安森美推出采用T2PAK顶部冷却封装的EliteSiC MOSFET

安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布推出采用行业标准T2PAK顶部冷却封装的EliteSiC MOSFET，为汽车和工业应用的电源封装技术带来突破。这款新品为电动汽车、太阳能基础设施及储能系统等市场的高功率、高电压应用提供增强的散热性能、可靠性和设计灵活性。

安森美采用T2PAK封装的650V和950V 最新EliteSiC MOSFET系列，将公司业界领先的碳化硅技术与极具创新性的顶部冷却封装相结合。首批器件已向主要客户发货，安森美计划于2025年第四季度及之后推出更多产品。通过在EliteSiC系列全面采用T2PAK封装，安森美为汽车与工业客户提供了强有力的全新选择，满足其在严苛高压应用中对效率、紧凑性和耐用性的需求。

随着太阳能逆变器、电动汽车充电器和工业电源等应用对功率需求的不断攀升，高效的热管理已成为关键的工程挑战。传统封装方式常迫使设计人员在散热效率与开关性能之间做出取舍。EliteSiC T2PAK解决方案通过将热量从印刷电路板（PCB）高效地直接传导至系统冷却架构，实现了性能与散热的双赢，从而带来以下优势：

卓越的热效率，降低工作温度

降低元器件应力，延长系统使用寿命

更高的功率密度，实现紧凑的系统设计

简化系统设计，加快产品上市速度

“热管理是当今汽车和工业市场中电力系统设计人员面临的最关键挑战之一。这些领域的功率系统设计人员正寻求兼具效率与可靠性的解决方案。凭借我们的EliteSiC技术和创新的T2PAK 顶部冷却封装，客户能够实现卓越的散热性能和设计灵活性，助力其打造出在当今竞争格局中脱颖而出的新一代产品。”安森美碳化硅事业部副总裁兼负责人Auggie Djekic表示。

工作原理：

T2PAK 顶部冷却封装通过将MOSFET与散热片直接热耦合，在散热和开关性能之间实现了极佳平衡。该设计最大限度降低了结点至散热片的热阻，并支持多种导通电阻Rds(on)选项（12mΩ - 60mΩ），从而提升设计灵活性。

关键技术亮点包括：

通过将热量直接传导至系统散热片，规避了PCB的散热限制，实现卓越的散热性能

保持低杂散电感，实现更快的开关速度并降低能耗

兼具TO-247和D2PAK封装优势，且无明显缺陷

凭借EliteSiC在T2PAK顶部冷却封装中卓越的性能指标，设计人员能够打造出更紧凑、散热性能更好、且更高效率的系统。