选型手册：MOT4523D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向 40V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借先进沟槽技术、低导通电阻及低栅极电荷特性，适用于负载开关、PWM 应用、电源管理等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值18mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型值22mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：10A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），\(T_c=100^\circ\text{C}\)时降额为6A；脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达40A，满足负载瞬时过载需求。

二、核心特性

• 先进沟槽技术：通过优化的沟槽单元架构，实现低导通电阻与低栅极电荷，大幅降低低压场景下的传导损耗与驱动功耗；
• 无铅环保封装：采用无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求；
• 多场景适配性：负载开关、PWM 控制、电源管理等场景均可高效应用，满足不同功率拓扑的开关需求。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：5W，实际应用需结合 PCB 敷铜、散热焊盘等设计保障长期可靠工作；
• 雪崩特性：单脉冲雪崩能量（\(E_{AS}\)）达30mJ，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：
  • TO-252 表面贴装封装，每卷 2500 片；
  • TO-251 直插封装，每管 70 片；
• 典型应用：
  • 负载开关：用于各类电子设备的负载通断管理，10A 电流能力支持中功率负载切换；
  • PWM 应用：在 PWM 控制的功率回路中作为开关管，低导通电阻特性提升控制精度与效率；
  • 电源管理：为低压电源系统的电源分配、电压调节环节提供高效开关，保障电源管理稳定性。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）