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应用:
DC-DC转换
SMPS中的同步整流
硬开关和高速电路
电动工具
电机控制
概述：
PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强的体二极管dv/dt能力和雪崩强度，经过100％的UIS测试和Rg测试，适用于DC-DC转换等。
最大额定值方面，漏源电压为40V，具有一定的耐压性能。连续漏*电流(@25℃)高达2**。脉冲漏*电流高达90A，电流耐受性较好。耗散功率为2.5W。工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃，温度适应性较好。结壳热阻为2.5℃/W，结至环境的热阻为50℃/W，散热性能较好。25℃下，漏源导通电阻的典型值为9.6mΩ(@VGS=10V，ID=9A)或14.5mΩ(@VGS=4.5V，ID=6A)，产品导通损耗较低。总栅*电荷的典型值为24nC。
特点：
高速功率开关，逻辑电平
较强的体二极管dv/dt能力
较强的雪崩强度
经过100％UIS测试，100％Rg测试
无铅，无卤素
QFN6*6-40L封装
深圳市芯美力科技有限公司
宝砾微原厂代理商，可提供样品测试，原厂技术支持，欢迎联系咨询
审核编辑 黄宇
宝砾微 PL1303N04 QFN6*6-40L 40V/25.0A N沟道功率MOSFET
- MOSFET(209664)
- 封装(140858)
- DC-DC(80052)
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高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
DMP4047LFDE 40V P 沟道增强型 MOSFET 晶体管
DMP4047LFDE 产品简介DIODES 的 DMP4047LFDE 这款新一代 40V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能
2023-09-14 19:46:59
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规全部测试
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45
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474东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600
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宝砾微 PL8311 SOP-8 4.5~36V/1.5A单片式降压型开关稳压器
PL8311是宝砾微电子推出的一款36V，1.5A单片式降压型开关稳压器。 PL8311集成了36V 250mΩ高侧和36V，140mΩ低侧MOSFET，可在4.5V至36V宽工作输入电压范围内提供
2023-08-23 17:07:49
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557
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STF140N6F7 N 沟道功率 MOSFET
STF140N6F7内容简介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET电子元器件，为广泛的电压范围（30V至350V）应用提供了卓越的解决方案。采用TO-220FP封装，以其N沟道结构
2023-08-21 16:34:33
STD4NK60ZT4一款N沟道600 V，1.7 Ω 内阻，4A超级MESH功率MOS管
（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）电路中
2023-08-21 10:49:56
宝砾微PWM控制器PL83081 QFN5x5-32封装 100% 负载
原厂代理宝砾微
PL83081是一款 PWM 控制器，专为高性能同步 Buck DC/DC 应用设计，输入电压为3.0 V 至24 V。PL83081采用恒开时间控制。根据 FREQ 引脚和 GND
2023-08-16 11:33:09
NP75N04VUK40 V-75A -N沟道功率 MOS FET应用：汽车
NP75N04VUK40 V - 75 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:42:040
0NP60N04VLK40 V-60A -N沟道功率 MOS FET应用：汽车
NP60N04VLK40 V - 60 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:41:410
0NP90N04VLK40 V-90A -N沟道功率 MOS FET应用：汽车
NP90N04VLK40 V - 90 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:41:240
0NP30N04QUK40 V-30A-双N沟道功率 MOS FET应用：汽车
NP30N04QUK40 V - 30 A - 双 N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:41:080
0NP29N04QUK40 V-30A-双N沟道功率 MOS FET 应用：汽车
NP29N04QUK40 V - 30 A - 双 N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-07 18:40:360
0DA14581 DEVKT -Pro 子板 QFN40 Electrical 原理图s
DA14581 DEVKT -Pro 子板 QFN40 Electrical 原理图s
2023-07-06 19:42:130
0RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A –N沟道功率 MOS FET 应用：汽车
RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-04 20:37:050
0英飞凌推出OptiMOS 7技术的40V车规MOSFET产品系列
采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678
678
英飞凌推出新一代面向汽车应用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列
英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302
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CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET：高速开关和改进的dv/it能力
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技术。它具有快速开关和改进的dv/it能力，适用于MB/VGA、POL应用和DC-DC转换器等领域。本文将介绍CMS4070M的特点、应用领域以及关键性能参数。
2023-06-08 14:28:28663
663
英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列，改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性
最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026
1026
怎么判断MRFE6VS25N坏了没有？
我在网上读到 LDMOS 晶体管需要具有高电阻才能有效，他们提到 MegaOhms，我在 gs 上的读数是 1.9 KOhms，在 ds 上是 137KOhms，mosfet 在板上。假设您了解什么是 MRFE6VS25N 的电阻。
2023-06-05 09:02:14
具有负载断开控制的20V同步升压转换器PL30502
PL30502是宝砾微电子推出的20V同步升压转换器，内置栅极驱动器，可断开负载。 PL30502集成了两个低导通电阻功率FET：一个7mΩ的开关FET和一个7mΩ的整流FET。PL
2023-05-30 14:54:09
输入3.6-5V输出6-8.4V 1A电流升压IC
USB充电数据线专用升压恒压驱动芯片
一般说明
输入3.6-5V输出6-8.4V 1A电流升压IC
AP8660是一种电流模式升压DC-DC转换器。内置0.25Ω的PWM电路
功率MOSFET
2023-05-18 11:23:50
BL6N120-A N沟道功率MOSFET 6A 1200V 贝岭 丝印6N120
描述BL6N120，硅N沟道增强MOSFET，由先进的MOSFET获得降低传导损耗的技术，提高开关性能并增强雪崩能量。晶体管适合用于开关电源、高速开关和通用应用程序。特点♦ 快速切换♦ 低Crss
2023-05-16 16:28:47
STM32F765IIT6芯片、 STM32F765IIK6 、S912ZVCA19AMLFR
SAK-TC275T-64F200W DC
SAK-TC264D-40F200N BC
SAL-TC277T-64F200S DC
STM32F765IIT6
STM32F765IIK6
2023-05-15 18:01:49
A2T27S020N有大功率型号吗？
我想用A2T27S020N实现1420M-1530M的功率放大，需要线性达到6W功率。目前这款功放还没有大功率型号。没有模型吗？
2023-04-26 06:18:02
宝砾微的PL1201 锂电充电芯片
PL1201 锂电充电芯片产品型号供货状态模式串数(s)锂离子（V）磷酸铁锂输入电压(V)充电电流(A)静态电流（uA）指示灯输入过压(V)输入欠压(V)封装PL1201量产Linear Charger14.20/4.35N4.5-241.22Y6.53.9ESOP8DFN3x3-10
2023-04-07 14:11:45
输入3.6-5V输出6-8.4V 1A电流升压IC
输入3.6-5V输出6-8.4V 1A电流升压ICAP8660是一种电流模式升压DC-DC转换器。内置0.25Ω的PWM电路功率MOSFET使该调节器具有很高的功率效率。内部补偿网络大限度地减少多达
2023-03-23 09:01:15
工商网监
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