闻泰科技推出车规级1200V SiC MOSFET

在全球新能源汽车加速普及的今天，续航短、充电慢成为行业发展瓶颈。为突破这两大痛点，高功率电压系统对1200V耐压功率芯片的需求愈发迫切，1200V SiC功率器件成为行业竞相攻坚的焦点。在这一趋势下，闻泰科技半导体业务近期推出领先行业的D2PAK-7封装车规级1200V SiC MOSFET，为电动汽车行业注入强劲新动能。

持续研发投入

加速布局高压功率市场

2024年，闻泰科技半导体业务研发投入为18亿元，为技术突破与产品创新筑牢根基。2025年第一季度，多款第三代半导体及模拟芯片产品密集落地，从1200V SiC MOSFET、增强型（e-mode）GaN FET等前沿功率器件，到LED驱动芯片、LDO芯片等模拟产品，全方位覆盖“从低压到高压、从功率到模拟”的产品矩阵，形成强有力的技术护城河。

其中，1200V SiC MOSFET成为核心亮点之一。凭借卓越性能，它不仅精准适配电动汽车车载充电器（OBC）、牵引逆变器等核心场景，大幅提升新能源汽车的动力转换效率与续航能力，在光伏、风电、储能等绿色能源领域同样潜力巨大。

在“双碳”战略驱动下，全球对高效低耗电力电子器件的需求呈爆发式增长，SiC市场潜力巨大。Yole Group预测，到2029年，功率SiC器件市场规模将突破100亿美元。闻泰科技半导体业务积极布局，与行业趋势高度契合，有望在这场百亿级市场竞争中成为推动行业变革的关键力量。

创新技术突破

持续赋能汽车电动化

在新能源汽车中，SiC MOSFET的性能至关重要，其中导通电阻RDS（on）作为关键参数，直接影响传导损耗。此次推出器件的RDS（on）分别为30、40和60 mΩ，凭借创新工艺技术，闻泰科技半导体业务实现了业界领先的RDS（on）温度稳定性——在25°C至175°C范围内，RDS（on）标称值仅增加38%，显著优于市场同类产品。

这一技术突破不仅保障了汽车性能稳定，还实现了更高的功率输出。与其他供应商相比，搭载该技术的SiC MOSFET器件能在相同RDS（on）下释放更多功率，具备显著成本优势。此外，公司还表示：今年将计划陆续推出17 mΩ和80 mΩ RDS（on）的车规级SiC MOSFET。虽然现阶段SiC产品在公司业务中占比尚小，但产品的不断扩充，体现了公司坚守研发承诺，促进技术发展的决心。

凭借过硬实力，闻泰科技于2024年5月推出的1200V SiC MOSFET荣获“2024年度全球电子成就奖—年度功率半导体产品奖”，彰显公司在全球功率半导体市场的领先地位。

在产能布局方面，公司在2024年6月宣布了约2亿美金的8英寸SiC器件产线投资，目前部分设备已进场，预计在未来几年内建成投产。

未来，随着全球新能源汽车对高效低耗电力电子器件需求持续攀升，闻泰科技半导体业务将凭借持续的技术创新与产品优化，巩固行业优势地位，为汽车电动化及全球半导体行业发展持续赋能。