选型手册：MOT6120T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向 60V 低压大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借 1.5mΩ 超低导通电阻、229A 超大电流承载能力及 TOLL-8L 小型化封装，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、无人机等大功率场景。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压大电流供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值1.5mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：229A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达655A，满足负载瞬时超大电流需求。

二、核心特性

• 超级 trench 单元设计：采用先进的沟槽结构，大幅降低导通电阻，提升电流密度，适配大电流功率转换场景；
• 小型化贴片封装：采用TOLL-8L 表面贴装封装，适配高密度电路板的空间约束，每卷 2000 片，满足批量生产需求；
• 高鲁棒性设计：单脉冲雪崩能量达15.3mJ，结到环境热阻（\(R_{thJA}\)）10.3℃/W，大电流工况下结温控制更稳定；
• 高频开关适配：动态电容（输入、输出、反向传输电容）优化，开关时间（导通延迟、上升 / 下降时间）达纳秒级，适合高频 PWM 控制。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：650W，实际应用需结合散热设计（如散热垫、金属基板）保障长期可靠工作；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+175℃，存储温度范围与结温区间一致；
• 阈值电压（\(V_{GS(th)}\)）：1.0~3.0V；
• 动态电容（典型值）：输入电容（\(C_{iss}\)）5320pF，输出电容（\(C_{oss}\)）123pF；
• 开关时间（典型值）：导通延迟（\(t_{d(on)}\)）11ns，上升时间（\(t_r\)）108ns，关断延迟（\(t_{d(off)}\)）19ns，下降时间（\(t_f\)）108ns。

四、封装与应用场景

• 封装形式：TOLL-8L 表面贴装封装，适配小型化、高功率密度的电源与动力系统设计；
• 典型应用：
  • 高功率系统逆变器：在工业或新能源领域的逆变器中作为功率开关，低损耗特性提升能量转换效率；
  • 轻型电动车与无人机：为电动摩托车、无人机的动力系统提供大电流功率控制，保障动力输出与系统可靠性。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）