选型手册：VS6662GS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS6662GS是一款面向 60V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOP8 封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值6.5mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型值9.5mΩ，低压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时13A，\(T=70^\circ\text{C}\)时降额为10A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：52A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：兼顾快速开关与低开关损耗，提升低压场景能效；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 25mJ，感性负载开关稳定性强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	60	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	13	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 13；\(T=70^\circ\text{C}\): 10	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	52	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	25	mJ
最大功耗	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 2.5；\(T=70^\circ\text{C}\): 1.6	W
结 - 引脚热阻	\(R_{thJL}\)	24（Typ）/29（Max）	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：SOP8 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配小型化、高密度电路板设计；
• 典型应用：
  • 60V 级低压小型 DC/DC 转换器；
  • 消费电子、物联网设备的中功率负载开关；
  • 小型电源管理系统的功率开关。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）