0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

探索 onsemi NXV08H350XT1 汽车功率 MOSFET 模块:设计与应用解析

h1654155282.3538 来源:未知 作者:陈翠 2025-11-28 15:20 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

探索 onsemi NXV08H350XT1 汽车功率 MOSFET 模块:设计与应用解析

汽车电子领域,功率 MOSFET 模块扮演着至关重要的角色。今天,我们将深入探讨 onsemi 的 NXV08H350XT1 汽车功率 MOSFET 模块,了解其特性、应用、电气参数等方面的内容,为电子工程师们在设计相关系统时提供参考。

文件下载:onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模块.pdf

模块特性与优势

特性亮点

  • 多用途设计:该模块为 2 相 MOSFET 模块,在客户端可通过组合 2 相输出功率端子,将其用作 1/2 桥 MOSFET 模块。这种灵活的设计方式,为不同的应用场景提供了更多的可能性。
  • 电气隔离与紧凑设计:采用电气隔离的 DBC 基板,具有低热阻(Rthjc)特性,同时紧凑的设计使得模块总电阻较低。这不仅有助于提高模块的散热性能,还能在有限的空间内实现高效的功率转换。
  • 高可靠性与合规性:模块达到 AQG324 标准,内部组件分别符合 AEC Q101(MOSFET)和 AEC Q200(无源元件)标准,并且符合 UL 94 V - 0 标准。此外,该器件无铅且符合 RoHS 指令,还经过了 HBM 和 CDM 的 ESD 测试,确保了在复杂环境下的可靠性和稳定性。

应用优势

  • 节能与环保:适用于 48V 逆变器和 48V 牵引应用,能够实现小型、高效和可靠的系统设计,有助于降低车辆的燃油消耗和 $CO_{2}$ 排放。
  • 简化装配:在车辆装配过程中,该模块能够简化装配流程,提高生产效率。
  • 低热阻与低电感:通过在模块外壳和散热器之间直接安装热界面材料,实现了从结到散热器的低热阻,同时具有低电感特性,进一步提高了系统的性能。

方框图


封装尺寸

产品标识与订购信息

标识说明

模块的标识包含了特定的设备代码、批次 ID、组装和测试地点、年份、工作周以及序列号等信息,方便进行产品的追溯和管理。

订购信息

NXV08H350XT1 采用 APM17 - MDC 封装,无铅且符合 RoHS 标准,工作环境温度范围为 - 40°C 至 125°C,包装方式为管装。

引脚配置与功能

引脚图

Pin Configuration

引脚功能描述

Pin No. Description Remark
1 Q2 Gate
2 Q2 Source Sense
3 B + #2Sense
4 Q4 Gate
5 Q4 Source Sense
6 NTC1
7 Phase Out2 For 3 phase motor inverter, those 2 pins can be used as one phase out
8 Phase Out1
9 NTC2
10 Q3 Source Sense
11 Q3 Gate
12 B + #1Sense
13 Q1 Source Sense
14 Q1 Gate
15 B + #1
17 B + #2

电气与热性能参数

绝对最大额定值

Symbol Parameter Max. Unit
VDS(Q1~Q4) Drain - to - Source Voltage 80 V
VGS(Q1 - Q4) Gate - to - Source Voltage +20 V
EAS(Q1~Q4) Single Pulse Avalanche Energy (Note 1) 1946 mJ
TJ Maximum Junction Temperature 175 °C
TSTG Storage Temperature 125 °C

需要注意的是,超过这些最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。

电气特性

在 $T_{J}=25^{\circ} C$ 的条件下,该模块具有一系列特定的电气特性,如漏源击穿电压(BVDSS)、栅源阈值电压(VGS(th))、源漏二极管电压(VSD)等。不同的 MOSFET 通道(Q1 - Q4)在导通电阻(RDS(ON))方面也有不同的表现,这与模块内部的测量路径有关。

热性能

模块的热阻(Rthjc)对于散热设计至关重要。该模块的热阻参数能够帮助工程师合理设计散热方案,确保模块在工作过程中保持稳定的温度。

动态与开关特性

动态特性

包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)、栅极电阻(Rg)、总栅极电荷(Qg(tot))等参数,这些参数反映了模块在动态工作过程中的性能。

开关特性

如导通时间(ton)、导通延迟时间(td(on))、导通上升时间(tr)、关断延迟时间(td(off))、关断下降时间(tf)和关断时间(toff)等,对于评估模块的开关速度和效率具有重要意义。

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线,如非钳位电感开关能力、饱和特性、导通电阻与栅极电压和温度的关系、归一化栅极阈值电压与温度的关系等。这些曲线能够帮助工程师更好地理解模块在不同工作条件下的性能表现。

机械特性与封装尺寸

机械特性

模块具有一定的平整度要求,同时在安装时需要注意安装扭矩。不同类型的螺丝可能会影响最大扭矩额定值,在特殊安装情况下,需要联系 onsemi 获取合适的安装信息。

封装尺寸

详细的封装尺寸信息为 PCB 设计提供了重要的参考,确保模块能够正确安装在电路板上。

总结

onsemi 的 NXV08H350XT1 汽车功率 MOSFET 模块具有多种优势,适用于 48V 逆变器和 48V 牵引等汽车电子应用。电子工程师在设计相关系统时,需要充分考虑模块的电气、热性能和机械特性等方面的参数,以确保系统的高效、可靠运行。同时,在实际应用中,还需要根据具体的工作条件对模块的性能进行验证和优化。你在使用类似的 MOSFET 模块时,遇到过哪些挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9417

    浏览量

    229639
  • 功率MOSFET
    +关注

    关注

    0

    文章

    390

    浏览量

    22943
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    20V,P 沟道沟槽 MOSFET-NXV65UP

    20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-NXV65UP
    发表于 02-17 19:18 0次下载
    20V,P 沟道沟槽 <b class='flag-5'>MOSFET-NXV</b>65UP

    30V,N 沟道沟槽 MOSFET-NXV55UN

    30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-NXV55UN
    发表于 02-17 19:18 0次下载
    30V,N 沟道沟槽 <b class='flag-5'>MOSFET-NXV</b>55UN

    onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H功率模块技术解析

    安森美 (onsemi) NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H功率MOSFET模块专为
    的头像 发表于 11-22 11:16 1035次阅读
    <b class='flag-5'>onsemi</b> NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC <b class='flag-5'>H</b>桥<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模块</b>技术<b class='flag-5'>解析</b>

    探索 NTMFS3D0N08X:高性能 N 沟道功率 MOSFET 的卓越之选

    在电子工程领域,功率 MOSFET 作为关键元件,其性能直接影响着各类电子设备的效率和稳定性。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)的 NTMFS3D0N08X 这款 N 沟道
    的头像 发表于 11-28 09:35 196次阅读

    探索 onsemi NVH950S75L4SPB 功率模块汽车牵引逆变器的理想之选

    汽车电动化的浪潮中,混合动力和电动汽车(HEV/EV)的牵引逆变器对功率模块的性能、可靠性和效率提出了极高的要求。今天,我们就来深入了解 onse
    的头像 发表于 11-28 11:30 221次阅读
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> NVH950S75L4SPB <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模块</b>:<b class='flag-5'>汽车</b>牵引逆变器的理想之选

    汽车功率MOSFET模块NXV08H300DT1:高效可靠的汽车电子解决方案

    汽车电子领域,功率MOSFET模块的性能对于系统的效率和可靠性起着至关重要的作用。今天,我们就来深入了解一下安森美(onsemi)的
    的头像 发表于 11-28 15:25 179次阅读
    <b class='flag-5'>汽车</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>模块</b><b class='flag-5'>NXV08H300DT1</b>:高效可靠的<b class='flag-5'>汽车</b>电子解决方案

    onsemi NVTYS020N08HL N沟道功率MOSFET:特性与应用详解

    作为电子工程师,在设计过程中,选择合适的功率MOSFET至关重要。今天就来详细介绍onsemi推出的NVTYS020N08HL N沟道功率
    的头像 发表于 12-01 09:34 293次阅读
    <b class='flag-5'>onsemi</b> NVTYS020N<b class='flag-5'>08</b>HL N沟道<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>:特性与应用详解

    探索 onsemi NVHL025N065SC1:碳化硅 MOSFET 的卓越之选

    在电子工程师的日常设计工作中,选择合适的功率器件至关重要。今天,我们将深入探讨 onsemi 的 NVHL025N065SC1 碳化硅(SiC)功率
    的头像 发表于 12-01 09:58 172次阅读
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> NVHL025N065SC<b class='flag-5'>1</b>:碳化硅 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的卓越之选

    探索onsemi NVBLS0D8N08X:高性能N沟道MOSFET的卓越之选

    在电子工程师的设计世界里,选择合适的MOSFET至关重要,它直接影响着电路的性能和稳定性。今天,我们就来深入了解一下onsemi推出的NVBLS0D8N08X这款80V、0.79mΩ、457A的单N沟道
    的头像 发表于 12-01 14:35 166次阅读
    <b class='flag-5'>探索</b><b class='flag-5'>onsemi</b> NVBLS0D8N<b class='flag-5'>08</b>X:高性能N沟道<b class='flag-5'>MOSFET</b>的卓越之选

    深入解析 onsemi NTMFS5H663NL N沟道功率MOSFET

    在电子工程师的日常设计工作中,功率 MOSFET 是一种常见且关键的元件。今天,我们要详细探讨的是 onsemi 公司的 NTMFS5H663NL 这款 N 沟道
    的头像 发表于 12-02 15:53 135次阅读
    深入<b class='flag-5'>解析</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> NTMFS5<b class='flag-5'>H</b>663NL N沟道<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>

    深入解析 NTMFWS1D5N08X:高性能N沟道功率MOSFET的卓越之选

    在电子工程师的日常设计工作中,功率 MOSFET 是不可或缺的关键元件。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)的 NTMFWS1D5N08X 这款高性能 N 沟道
    的头像 发表于 12-03 11:30 244次阅读
    深入<b class='flag-5'>解析</b> NTMFWS<b class='flag-5'>1D5N08</b>X:高性能N沟道<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的卓越之选

    onsemi NTBLS0D8N08X N沟道功率MOSFET深度解析

    在电子工程领域,MOSFET作为关键的功率器件,其性能和特性对电路设计起着至关重要的作用。今天我们来深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X,这是一款80V、0.79mΩ
    的头像 发表于 12-03 11:42 279次阅读
    <b class='flag-5'>onsemi</b> NTBLS0D8N<b class='flag-5'>08</b>X N沟道<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>深度<b class='flag-5'>解析</b>

    探索 onsemi NVXK2VR80WXT2:SiC功率MOSFET模块的卓越性能

    在电动汽车(xEV)应用领域,车载充电器(OBC)的性能至关重要,而功率 MOSFET 模块作为其中的核心组件,其性能直接影响着整个系统的效率和可靠性。今天,我们就来深入了解一下
    的头像 发表于 12-03 15:41 191次阅读
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> NVXK2VR80WXT2:SiC<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>模块</b>的卓越性能

    解析 onsemi SiC 功率MOSFET模块NVXK2PR80WXT2

    作为一名电子工程师,在为电动汽车(xEV)应用设计 DC - DC 转换器和车载充电器时,合适的功率 MOSFET 模块至关重要。今天就为大家详细
    的头像 发表于 12-03 16:13 437次阅读
    <b class='flag-5'>解析</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> SiC <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>模块</b>NVXK2PR80WXT2

    onsemi NXH240B120H3Q1:Si/SiC混合模块的卓越性能解析

    在电子工程领域,功率模块的性能直接影响着众多应用的效率和可靠性。今天,我们来深入探讨onsemi的NXH240B120H3Q1 Si/SiC混合模块
    的头像 发表于 12-04 10:52 146次阅读
    <b class='flag-5'>onsemi</b> NXH240B120<b class='flag-5'>H3Q1</b>:Si/SiC混合<b class='flag-5'>模块</b>的卓越性能<b class='flag-5'>解析</b>