CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

这款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换中的损耗 应用。
*附件：CSD18543Q3A 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表.pdf

特性

• 超低 Qg和 QGD
• 低 RDS（开）
• Low-Thermal Resistance
• 雪崩评级
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

参数

方框图

1. 产品特性

• ‌ 超低栅极电荷（Q_g 和 Q_gd） ‌：有助于减少开关损耗。
• ‌ 低导通电阻（R_DS(on)） ‌：在V_GS = 10V时，导通电阻为8.1 mΩ，有助于降低功耗。
• ‌低热阻‌：结到壳热阻（R_θJC）为1.9°C/W，提升散热性能。
• ‌雪崩额定‌：支持雪崩条件下的工作。
• ‌环保封装‌：采用3.3 mm × 3.3 mm的SON塑料封装，无铅、RoHS合规、无卤素。

2. 应用领域

• ‌固态继电器开关‌
• ‌DC-DC转换‌
• ‌次级侧同步整流‌
• ‌隔离转换器初级侧开关‌
• ‌电机控制‌

3. 产品描述

CSD18543Q3A是一款60V、8.1 mΩ的N沟道NexFET™功率MOSFET，采用3.3 mm × 3.3 mm的SON塑料封装。该器件专为最小化功率转换应用中的损耗而设计，具有超低栅极电荷、低导通电阻和低热阻的特性。

4. 电气特性

• ‌静态特性‌：包括漏源击穿电压（BV_DSS）、漏源泄漏电流（I_DSS）、栅源泄漏电流（I_GSS）、阈值电压（V_GS(th)）等。
• ‌动态特性‌：涵盖输入电容（C_ISS）、输出电容（C_OSS）、反向传输电容（C_RSS）、栅极电荷（Q_g）等，这些参数影响开关速度和效率。
• ‌二极管特性‌：包括体二极管正向电压（V_SD）和反向恢复电荷（Q_rr），对整流和续流应用至关重要。

5. 热信息

• ‌热阻‌：提供了结到壳（R_θJC）和结到环境（R_θJA）的热阻值，帮助用户设计有效的散热方案。

6. 封装和订购信息

• ‌封装尺寸‌：详细列出了CSD18543Q3A的封装尺寸和引脚配置。
• ‌订购选项‌：包括不同卷带长度和包装类型的订购选项。

7. 文档和支持

• ‌文档更新通知‌：用户可通过TI官网注册接收产品文档的更新通知。
• ‌社区资源‌：提供了TI的E2E在线社区链接，方便用户获取技术支持和与其他工程师交流。
• ‌静电放电警告‌：提醒用户在存储和处理过程中注意静电放电保护，以防止损坏MOSFET的栅极。