英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模块荣获2025全球电子成就奖

11月25日，英飞凌科技EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200V模块荣获2025年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）年度功率半导体/驱动器奖项， 再次彰显英飞凌在功率半导体领域的卓越实力和领先地位。

英飞凌科技工业与基础设施业务市场经理刘倩出席颁奖典礼并领奖

英飞凌EconoDUAL 3 CoolSiC

SiC MOSFET 1200V模块

1.搭载了1200V SiC MOSFET M1H芯片，以高功率密度、高效率及高可靠性的独特优势，成为大功率应用的理想选择，助力工业电源、可再生能源及电动商用车等领域。

2.具备 175℃过载耐温能力，可在苛刻的高温环境下可靠运行，且具有较高的栅极阈值电压，以减轻寄生导通，从而避免了额外的功率损耗和系统故障，保障工业电源、电动商用车等系统在紧凑设计中实现高效可靠运行，聚焦功率密度优化与热管理升级，助力工业系统迈向更小体积、更高能效的未来。