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应用:
DC-DC转换
SMPS中的同步整流
硬开关和高速电路
电动工具
电机控制
概述：
PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强的体二极管dv/dt能力和雪崩强度，经过100％的UIS测试和Rg测试，适用于DC-DC转换等。
最大额定值方面，漏源电压为40V，具有一定的耐压性能。连续漏*电流(@25℃)高达2**。脉冲漏*电流高达90A，电流耐受性较好。耗散功率为2.5W。工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃，温度适应性较好。结壳热阻为2.5℃/W，结至环境的热阻为50℃/W，散热性能较好。25℃下，漏源导通电阻的典型值为9.6mΩ(@VGS=10V，ID=9A)或14.5mΩ(@VGS=4.5V，ID=6A)，产品导通损耗较低。总栅*电荷的典型值为24nC。
特点：
高速功率开关，逻辑电平
较强的体二极管dv/dt能力
较强的雪崩强度
经过100％UIS测试，100％Rg测试
无铅，无卤素
QFN6*6-40L封装
深圳市芯美力科技有限公司
宝砾微原厂代理商，可提供样品测试，原厂技术支持，欢迎联系咨询
审核编辑 黄宇
宝砾微 PL1303N04 QFN6*6-40L 40V/25.0A N沟道功率MOSFET
- MOSFET(230962)
- 封装(148180)
- DC-DC(86489)
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239选型手册：MOT4111T N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率系统逆变器
2025-11-05 15:28:39205
205选型手册：MOT15N50F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源
2025-11-05 12:10:09283
283选型手册：MOT4N65F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息MOT4N65F为N沟道功率MOSFET，核心参数表现为：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：6
2025-11-04 15:59:03238
238选型手册：MOT9N50D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-04 15:22:12226
226选型手册：MOT5N50MD 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-03 15:26:33298
298选型手册：MOT50N02D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借20V耐压、超低导通损耗及50A大电流承载能力，广泛适用于各类开关应用（如DC-DC转换器
2025-10-31 17:36:09228
228STMicroelectronics STP80N450K6：800V MDmesh K6功率MOSFET技术解析与应用
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET是一款采用终极MDmesh K6技术设计的极高压N沟道功率MOSFET。该技术
2025-10-28 11:44:44421
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STD80N450K6功率MOSFET技术解析与应用指南
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高压N沟道功率MOSFET，具有齐纳保护功能和100%雪崩。该MOSFET还具
2025-10-27 14:24:41381
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中科微电ZK40N100T：Trench工艺下的中端电动工具功率控制优选
在18V-36V主流电动工具市场中，功率器件的性能平衡与成本控制同样关键。中科微电推出的N沟道功率MOSFET——ZK40N100T，以40V耐压、90A持续电流的精准参数，融合成熟Trench沟槽
2025-10-27 13:58:56273
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MOT4162G N 沟道 MOSFET 技术解析
一、产品概述MOT4162G是仁懋电子（MOT）推出的N沟道增强型MOSFET，采用PDFN506-8L封装形式，聚焦电机控制与驱动、电池管理等场景，以低导通电阻、优异散热性能和高可靠性为核心技术
2025-10-27 10:34:36244
244STP80N1K1K6：基于MDmesh K6技术的超高效功率MOSFET解析
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET采用MDmesh K6技术，利用了20年的超级结技术经验。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面积导通电阻和栅极电荷。该器件非常适用于高功率密度和高效应用。
2025-10-23 15:08:58415
415
圣邦微电子推出高性能N沟道MOSFET SGMNQ12340
圣邦微电子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐压、低导通电阻、输入电容低、切换速度快、高性能的 N 沟道 MOSFET。该器件可应用于 VBUS 过压保护开关、AMOLED 显示控制器、电池充放电开关及 DC/DC 转换器。
2025-10-14 17:34:482209
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工程师私藏技巧：MOS管如何让你的移动电源快充又省电？HGE001N04L 低内阻1mΩ 40V 170A大电流
应对快充需求，有效减少发热和损耗。
（二）升压效率高，延长续航时长
在放电升压时，HGE001N04L 耐压40V，快关速度快，可以轻松实现 3.7V 升压至 5V/9V/12V 的高效电压转换，升压
2025-07-29 15:58:49
Analog Devices Inc. LTC4451 40V 7A理想二极管数据手册
Analog Devices Inc. LTC4451 40V 7A理想二极管使用集成N沟道功率MOSFET替代高性能肖特基二极管。该器件可轻松将OR电源结合在一起，以提高系统可靠性并防止反向导通。
2025-06-24 11:46:08680
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ZSKY-ZS7N65A N沟道增强型功率MOSFET规格书
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2025-05-14 15:58:36
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0ZSKY-ZS8N65A N沟道增强型功率MOSFET规格书
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2025-05-14 15:57:360
0CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册
这款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET
2025-04-16 10:54:00755
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CSD18512Q5B 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册
产品概述 型号 ：CSD18512Q5B 类型 ：40V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET 封装 ：SON 5mm × 6mm 塑料封装 特点 ：低导通电阻（R_DS(ON)）、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端子镀
2025-04-16 10:20:33784
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CSD18510KCS 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET，单 TO-220,1.7mOhm数据手册
这款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18510KCS 40V N 沟道 NexFETTM 功率
2025-04-16 10:13:57766
766
CSD18510Q5B 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册
这款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18510Q5B N 沟道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07663
663
CSD18511KCS 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册
这款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18511KCS 40V N 沟道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11772
772
LTS3002FJC-L N沟道增强型功率MOSFET规格书
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2025-03-24 11:25:250
0AP6G04BLI 风扇灯专用MOS 6A 40V SOT23-6L
AP6G04BLI采用先进的沟槽技术提供优良的rds (ON)，低栅极电荷和工作电压低至4.5V。这该装置适合作为电池保护装置使用或其它开关应用。一般特征V ds = 40v I d = 6.3aR
2025-03-14 09:17:411
1LTH004SQ-X 40V互补增强型功率MOSFET规格书
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2025-03-04 16:34:440
0LTH004SQ-Z 40V互补增强型功率MOSFET规格书
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2025-03-01 16:30:510
0LTH004SR-4L-X 40V互补增强型功率MOSFET规格书
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2025-03-01 15:36:330
0LTH004SRU-4L 40V互补增强型功率MOSFET规划书
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2025-03-01 15:35:350
0LTD1534RFJ-L N沟道增强型功率MOSFET规格书
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2025-03-01 14:39:470
0PL94056 双向升降压和PD协议于一身 支持1~6串电池的SOC芯片 支持最高100W移动电源产品
宝砾微DCDC降压芯片
PL94056一颗集成升降压控制器、双向PD协议的SOC芯片，内置4颗全桥NMOS管，采用QFN6x6-42封装工艺，支持双向升降压、支持sink/source、1-6串
2025-02-18 14:00:09
BUK9M8R5-40HN沟道40V、8.5mΩ逻辑电平MOSFET规格书
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2025-02-13 14:16:000
0BUK9M3R3-40H N沟道40V、3.3 mΩ逻辑电平MOSFET规格书
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2025-02-13 11:31:090
0Powlicon/宝砾微LYF62001 全协议的双向升降压IC 支持1~6串电池 完美应用于移动电源
宝砾微电子
LYF62001集成全协议的双向升降压控制器
LYF62001具有小尺寸、大功率、最高效率可到97%、搭配通用MCU、支持A+C USB口输入/输出、数显、灯显自由选择的特点
2025-01-21 15:38:58
Powlicon/宝砾微 60V 5A 同步降压转换芯片PL86051 DC-DC应用
宝砾微代理商
PL86051是一款为高性能同步降压DC/DC应用设计的高压降压转换器，输入电压高达60V。PL86051集成了一个高效率的同步降压开关稳压器，包括一个60V、20毫欧的高端和一个
2025-01-20 14:29:39
AP120N04F 120A 40V TO-220F-3L
AP120N04F40V n沟道增强模式MOSFETAP120N04F采用先进的沟槽技术提供优良的rds (ON)，低栅极电荷和栅极电压低至10V。这该装置适合作为电池保护装置使用或其它开关
2025-01-10 15:14:480
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