安森美NTMFSS0D9N03P8 N沟道MOSFET是一款单源下MOSFET，具有低 ~~RDS (on)~~ ，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低QG 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。该N沟道MOSFET的漏极-源极电压 ( ~~VDS~~ ) 为30V，栅极-源极电压 ( ~~VGS~~ ) 为±20 V,漏极电流为294A。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET采用5mm x 6 mm封装，具有下拉和中心栅极设计，可提高功率密度、效率和散热性能。该N沟道MOSFET无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常适合用于ORing、电机驱动器、电源负载开关和直流/直流应用。

数据手册：*附件：onsemi NTMFSS0D9N03P8 N 通道 MOSFET数据手册.pdf

特性

先进的5mm x 6mm封装，具有下拉和中心栅极设计，可提高功率密度、效率和散热性能
低 ~~RDS(on)~~ ，可最大限度地降低导通损耗
QG 和电容较小，可使驱动器损耗最小化
无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令

尺寸图

onsemi NTMFSS0D9N03P8 N沟道功率MOSFET技术解析与应用指南

一、产品概述

NTMFSS0D9N03P8是安森美半导体推出的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的Source-Down封装技术，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能等突出特点。该器件专为现代高效率功率转换系统设计，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子等多个领域。

二、关键特性分析

1. 电气性能参数

‌耐压等级‌：漏源电压(VDSS) 30V，栅源电压(VGS) ±20V
‌导通电阻‌：
- VGS=10V时最大RDS(on)仅1.0mΩ
- VGS=4.5V时最大RDS(on)为1.2mΩ
‌电流能力‌：
- 连续漏极电流(TC=25°C)达294A
- 脉冲漏极电流(IDM)参数待定

2. 封装与热管理

器件采用5x6mm TDFN9封装，具有以下热特性：

结到外壳热阻(RθJC)：1.0°C/W
结到环境热阻(RθJA)：41°C/W
功率耗散能力：
- TC=25°C时125W
- TC=85°C时65W

三、电气特性深度解析

1. 静态参数

‌击穿电压‌：V(BR)DSS最小30V，温度系数-37mV/°C
‌阈值电压‌：VGS(TH)范围1.0-3.0V
‌泄漏电流‌：
- 零栅压漏电流(IDSS)：25°C时最大1.0mA
- 栅源泄漏电流(IGSS)：最大100nA

2. 动态特性

‌开关时间‌（VGS=10V条件下）：
- 开启延迟时间(td(on))：20.4ns
- 上升时间(tr)：19.3ns
- 关断延迟时间(td(off))：125.4ns
- 下降时间(tf)：49.5ns

3. 电荷与电容特性

‌栅极电荷‌：
- 总栅极电荷(QG(TOT))：127nC
- 栅源电荷(QGS)：24nC
- 栅漏电荷(QGD)：12nC
‌电容参数‌（VGS=0V, f=1MHz）：
- 输入电容(CISS)：9000pF
- 输出电容(COSS)：3010pF
- 反向传输电容(CRSS)：275pF