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英飞凌推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET

电子行业新闻 来源:电子行业新闻 作者:电子行业新闻 2025-10-31 11:00 次阅读
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【2025年10月24日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)通过增加顶部散热(TSC)的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™400V G2 MOSFET产品组合。此外,英飞凌还推出了三款额定电压为440V(连续)和455V(瞬态)的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计,涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这些关键系统提供所需的可靠性与性能。

与传统的250V和300V电压等级的硅(Si)技术相比,CoolSiC™ G2 400V和440V MOSFET在120°C工作温度下的导通损耗可降低多达50%,这归功于其导通电阻R(DS(on)随结温(Tj)变化的平稳表现。此外,其开关性能指标显著提升,反向恢复电荷相比传统技术减少了至少五倍。在系统层面,CoolSiC™ G2 400V和440V MOSFET用于三电平飞跨电容CCM图腾柱PFC ,相较于交错式两电平CCM图腾柱PFC电路,峰值电源效率提升最高可达0.4%,相当于峰值效率下系统损耗减少约15%。

供货情况

CoolSiC™ MOSFET 400V和440V G2产品组合现已上市。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,060名员工(截至2024年9月底),在2024财年(截至9月30日)的营收约为150亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术应用支持、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。


审核编辑 黄宇

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