选型手册：VS40200ATD 双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS40200ATD是一款面向 40V 低压超大电流场景的双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET，支持 5V 逻辑电平控制，采用 TO-263 封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC 转换器等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配双路低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，单通道）：\(V_{GS}=10V\)时典型值2.0mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型值2.3mΩ，低压场景下传导损耗极致低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，单通道，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时200A，\(T=100^\circ\text{C}\)时降额为142A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)，单通道）：800A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足双路负载瞬时超大电流需求。

二、核心特性

• 双通道 + 5V 逻辑控制：单芯片集成 2 路 N 沟道 MOSFET，适配 5V 逻辑驱动，简化双路超大电流电源拓扑设计；
• 极致低导通电阻：2.0~2.3mΩ 的阻性表现，大幅降低低压超大电流传输的传导损耗；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 300mJ（单通道），抗冲击能力极强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，单通道，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	40	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	200	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 200；\(T=100^\circ\text{C}\): 142	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	800	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	300	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 150	W
结 - 壳热阻	\(R_{thJC}\)	1.0	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-263 表面贴装封装，包装规格为 1000pcs / 卷，适配高功率密度电路板设计；
• 典型应用：
  • 40V 级双路低压超大电流 DC/DC 转换器；
  • 储能系统、工业设备的双路超大电流负载开关；
  • 高功率电源管理系统的双路同步整流回路。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）