onsemi NTBLS0D8N08X N沟道功率MOSFET深度解析

在电子工程领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能和特性对电路设计起着至关重要的作用。今天我们来深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X，这是一款80V、0.79mΩ、457A的单N沟道功率MOSFET，它在多个方面展现出了卓越的性能。

文件下载：onsemi NTBLS0D8N08X 80V单N沟道MOSFET.pdf

产品特性与优势

低损耗设计

这款MOSFET具有低反向恢复电荷（$Q{RR}$）和软恢复体二极管，能够有效减少开关损耗。同时，低导通电阻（$R{DS(on)}$）可以将导通损耗降至最低，而低栅极电荷（$Q_{G}$）和电容则有助于降低驱动损耗，这对于提高整个电路的效率和性能非常关键。

环保合规

NTBLS0D8N08X符合无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR Free）标准，并且满足RoHS指令要求，这使得它在环保方面表现出色，能够适应越来越严格的环保法规。

典型应用场景

• 同步整流（SR）：在DC - DC和AC - DC转换器中，同步整流技术可以显著提高转换效率，而NTBLS0D8N08X的低损耗特性使其成为同步整流应用的理想选择。
• 隔离式DC - DC转换器初级开关：其高耐压和大电流处理能力，能够满足隔离式DC - DC转换器初级开关的要求。
• 电机驱动：在电机驱动电路中，MOSFET需要能够快速开关和承受较大的电流，NTBLS0D8N08X正好具备这些特性，可以为电机提供稳定可靠的驱动。

关键参数解读

最大额定值

参数	符号	数值	单位
漏源电压	$V_{DSS}$	80	V
栅源电压	$V_{GS}$	+20	V
连续漏极电流（$T_{C}=25^{\circ}C$）	$I_{D}$	457	A
连续漏极电流（$T_{C}=100^{\circ}C$）	$I_{D}$	323	A
功率耗散（$T_{C}=25^{\circ}C$）	$P_{D}$	325	W
脉冲漏极电流（$T{C}=25^{\circ}C$，$t{p}=100\mu s$）	$I_{DM}$	1629	A
脉冲源极电流（体二极管）	$I_{SM}$	1629	A
工作结温和储存温度范围	$T{J}$，$T{stg}$	-55 to +175	℃
源极电流（体二极管）	$I_{S}$	547	A
单脉冲雪崩能量（$I_{pk}=103A$）	$E_{AS}$	530	mJ
焊接用引脚温度（距管壳1/8"，10s）	$T_{L}$	260	℃

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，实际应用中要严格遵守这些参数限制。同时，热阻会受到整个应用环境的影响，实际连续电流也会受到热和机电应用板设计的限制。

热特性

参数	符号	数值	单位
结到壳的热阻	$R_{θJC}$	0.46	℃/W
结到环境的热阻	$R_{θJA}$	43	℃/W

热阻参数对于评估器件的散热性能非常重要，在设计散热系统时需要参考这些数值。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：$V{(BR)DSS}$在$V{GS}=0V$，$I{D}=1mA$，$T{J}=25^{\circ}C$时为80V，其温度系数为35.5mV/℃。
• 零栅压漏极电流：$I{DSS}$在$V{DS}=80V$，$T{J}=25^{\circ}C$时为2μA，在$T{J}=125^{\circ}C$时为250μA。
• 栅源泄漏电流：$I{GSS}$在$V{GS}=20V$，$V_{DS}=0V$时为100nA。

导通特性

参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源导通电阻（$V{GS}=10V$，$I{D}=80A$，$T_{J}=25^{\circ}C$）			0.69	0.79	mΩ
漏源导通电阻（$V{GS}=6V$，$I{D}=71A$，$T_{J}=25^{\circ}C$）			1	1.26	mΩ
栅极阈值电压	$V{GS}=V{DS}$，$I{D}=720\mu A$，$T{J}=25^{\circ}C$	2.4		3.6	V
栅极阈值电压温度系数	$V{GS}=V{DS}$，$I_{D}=720\mu A$		-7.95		mV/℃
正向跨导	$V{DS}=10V$，$I{D}=80A$		485		S

这些电气特性参数反映了器件在不同工作状态下的性能，工程师在设计电路时需要根据具体需求进行选择和优化。

开关特性

参数	测试条件	数值	单位
导通延迟时间	阻性负载，$V_{GS}=0/10V$	34	ns
上升时间	$V{DD}=40V$，$I{D}=80A$，$R_{G}=2.5\Omega$	15	ns
关断延迟时间		70	ns
下降时间		20	ns

开关特性决定了器件的开关速度和效率，对于高频应用尤为重要。

源漏二极管特性

参数	测试条件	数值	单位
正向二极管电压（$I{S}=80A$，$V{GS}=0V$，$T_{J}=25^{\circ}C$）		0.8	V
正向二极管电压（$I{S}=80A$，$V{GS}=0V$，$T_{J}=125^{\circ}C$）		0.66	V
反向恢复时间	$V{GS}=0V$，$I{S}=80A$，$di/dt = 1000A/\mu s$，$V_{DD}=40V$	48	ns
充电时间		27	ns
放电时间		49	ns
反向恢复电荷		464	nC

源漏二极管的特性对于电路的反向电流和恢复过程有重要影响。

典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、转移特性、导通电阻与栅极电压关系、导通电阻与漏极电流关系、归一化导通电阻与结温关系、漏极泄漏电流与漏极电压关系、电容特性、栅极电荷特性、电阻性开关时间变化与栅极电阻关系、二极管正向特性、安全工作区、雪崩电流与脉冲时间关系、栅极阈值电压与结温关系、最大电流与壳温关系以及瞬态热响应等。这些曲线可以帮助工程师更直观地了解器件在不同条件下的性能变化，为电路设计提供更准确的参考。

封装尺寸

该器件采用H - PSOF8L封装，文档详细给出了封装的尺寸参数，包括各个维度的最小值、标称值和最大值。在进行PCB设计时，需要严格按照这些尺寸进行布局，以确保器件的正确安装和使用。

总结

onsemi的NTBLS0D8N08X N沟道功率MOSFET以其低损耗、高耐压、大电流处理能力等优点，在同步整流、隔离式DC - DC转换器和电机驱动等应用中具有很大的优势。工程师在使用这款器件时，需要充分了解其各项参数和特性，结合实际应用需求进行合理设计，同时要注意遵守最大额定值限制，确保器件的可靠性和稳定性。大家在实际应用中有没有遇到过类似MOSFET的一些特殊问题呢？欢迎在评论区分享交流。