选型手册：MOT50N03C N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向 30V 低压大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借低导通电阻、低栅极电荷及快速开关特性，适用于各类开关应用场景。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型值10mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：50A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达150A，满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 低电容与栅极电荷：优化的电容和栅极电荷设计，大幅降低开关损耗，适配高频开关应用；
• 快速开关能力：开关速度优异，提升系统能量转换效率；
• 雪崩可靠性：单脉冲雪崩能量达48mJ，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强；
• 多封装适配：支持 TO-252 表面贴装和 TO-251 直插封装，适配不同电路设计需求。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：45W，实际应用需结合散热措施（如 PCB 敷铜、散热焊盘）保障长期可靠工作；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：
  • TO-252 表面贴装封装，包装规格为 2500 片 / 卷；
  • TO-251 直插封装，包装规格为 70 片 / 管；
• 典型应用：各类开关应用场景，如低压电源的开关控制、负载切换等，凭借低损耗与快速开关特性保障系统效率与稳定性。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）