过程中保持稳定的温度。
动态与开关特性
动态特性
包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)、栅极电阻(Rg)、总栅极电荷(Qg(tot))等参数,这些参数反映了模块在动态工作过程中的性能。
开关特性
如导通时间(ton)、导通延迟时间(td(on))、导通上升时间(tr)、关断延迟时间(td(off))、关断下降时间(tf)和关断时间(toff)等,对于评估模块的开关速度和效率具有重要意义。
典型特性曲线
文档中提供了一系列典型特性曲线,如非钳位电感开关能力、饱和特性、导通电阻与栅极电压和温度的关系、归一化栅极阈值电压与温度的关系等。这些曲线能够帮助工程师更好地理解模块在不同工作条件下的性能表现。
机械特性与封装尺寸
机械特性
模块具有一定的平整度要求,同时在安装时需要注意安装扭矩。不同类型的螺丝可能会影响最大扭矩额定值,在特殊安装情况下,需要联系 onsemi 获取合适的安装信息。
封装尺寸
详细的封装尺寸信息为 PCB 设计提供了重要的参考,确保模块能够正确安装在电路板上。
总结
onsemi 的 NXV08H350XT1 汽车功率 MOSFET 模块具有多种优势,适用于 48V 逆变器和 48V 牵引等汽车电子应用。电子工程师在设计相关系统时,需要充分考虑模块的电气、热性能和机械特性等方面的参数,以确保系统的高效、可靠运行。同时,在实际应用中,还需要根据具体的工作条件对模块的性能进行验证和优化。你在使用类似的 MOSFET 模块时,遇到过哪些挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验。
-
MOSFET
+关注
关注
150文章
9417浏览量
229639 -
功率MOSFET
+关注
关注
0文章
390浏览量
22943
发布评论请先 登录
onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H桥功率模块技术解析
探索 NTMFS3D0N08X:高性能 N 沟道功率 MOSFET 的卓越之选
探索 onsemi NVH950S75L4SPB 功率模块:汽车牵引逆变器的理想之选
汽车功率MOSFET模块NXV08H300DT1:高效可靠的汽车电子解决方案
onsemi NVTYS020N08HL N沟道功率MOSFET:特性与应用详解
探索 onsemi NVHL025N065SC1:碳化硅 MOSFET 的卓越之选
探索onsemi NVBLS0D8N08X:高性能N沟道MOSFET的卓越之选
深入解析 onsemi NTMFS5H663NL N沟道功率MOSFET
深入解析 NTMFWS1D5N08X:高性能N沟道功率MOSFET的卓越之选
onsemi NTBLS0D8N08X N沟道功率MOSFET深度解析
探索 onsemi NVXK2VR80WXT2:SiC功率MOSFET模块的卓越性能
解析 onsemi SiC 功率MOSFET模块NVXK2PR80WXT2
onsemi NXH240B120H3Q1:Si/SiC混合模块的卓越性能解析

探索 onsemi NXV08H350XT1 汽车功率 MOSFET 模块:设计与应用解析
评论