Nexperia推出高功率工业应用专用MOSFET

Nexperia（安世半导体）近日宣布，为旗下不断扩充的应用专用MOSFET (ASFET)产品组合再添新产品。ASFET系列的产品特性经优化调校，可满足特定终端应用的严苛需求。其中，80 V PSMN1R9-80SSJ与100 V PSMN2R3-100SSJ两款开关器件能够提供增强的动态均流功能，专为需要并联多个匹配MOSFET的高功率48 V应用设计。此类应用涵盖叉车、电动滑板车、代步设备等电动交通工具的电机驱动系统，或高功率工业电机。

在并联两个或多个MOSFET以实现高电流能力和降低导通损耗的过程中，设计人员往往难以确保在导通与关断阶段，负载电流可在各独立器件间均匀分配。VGS(th)值最低的MOSFET会最先导通，进而承受更高热应力，可能会加速器件失效。为保障足够的安全裕量，工程师通常会对终端应用中所用MOSFET的规格进行过度设计。这种方式不仅会增加成本、消耗更多时间，还需开展额外的测试，但仍难以保证器件在高负载电流（数十安培级别）场景下具有稳定表现。另一种方案是向供应商采购经过筛选匹配的器件，但同样会增加终端应用的整体成本。

Nexperia PSMN1R9-80SSJ和PSMN2R3-100SSJ ASFET凭借优异的特性和增强的动态均流功能，可帮助设计人员规避上述两种方案的局限。在导通/关断过程中，针对单器件电流达50 A的应用场景，这两款开关能使并联器件间的电流差值减少50%；同时，VGS(th)参数差异范围缩小50%（最大值与最小值仅差0.6 V）。这一特性结合1.9 mΩ或2.3 mΩ的低RDS(on)，有助于在功率开关应用中提升能效表现。

新款ASFET采用兼具耐用性与空间效率的8 mm×8 mm铜夹片LFPAK88封装，工作温度范围为-55℃至+175℃。

Nexperia (安世半导体)

Nexperia（安世半导体）总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有12,500多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia（安世半导体）的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半导体）为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia（安世半导体）拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

Nexperia：效率致胜。