选型手册：VS40200AT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS40200AT是一款面向 40V 低压超大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 直插封装，凭借超低导通电阻与 200A 大电流承载能力，适配低压超大电流 DC/DC 转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值2.5mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型值3.5mΩ，低压场景下传导损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时200A，\(T=100^\circ\text{C}\)时降额为142A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：800A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时超大电流需求。

二、核心特性

• 极致低导通电阻：2.5~3.5mΩ 低阻设计，大幅降低低压超大电流场景下的传导损耗；
• 高电流承载能力：200A 连续电流 + 800A 脉冲电流，适配大功率设备的电源控制；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 300mJ，感性负载开关场景下稳定性优异；
• 环保合规：采用无铅引脚镀层，满足无卤要求且符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	40	V
栅源极电压	\(V_{GS(MAX)}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	200	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 200；\(T=100^\circ\text{C}\): 142	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	800	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	300	mJ
最大功耗	\(P_D\)	150	W
结 - 壳热阻	\(R_{thJC}\)	1.0	℃/W
结 - 环境热阻	\(R_{thJA}\)	62.5	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-220AB 直插封装，包装规格为 50pcs/Tube，适配大电流散热需求的电路设计；
• 典型应用：
  • 低压超大电流 DC/DC 转换器：在 40V 级降压拓扑中作为主开关管；
  • 高功率电源管理系统：为工业设备、储能系统的低压电源分配环节提供开关控制；
  • 大功率负载开关：支持 200A 级负载的通断管理。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）