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英飞凌作为半导体与系统解决方案行业领先者，提供微处理器,LED驱动,传感器以及汽车用集成电路与功率管理芯片等产品。
近日，英飞凌科技与思格新能源（上海）股份有限公司正式宣布深化合作，双方将基于英飞凌最新一代1200VCoolSiCMOS
基于IGBT7 140A大电流单管的150kW高性价比功率解决方案
功率半导体器件不断走向成熟的标志之一，就是芯片的代次更迭和系列化。英飞凌IGBT单管产品线通过持续优化结构、工艺与性能，
氮化镓+MCU赋能高效OBC：大联大诠鼎与英飞凌共探车载电源新趋势
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美国国际贸易委员会（ITC）裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
· 美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会在针对英诺赛科的专利侵权案中做出裁决， 裁定英飞凌胜诉 · ITC下令对英诺赛
英飞凌2026财年第二季度运营成果：营收38.12亿欧元 上调全年业绩指引
英飞凌发布2026财年第 二 季度运营成果： 增长前景 乐观， 上调全年业绩 指引 。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回
2026-05-07 标签： 英飞凌 1069 0
英飞凌科技（Infineon）于2026财年第二季度交出强劲成绩单，营收达38.12亿欧元，利润6.53亿欧元，利润率1
如何应用英飞凌新一代G2 CoolSiC™ MOSFET 提升系统效率
CoolSiCMOSFETG21200V系列产品是英飞凌最新推出的SiCMOSFET产品，均采用了扩散焊工艺（.XT）来
在光刻机和先进制程的喧嚣之外，一场悄无声息的重资产暗战正在半导体产业链的极上游打响。 4月17日，法国工业气体巨头液化空
IPAC 2026双技术峰会报名火热，重磅嘉宾邀你共赴技术盛宴
IPAC双技术峰会特别邀请到英飞凌与业内权威技术专家，他们将凭借深厚的专业知识和丰富的实践经验，为你深入剖析碳化硅（Si
随着智能手机、笔记本电脑等移动设备功能日益强大，电池容量持续提升，用户对充电器的要求也愈加严苛：更高功率、更小体积、更低
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2016 财年（截止 9 月 30 日），公司的销售额达65亿欧元，在全球范围内拥有约 36,300 名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。英飞凌作为半导体与系统解决方案行业领先者，提供微处理器,LED驱动,传感器以及汽车用集成电路与功率管理芯片等产品。
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2016 财年（截止 9 月 30 日），公司的销售额达65亿欧元，在全球范围内拥有约 36,300 名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。英飞凌作为半导体与系统解决方案行业领先者，提供微处理器,LED驱动,传感器以及汽车用集成电路与功率管理芯片等产品。
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功率半导体器件不断走向成熟的标志之一，就是芯片的代次更迭和系列化。英飞凌IGBT单管产品线通过持续优化结构、工艺与性能，为不同应用领域提供有针对性的参数...
在设计常见的DCDC或DCAC等电路时，我们经常遇到需要桥臂直通保护的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受时间，足以应付大部分短路工况。然而，对...
在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕...
拆解一台Onebox集成式制动：U2A16+BE13+L9369+L9306，旗舰芯片组合浮出水面
在近期收到的制动系统样品中，Onebox方案的占比已明显超过TwoBox。拆解主板后发现，核心芯片的选型高度集中，其中的多款器件已成为该类方案的主流选择...
Infineon BGS22W2L10 DPDT差分射频开关深度解析
Infineon BGS22W2L10 DPDT差分射频开关深度解析 在电子工程领域，射频开关是一个关键的组件，它在信号切换和路由方面起着至关重要的作用...
2026-01-31 标签：英飞凌BGS22W2L10DPDT差分射频开关 1.4k 0
由于QDPAK封装是英飞凌新一代大功率产品的表贴顶部散热产品，其安装方式有所不同，所以针对其安装方式做一些详细的介绍。如下图，英飞凌针对600V以上高压...
QDPAK顶部散热器件是一种表贴器件产品。相对于传统表贴产品只能从底部进行散热的方式，顶部散热器件分离了电气路径和热流路径，尤其适合在高功率密度的应用，...
深入解析IPM器件数据手册中的电流定义：Ic、Icp、Io(peak)和Io(rms)
在设计和应用IPM器件时，电流参数是影响性能的关键指标之一。然而，不同电流参数的含义可能会对应用设计产生重要影响。本文将详细解析IPM数据手册中常见的几...
本文将深入探讨两种备受瞩目的功率晶体管——英飞凌的 CoolGaN（氮化镓高电子迁移率晶体管）和 OptiMOS 6（硅基场效应晶体管），在极端短路条件...
基于RT-Thread与英飞凌Psoc6-evaluationkit-062S2的智能触摸与手势系统 | 技术集结
目录电容触摸界面手势识别网络同步RTduino使用使用方法项目源码1电容触摸界面利用Psoc6-evaluationkit-062S2的CapSense...
近日，英飞凌科技与思格新能源（上海）股份有限公司正式宣布深化合作，双方将基于英飞凌最新一代1200VCoolSiCMOSFETG2碳化硅分立器件技术，共...
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英飞凌2026财年第二季度运营成果：营收38.12亿欧元 上调全年业绩指引
英飞凌发布2026财年第 二 季度运营成果： 增长前景 乐观， 上调全年业绩 指引 。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起 启用 调整后的...
2026-05-07 标签：英飞凌 1.1k 0
英飞凌科技（Infineon）于2026财年第二季度交出强劲成绩单，营收达38.12亿欧元，利润6.53亿欧元，利润率17.1%，显著高于行业平均水平。...
如何应用英飞凌新一代G2 CoolSiC™ MOSFET 提升系统效率
CoolSiCMOSFETG21200V系列产品是英飞凌最新推出的SiCMOSFET产品，均采用了扩散焊工艺（.XT）来降低结壳热阻。TO247封装器件...
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IPAC双技术峰会特别邀请到英飞凌与业内权威技术专家，他们将凭借深厚的专业知识和丰富的实践经验，为你深入剖析碳化硅（SiC）技术的未来发展方向与详细规划...
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新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高压超结MOSFET 650V系列
新品CoolMOSCFD7SJ高压超结MOSFET650V系列650VCoolMOSCFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术，集成快速体二极管，完善...
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| BGT24AT2E6433XUMA1 | RF TRANSCEIVER MM-WAVE-MMICS |
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| BGT24AR4E6433XUMA1 | RF TRANSCEIVER MM-WAVE-MMICS |
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| BSZ900N15NS3GATMA1 | 表面贴装型 N 通道 150 V 13A（Tc） 38W（Tc） PG-TSDSON-8 |
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|
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| 1ED3491MC12MXUMA1 |
获取价格
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| BCR 141S H6727 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 130MHz 250mW 表面贴装型 PG-SOT363-PO |
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