圣邦微电子推出高性能N沟道MOSFET SGMNQ12340

圣邦微电子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐压、低导通电阻、输入电容低、切换速度快、高性能的 N 沟道 MOSFET。该器件可应用于 VBUS 过压保护开关、AMOLED 显示控制器、电池充放电开关及 DC/DC 转换器。

SGMNQ12340 具有低导通电阻的显著特点，其典型值仅为 13mΩ（VGS= 10V），最大值不超过 18mΩ（VGS= 10V），能有效降低导通损耗。同时，它拥有低栅极电荷与电容，总栅极电荷（QG）典型值为 8.5nC（VGS= 10V），输入电容低、开关速度快，非常适合高频应用。其小巧的 TDFN 封装尺寸仅为 2mm×2mm，为高密度 PCB 布局提供了理想选择，并且产品符合 RoHS 标准，无卤素，满足环保要求。

在主要参数方面，SGMNQ12340 的漏源电压（VDS）为 40V，在 +25°C 环境温度下的连续漏极电流（ID）可达 9A，栅源阈值电压（VGS_TH）范围在 1.2V 至 2.2V 之间，总功耗（PD）在 +25°C 环境温度下为 2W，其广泛的工作温度范围覆盖 -55°C 至 +150°C，确保了其在各种严苛环境下的可靠性。

图 1 SGMNQ12340 等效电路

关于圣邦微电子

圣邦微电子（北京）股份有限公司（股票代码 300661）作为高性能、高品质综合性模拟和模数混合信号集成电路供应商，产品覆盖信号链和电源管理两大领域，目前拥有 36 大类 6600 余款可销售型号，为工业与能源、汽车、网络与计算和消费电子等领域提供各类模拟及混合信号调理和电源管理创新解决方案。