选型手册：VS40200AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS40200AD是一款面向 40V 低压超大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC 转换器等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值3.0mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型值4.5mΩ，低压场景下传导损耗极致低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 硅片约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：200A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)时降额为165A；
    • 封装约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：167A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：476A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足瞬时超大电流需求。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：兼顾超快速开关与低开关损耗，适配高频大电流场景；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 225mJ，抗冲击能力极强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	40	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	200	A
连续漏极电流（硅片约束）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 200；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 165	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	476	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	225	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 20；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 1.77	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	0.5 / 0.6	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-252 表面贴装封装，包装规格为 2500pcs / 卷，适配中高功率密度电路板设计；
• 典型应用：
  • 40V 级低压超大电流 DC/DC 转换器主开关管；
  • 储能系统、工业设备的超大电流负载通断控制；
  • 高功率电源管理系统的同步整流回路。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）