‌NVD5867NL 单N沟道功率MOSFET技术详解

安森美 (onsemi) NVD5867NL单N通道功率MOSFET的漏源电压为60V，最大漏源导通电阻为39mΩ。该N通道MOSFET的R DS(on) 值低，可最大限度地减少导通损耗，并具有大电流能力。NVD5867NL N通道MOSFET符合雪崩能量规格要求，通过AEC-Q101认证，并支持PPAP。这款N通道MOSFET无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。典型应用包括汽车电磁阀/继电器驱动器、汽车灯驱动器、汽车电机驱动器、汽车DC-DC转换器输出驱动器以及汽车信息娱乐系统。

数据手册：*附件：onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET数据手册.pdf

特性

• 低R DS(on) 值，可最大限度降低导通损耗
• 大电流能力
• 指定雪崩能量
• 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
• 无铅、无卤/无BFR
• 符合RoHS指令

N 通道 MOSFET

NVD5867NL 单N沟道功率MOSFET技术详解‌

‌一、产品概述‌
NVD5867NL是onsemi推出的一款60 V耐压、22 A电流的单N沟道功率MOSFET，采用DPAK封装。该器件具有39 mΩ（@10 V）的低导通电阻，适用于高频开关电源、电机驱动等高效能应用场景。

‌二、关键特性解析‌

1. ‌电气性能优势‌
   • ‌低导通电阻‌：10 V驱动时仅39 mΩ，4.5 V驱动时为50 mΩ，可显著降低导通损耗
   • ‌高电流能力‌：连续漏极电流22 A（TC=25℃），脉冲电流达85 A
   • ‌雪崩耐量‌：单脉冲雪崩能量18 mJ（IL=19 A条件下）
2. ‌可靠性设计‌
   • AEC-Q101车规认证，支持PPAP流程
   • 无铅、无卤素环保材料，符合RoHS标准
   • 工作结温范围-55℃至175℃

‌三、极限参数说明‌

参数	符号	数值	单位
漏-源电压	VDSS	60	V
栅-源电压	VGS	±20	V
最大功耗	PD	43（TC=25℃）	W
存储温度	Tstg	-55~175	℃

‌四、电气特性深度分析‌

1. ‌静态参数‌
   • ‌阈值电压‌ VGS(TH)：1.8 V（典型值），保证在1.5-2.5 V范围内
   • ‌跨导‌ gFS：8.0 S（@11 A），体现栅极控制能力
   • ‌漏电流‌ IDSS：1 μA（@60 V），显示优异关断特性
2. ‌动态参数‌
   • ‌栅极电荷‌ QG(TOT)：7.6 nC（@10 V），直接影响驱动电路设计
   • ‌开关时间‌：
     • 开启延迟 td(on)：6.5 ns
     • 上升时间 tr：12.6 ns
     • 关断延迟 td(off)：18.2 ns
     • 下降时间 tf：2.4 ns

‌五、热管理要点‌

1. ‌热阻参数‌
   • 结到外壳 RθJC：3.5 ℃/W
   • 结到环境 RθJA：45 ℃/W
2. ‌降额曲线应用‌
   • 图13的热阻曲线显示：脉冲宽度1 ms时瞬态热阻约0.5 ℃/W

‌六、应用设计指南‌

1. ‌驱动电路设计‌
   • 推荐栅极电阻2.5 Ω（测试条件）
   • 需确保VGS不超过±20 V极限值
2. ‌安全工作区‌
   • 图11的SOA曲线指明：
     • 10 ms脉冲下可承受60 V/22 A
     • 直流工况需严格遵循热限曲线

‌七、选型与布局建议‌

1. ‌PCB布局‌
   • 散热焊盘需连接650 mm²铜箔
   • 栅极驱动回路面积最小化

‌八、性能曲线解读‌

1. ‌图3‌ RDS(on)随VGS变化曲线：建议实际驱动电压不低于8 V以确保充分导通
2. ‌图5‌ 温度特性：RDS(on)在150℃时约为25℃时的2.2倍